Способ создания профилей ионной повреждаемости
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПРОФИЛЕЙ ИОННОЙ ПОВРЕЖДАЕМОСТИ в плоских образцах путем ионной бомбардировки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и упрощения технологии, ионную бомбардировку осуществляют через поглощаницие фильтры цилиндрической формы.
{ l9) {31) СОЮЗ СОВЕТСКИХ
NUNI
РЕСПУБЛИК
4{5ц Н 01 ? 21/265
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1 ::.
И ЬВТСССИСВУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2908687/18-21 (22) 10.04.80 (46) 28.02.85. Бюл. У 8 (72) В.Ф. Реутов и С.П. Вагин (71) Институт ядерной физики АН Казахской CCP (53) 621.384.6(088.8) (56) 1. С. Пью, Атомная техника за рубежом. 1971, Ф 5(19).
2. Т.Е. Witley, С.L. Kulciuski, P.W. Ikes, Н.V.Smith. Tr. T. Hucl.
Mat 79, (1979) 1 (54) (57) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПРОФИЛЕЙ
ИОННОЙ ПОВРЕЖЦАЕИОСТИ в плоских образцах путем ионной бомбардировки, о т л и ч а ю щ и и .с я тем, что, с целью расширения области примене ния и упрощения технологии, ионную бомбардировку осуществляют через поглощающие фильтры цилиндрической формы.
865063
Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано для получения объектов с целью изучения в них.характера ионной повреждаемости вдоль трека 5 движения ионов.
Облучение объектов ионами различных масс и энергий широко исполь эуется при решении многих актуальных задач радиационной физики твердого тела (11 . Малые пробеги тяжелых ионов в материалах, изучение повреждаемости от которых представляет наибольший научный и практи-еский интерес, позволяет применять IS для исследований в основном просвечивающую электронную микроскопию (ПЭМ), Известные способы предусматривают различные, но всегда трудоемкие, методы прецизионного снятия 20 тонких. слоев. Наиболее близким техническим решением является способ создания профилей ионной повреждаемости, закпючающийся в ионной бомбардировке плоского образца, например, 25 фольги (2j, Толщину фольги наращивают до
2-3 мм методом электролитического осаждения и разрезают поперек на тонкие полоски, из которых выбиваются щ0 диски.
Основным недостатком, существенно ограничивающим область применения описанного способа, является
НеВОзможность IIOH7%eHHH IIpO IHMX ;для этого необходимо, предварительное ; нанесение на поверхность образца слоя. 40 другого материала, что недопустимо, поскольку практически невозможно подобрать электролит для последующего однородного утонения этого .сложного сэндвича с целью получения образца для ПЭМ. Получение столь толстых слоев методом вакуумного напыления исключается из-за очень малых скоростей напыления, Кроме того, сам по себе описанный процесс . является сложным и трудоемким. Цель изобретения — расширение области применения и упрощение технологии, 55 Цель достигается тем, что в известном способе создания профилей ионной повреждаемости в плоских образцах пу ем ионной бомбардировки ионную бомбардировку образца осуществляют через поглощающие фильтры цилиндрической формы. На чертеже приведена схема облу-. чения образца. В соответствии со схемой облучения бомбардирующие ионы 1, проходя через переменную вдоль направления их движения толщину проволочного фильтра 2, изменяющуюся по закону В = 2 где К вЂ” радиус фильтра, теряют энергию и достигают поверхности образца 3, например, в участке А-А с различной энергией. Величину энергии ионов на поверхности образца определяют по величине пробега в цилиндрическом фильтре численным образом из известных кривых "энергия-пробег" для материала.фильтра. В точке А энергия равна О,. в / точке А-Ео. Таким образом, в плоскости одного образца получается 2N (N — число проволочных фильтров) участков площадью R L (R> L — - раж диус и длина проволочного фильтра), в которых энергия вдоль R изменяется от О до Ес. Утоняя обычным способом данный, образец со стороны, противоположной бомбардирующей поверхности, получают объект для ПЭМ исследований, в плоскости которого можно одновременно наблюдать не одну зону с переменной повреждаемостью. Использование предлагаемого способа обеспечивает по сравнению с существующим способом следующие преимущества полное исключение технологически сложных, а во.многих случаях неосуществимых способов увеличения толщины облученных фольг; возможность одновременного изучения в одном образце энергетической зависимости радиационной повреждаемости, характера поведения легирующих элементов во всей зоне легирования не только во всех без исключения чистых металлах, но и-в сложных сплавах, а также в других материалах, из которых только возможно приготовление образцов для ПЭМ;, в десятки раз сокращается время проведения эксперимента, которое определяется не только исключенными 865063 Редактор Л. Письман Техред Т.Наточка Корректор О. Билак Заказ 564/4, Тираж 679 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и .открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 процессами утолщения образца и последующей его резки, но и низким выходом пригодных для исследования электронномикроскопических образцов из неоднородного:чо структуре сложного сэндвича.
