Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских.Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 100779 (21) 2795451/18-21 (53)М. Кл.

Н 01 С 7/00 с присоединением заявки Йо

Государственный комитет

СССР но декам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 30.0531. Бюллетень Н9 20

Дата опубликования описания 3005.81 (53) УДК 621. 316. 86 (088. 8) 2 3 (72) Автор изобретения

В.М.Березин

Уральский ордена Трудового Красного Знамени университет им. A.М.Горького

3 ; ;" государственный (7! ) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

25-75

25-75

Сульфид меди

Сульфид серебра

30

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при изготовлении резисторов, работающих при высоких температурах, с функциональной зависимостью удельного электросопротивления от времени.

Известен резистивный материал, содержащий сульфид меди (1) .

Однако данный материал невозможно использовать в качестве резистивного вследствие сравнительно высокой электронной составляющей проводимости, которая обусловлена природой нестехиометрии этого химического соединения.

35:

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является р йзистивный материал, содержащий сульфид серебра и тяжелого металла (21

Недостаток этого материала состо- 20 ит в высокой электронной составляющей проводимости.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей.

Указанная цель достигается тем, что в реэистивном материале, содержащем сульфид серебра и сульфид тяжелого металла, .в качестве сульфида тяжелого металла используется сульфид меди при следующем количественном соотношении компонентов, мол.%:

Резистивный материал представляет собой твердый раствор, характеризую-. щийся общей формулой (Сц „ Адн где х = 0 25-0 75.

Твердые растворы получают спеканием в вакууме при определенной температуре меди, серебра и серы, взятых в нужном соотношении. После спекания порошок подвергают гомогенизации и прессуют образцы.

Пример. Для получения твердых растворов предлагаемого состава используют чистые компоненты: серебро чистоты 99,999%, медь электролитическая марки ОСЧ 11-4 и сера элементарная марки ОСЧ 14-4.

Компоненты спекают в ампулах при давлении 10 мм рт.ст. и при 550 С.

После спекания фазы. тщательно перетирают в агатовой ступке, полученный порошок подвергают гомогенизации при 330 С, затем иэ него прессуют о .образцы.

Изготавливают образцы из твердых растворов.

834779

Состав, мол.Ъ Величина элект- Величина ионной ронной составля- составляющей

Cu

Номер образ ца

75 25

4,6

3,5

4,6

65

0,8

4,6

4,6

1,05

4,3

4,6

75

В таблице .приведены составы полученных .образцов и данные измерений электронной и ионной составляющих проводимости при 400 С.

Соотношение металл-сера в растворе методом кулонометрического титрования в гальванической цепи

Ад/Аф) (Си+„А9 „)д Б) + устанавливается с высокой точностью стехиометрическим.

Измерение электропроводности осуществляют, прижимными вольфрамовыми зондами компенсационным методом с помощью полуавтоматического потенциометра.

Как видно из.таблицы, увеличение или уменьшение содержания сульфида серебра приводит к существенному росту электронной составляющей.

Кривые зависимости величины удельного электросопротивления предлагаемого материала .от времени при о

400 С приведены на чертеже.

Момент времени t = t< соответствует включению .постоянного тока, пропускаемого через образец, помещенный между двумя химически нейтральными электродами..Процесс плавного увели- . чения электросопротивления обусловлен постепенным подавлением ионной составляющей проводимости за счет поляризациопного эффекта. Суть его

Формула и з обретения

Резистивный материал, содержащий сульфид серебра и сульфид тяжелого металла, отличающийся тфм, что, с целью расширения функциональных возможностей, в качестве сульфида тяжелого металла используют сульфид меди при следующем количественном соотношении компонентов, вес ° %: состоит в том, что подвижные ионы (ионы серебра) концентрируются у отрицательного электрода..Сила тока выбирается так, что электролиз токопроводящей фазы не происходит.

Градиент концентрации ионов серебра вызывает диффузионный поток. В стационарном состоянии дрейфовый и диффузионный потоки компенсируют друг друга и через образец течет только электронный ток. Таким образом, электропроводность образца уменьшается от величины G + Gе (в начальный момент временй) до величины G (в стационарном поляризованном состоянии).

В результате введения сульфида серебра в сульфид меди величина электронной составляющей проводимости для предлагаемого материала приобретает значения 1 Ом "см . Ta29 кая величина проводимости позволяет на основе этих материалов создавать высокотемпературные резисторы с функциональной зависимостью величины сопротивления от времени, которые в ряде случаев могут заменять сложные электромеханические потенциометры, применяемые в технике, а также электронные схемы с временной задержкой, особенно.при высоких температурах (до 550 С).

Сульфид меди 25-75

Сульфид серебра 25-75

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. "J. Chem. Phus", 26, 6, 1602, 1957.

2. Патент Японии 9 342, кл. 62 A 22, опублик. 1972 (прототий).

834779

Составитель Л. Беспалова

Редактор Т.Мермелштайн . ТехредЖ,Кастелевич КорректорМ Коста

Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 .

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Резистивный материал Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх