Устройство для нанесения покрытий

Авторы патента:

C23C13 - Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M 11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q 1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C 17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)

Союз Соввтскик

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ к лвтоескомм свидетельств

< п863716 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 080879 (21) 2807440/18-21. (s))e. к,. с присоединением заявки йо

С 23 С 13/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (23) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 15.0981. Бюллетень Н9 34 (53) УДК 621. 382..002 (088.8) Дата опубликования описания 150981 (72) Авторы изобретения

В.A. Тучин, Ю.Н. Хлопов, В.И. Захаров, A и A.È. Морозов

Московский авиационный технологический и им. К.Э. Циолковского (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

Изобретение относится к технике нанесения покрытий .и может быть использовано в технологии производства микросхем и печатных плат.

Известно устройство для нанесения покрытий на поверхности путем термического размножения металлоорганических соединений (1).

Недостатки известного устройства вЂ” необходимость поддержания высокой температуры поверхности при нанесении покрытий (около 400 С) и легирование осаждаемого слоя металла карбидами.и окислами, образующимися в ходе процесса.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемым результатам к предлагаемому является устройство, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней подложкодержателем и источником пара с отверстиями на его рабочей поверхности (21.

Недостаток устройства вЂ” изменение условия роста слоя материала на поверхности за счет увеличения температуры подложки, которая нагревается потоком газа-носителя и паров наносимого материала, имеющим высокую температуру.

Цель изобретения - повышение качества пленки.

Цель достигается тем, что в устройстве для нанесения покрытий, содержащем вакуумную камеру с размеценными в ней подложкодержателем и источником пара с отверстиями на его рабочей поверхности, источник пара выполнен в виде жестко соединенных радиопрозрачной камеры и рупорнопараболической антенны СВЧ диапазона.

На чертеже изображено устройство для нанесения покрытия, общий вид.

Устройство для нанесения покрытий

15 состоит иэ рупорно-параболической антенны 1, герметично соединенной с ней радиопрозрачной камеры 2 с отверстиями 3 в стенке, обращенной к поверхности 4, на которую произво20 дится нанесение материала, и отверстием 5 для ввода паров материала в .нее по магистрали 6. Устройство помещено в вакуумную камеру 7. СВЧ энергия подводится к рупорно-параболической антенне по волноводному тракту 8 от генератора 9.

Устройство работает следующим образом.

От генератора 8 по волноводному

30 тракту 8 энергия канализируется к

863716 ре) . Кроме того, повышается адгезия наносимого слоя к рабочей поверхности (на 30-40%), а сами пленки обладают высокой равномерностью по толщине.

Формула изобретения

Составитель М.Серебрянникова

Редактор М. Циткина Техред A. Савка Корректо N. Шароши

Тираж 1051 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 7711/43

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 рупорно-параболической антенне 1, которая излучает электромагнитные волны через радиопрозрачную камеру 2 в зону образования плазмы 10. Туда же но магистрали 6 через отверстие

5 в камере 2 и отверстия 3 посту)пают пары элементоорганического соединения (ЭОС). В зоне образования плазмы 10 происходит разложение

ЭОС с образованием паров наносимого материала, которые и оседают на поверхности 4 в виде пленки.

Для получения резисторов на основе пленок вольфрама в гибридно-пленочной технологии на подложках из ситалла, керамики и стекол получают слои вольфрама путем разложения карбонила вольфрама. Процесс проводится при давлении газовой смеси в вакуумной камере P = 10 Topp.. В качестве источника СВЧ энергии использован магнетрон, генерирующий на частоте

10 кГц мощность 50 Вт.

Использование предлагаемого устройства позволяет наносить пленки и покрытия беэ нагрева рабочей поверхности (при комнатной температуУстройство для нанесения покрытий, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней подложкодержателем и источником пара с отверстиями на его рабочей поверхности, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества пленки, источник

15 пара выполнен в виде жестко соединенных радиопрозрачной камеры и ру=. порно-параболической антенны СВЧ диапазона.

20 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Заявка Японии Р 48-22886, кл. 12 А 26, 1973.

2. Заявка ФРГ 9 1621325, кл. С 23 С 13/00, 1975. (прототип).