Пленочный резистор

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ТЮЛЬСТВУ (1309409 (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 270978 (2 I) 2666820/18-21 с присоединением заявки Йо— (23) Приоритет

Опубликовано 280231. Бюллетень ЙЯ 8

Дата опубликования описания 07. ОЗ. 81

®)м. к,.

Н 01 С 7/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (ЮЗ) УДК 621.316..8 (088,8) (72) Авторы изобретения

В.A.Ëoïóõèí, Д.К.Шелест, Ю.Ф.Шеханов, Т.А.СемецОВа и

Ю.Р.Вацяк !

Ленинградский институт авиационного приборостроения, (7! ) Заявитель (54) ПЛЕНОЧНЫЯ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к измерительной технике и может быть исполь-. зовано при изготовлении гибридных интегральных микросхем повышенной точности.

Известен пленочный резистор, в котором подгонку величины сопротйвления под номинальное значение осуществляют удалением узких участков реэистивного слоя пленки, нанесенной на диэлектрическое основание, или в котором подгонку осуществляют ступенчатым последовательным подключением к основному участку резистора подгоночных секций путем перерезания т5 проводящих перемычек, которыми закорочены подгоночные реэистивные секции при нанесении микросхемы f1 3.

Недостатком известных пленочных резисторов, подгонка сопротивления 20 которых осуществляется плавным или дискретным способом, является ухудшение стабильности сопротивления и изменение температурного коэффициента сопротивления резисторов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является пленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным элементом Зч круглой формы с кольцеобразной внеш ней и круглой внутренней контактными площадками 12).

Недостатком известного пленочного резистора являются недостаточная стабильность резистора и неудовлетворительная точность при дискретной подгонке.

Цель изобретения - nosaaaewe ста бильности параметров и точности резистора.

Поставленная цель достигается тем, что пленочный резистор, содержащий. диэлектрическую подложку с размещенным на ней реэистивным элементом круглой формы с кольцеобразной внешней и круглой внутренней контактными площадками, снабжен проводящий пленочной спиралью, размещенной на реэистивном элементе и соединяющей его контактные площадки, причем в резистивном элементе выполнены подгоночные отверстия, расположенные под проводящей пленочной спиралью„ кроме того, проводящая пленочная спираль выполнена в виде логарифмической спирали или в виде спирали ,Архимеда.

809409

На фиг. 1 изображен пленочный резистор; на фиг. 2 — виток проводящей пленочной спирали Архимеда.

Диэлектрическая подложка 1 (фиг,1) служит для размещения на ней пленочных элементов. Внутрення контактная площадка 2, выполненная в виде круга и расположенная в центре концентрически расположенных кольцевых контактных площадок 3, изготовлена из проводящего материала и осуществляют коммутацию пленочного резистора с другими элементами схемы. Резистивный элемент 4 круглой формы расположен между ними, а именно между внутренней 2 и внешней 3 контактными площадками, его размеры и вид ма- 15 териала определяют сопротивление пленочного резистора. Проводящая, пленочная спираль 5 выполнена из проводящего материала, соединяет соседние контактные площадки и пред- 2О назначена для дискретной подгонки пленочного резистора, Сквозные отверстия 6 в резистивном элементе, расположенные под проводящей пленочной спиралью 5, определяют места перерезания проводящей пленочной спирали 5 при дискретной подгонке резистора с помощью лазера или пескоструйной обработки.

На. фиг. 2 показан виток проводящей пленочной спирали Архимеда, где

r,,r„, г", г" - радиусы подгоночных секций при последовательном пережигании подгоночных секций спирали; З5 а г - приращение радиуса одной подгоночной секции; гв — РаДиУс внУтРенней контактной площад- 4Q ки; гв - радиус внешней контактной площадки.

Подгонка резистора осуществляется последовательным перерезанием проводящей пленочной спирали 5 в местах расположения сквозных отверстий 6 в реэистивиом материале. При этом сопротивление резистора будет увеличи.ваться в большей или меньшей степени, в зависимости от последовательности перерезания проводящей пленоч-, ной спирали 5 (по контуру спирали или по радиусам) и типа спирали (логарифмическая спираль или спираль

Архимеда).

Сопротивление круглого резистора

R зависит от удельного сопротивления резистивной пленки Ро и соотношения радиусов внутренней и внешней контактных площадок и выражается формулой ф (гв»

Использование предлагаемого изобретения позволит увеличить точность и стабильность параметров подгоняемого пленочного резистора в 2-3 раза.

Формула изобретения

1. Пленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным элементом круглой формы с кольцеобразной внешней и круглой внутренней контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью повыаения стабильности параметров и точности резистора, он снабжен проводящей пленочной спиралью, размещенной на резистивном элементе и соединяющей его контактные площадки, причем в резистивном элементе выполнены подгоночные отверстия расположенные под проводящей ,пленочной спиралью.

2, Резистор по п.1, о т л и ч а ю шийся тем, что проводящая пленочная спираль выполнена в виде логарифмической спирали или в виде спирали Архимеда.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Коробейников В.H. Конструирование апериодических пленочных усилителей. М., "Советское радио", 1972, с. 69, рис. 214 (а, 6).

2. Патент Великобритании, кл. Н 1 S, Р 1367983, 25.09.74 (прототип).

809409 я з ю (Ри .

1 у 5 4 фиг. l

Составитель Т.Баранова

Редактор Н.Кешеля Техред Ж.Кастелевич Корректор!Г.РеветиИк

Заказ 443770 тираж 7Я "Водписиое

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Мосйва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Фйлиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4