Запоминающая ячейка

Авторы патента:

НЕСТЕРУК ГЕННАДИЙ ФИЛИППОВИЧ

ПОТАПОВ ВИКТОР ИЛЬИЧ

НЕСТЕРУК ВАЛЕРИЙ ФИЛИППОВИЧ

G11C11/14 - тонкопленочных

(>ii824307

Союз Советсимк

Соцмалмстмчесимк .

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 1 1.03.79 (21) 2735952/18-24 с прнсоеринением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 23.04.81. Бюллетень РЙ15

Дата опубликования описания 25.04.81 (51)М. Кл.

3Ънударктненный квинтет

СССР нв двннм нзебретеннй н открытий

G 11 С 11/14 (53) УДК 681 327.

° 66 (088.8) 1

Г. Ф. Нестерук, В. И. Потапов и В. Ф. Нестерук "-" "- -"- !

I ,. r. --.-,-.„, >, :: j„"|1",1 а:, Л .-у.-;

1 и (l. f : r

Омский политехнический институт (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩА Я ЯЧЕЙКА. Изобретение относится к вычислитель- ной технике и может найти применение при построении быстродействующих оперативных запоминающих устройств с магнитооптическим считыванием информации на базе одноосных кристаллов с цилиндрическими магнитными доменами (11МД) °

Известна запоминающая ячейка (ЗЯ), соцержашая магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены

Т - и 3 -образные ферромагнитные ап10 пликации (1).

Недостатком атой ЗЯ является раэ.ру шение информации при считывании.

Наиболее близким техническим решени1S ем к предлагаемому изобретению является

ЗЯ, которая содержит пластину магнии>одноосного материала с I D, на поверхности которого расположены пересекающиеся изолированные проводниковые шины, целящие площааь ЗЯ на четыре сектора, в трех из которых размещены основные ферромагнитные апплик ацин, образующие

Г-образный магнитный контур 2).

Недостатком известной ЗЯ является ограниченная область применения, так как ЗЯ позволяет осуществлять лишь функции хранения, записи и стирания информации.

Uemь изобретения вЂ” расширение области применения известной ЗЯ путем реализации логических операций.

Поставленная цель достигается за счет того, что ЗЯ, содержащая магнитооцноосную пленку, на поверхности которой расположены пересекающиеся изолированные управляющие шины (ИП), магнитосвязанные с основными ферромагнитными . аппликациями, гальванически связанными между собой, содержит, на псверхностя магнитоодноосной пленки дополнительные ферромагнитные аппликации, например, ромбовидной формы, магнитосвязанные с управляющими шинами и соединенные со свободными концами основных ферромагнитных апнликаций.

На чертеже изображена принципиальная схема ЗЯ.

82430 7 з

Предлагаемая ЗЯ содержит магнитоэриоосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены пересекающиеся изолированные УШ 3, магнитосвязанные с основными 4 и дополнительными

5 ферромагнитными аппликациями, выполненными, например, ромбовидной формы, причем, дополнительные 5 ферромагнитные аппликации соединены со свобоцными концами основных 4 ферромагнитных аппликаций.

Буквами Х и У обозначены входные логические переменные (ВЛП), а буквами Р, Р, Р H Р,,- IIQGHI1HH» которые занимают БМД в ЗЯ при возцействии различных ВЛП.

Предлагаемая ЗЯ работает следующим образом.

Принимая,что "1" соответствует импульсному сигналу в УШ 3 одной полярности, а "0 вЂ” импульсному сигналу противоположной полярности.

Под действием грациентного магнитного поля, создаваемого токами импульс, ных сигналов соответствующих значе»

25 ниям ВЛП, которые протекают по УШ 3, 11МД.2- начинает перемещаться в плоскости магнитоодноосной пленки 1 в направлении максимального уменьшения суммарного магнитного поля, т.е. вдоль соответзо, ствуюших ферромагнитных аппликаций, и занимает одну из четырех позиций Р вЂ”

Р, в зависимости от сочетания ВЛП. в

УШ "3: Р - в случае Х=У=1 (логическая

» операция (ЛО) «Конъюнкция"), Р„- при

Х .О, У = 1 (ЛО Запрет по Х )> Р - 35 если Х У = 0 (ЛО "Операция Пирса ) и P - в случае Х = 1, У = 0 (ЛО «Запрет по У ).

Таким образом, введение в ЗЯ дополнительных 5 ферромагнитных аппликаций, \» образующих совместно с основными 4 ферромагнитными аппликациями замкнутЫй контур, приводит к увеличению числа функциональных выходов ЗЯ с одного цо четырех, с которых снимаются результаты выполнения ЛО конъюнкции, запретов и с операции Пирса, что расширяет область применения пр едла гае мо и 3 Я, формула изобретени я

Запоминающая ячейка, содержащая магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены пересекающиеся изолированные управляющие шины, магнитосвязанные с основными ферромагнитными аппликациями, гальванически связанными между собой, о т л и ч а ю m а я с я тем, что, с целью расширения области применения запоминающей ячейки путем реализации логических операций, она содержит на поверхности магнитооцноосной пленки дополнительные ферромагнитные аппликации, например, ромбовидной формы,. магнитосвязанные с управляющими шинами и соединенные со свободными концами основных ферромагнитных аппликаций.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Боярченков М. А. и др. Магнитные цоменные логические и запоминающие устройства, М., Энергия", 1974.

2. Авторское свицетельство СССР

М 538423, кл. б 11 С 11/14, 1974 (пр ототип) .

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Н. Рогулич ТехредН;Майорош Корректор М. оста

Заказ 2134/76 Тираж 645 . Поднисное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113036, Москва, Ж-35, Раушская наб., и. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Кольцевой сдвиговый регистр // 809385

Магнитный переключатель // 809374

Канал продвижения цилиндрическихмагнитных доменов // 809373

Запоминающее устройство // 809372

Устройство для считывания цилин-дрических магнитных доменов // 809346

Запоминающая ячейка // 803012

Переключатель цилиндрическихмагнитных доменов // 803011

Компрессор цилиндрическихмагнитных доменов // 801099

Индукционное устройство длясчитывания информации // 801098

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)