Способ изготовления металлических корпусов микросхем

 

8) (72) Авторы (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ

КОРПУСОВ МИКРОСХЕМ

Изобретение относится к радиоэлекl тронной технике и может быть иснользо-, вано преимущественно для изготовления металлических герметичных корпусов. для микросхем.

Известен способ изготовления корну- > сов, включающий иэ готовление формованных заготовок иэ тонкого листово,го материала, их сборку в специальном приспособлении и сварку с последующей слесарной обработкой сваренных углов (снятие наплывов высту пов ) (1).

Недостатками способа являются низт, кая механическая прочность и низкая точность геометрических размеров кор- 1 пусов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ изготовления металлических корпусов микросхем, включающий изготовление заготовок из листового металлического материала, их сборку, раэмещение между ними ппастины легконлавкого металла,и нагрев заготовок с подачей защитного газа (2.).

Недостаток данного способе состоит в низком качестве корпусов микросхем.

Цель изобретения — повышение качества корпусов микросхем.

Поставленная цель достигаетСя тем, что в способе изготовления металлических корпусов внкросхем, включающем изготоваение заготовок иэ листового металлического материала, их сборку, размещение между ниии пластины легкоплавкого металла н нагрев заготовок с подачей защитного газа, нагрев заготовок производят до темпе ратуры to, причем t ф t„,„ ìàòåðèàла заготовок.

Пример . Прн изготовлении эксиериментапмвщ образцов по предлагаемому способу нроиэводят резку на гильотине заготовок из листового металла марки ВТ-1-0 толщиной 2 мм размера и 53@17 им, 51х17 мм, 143 х17 им и. 183я17 юе.

Формула изобретения

1

После зачистки и обезжиривания sa счет применения твердого припоя, свариваемых поверхностей производят приводящепо к образованию эвтектисборку заготовк в специальном приспо- ческого сплава с материалом соедисоблении, в процессе которой между няемых заготовок и позволяюшего исзаготовками помещают вырубленные по5 пользовать при изготовлении корпуса лости твердого припоя толщиной 20-. толстостенные заготовки из листового

30 мкм марки ПСР-72 (температура плав- материала; увеличение точности геоления 779©ф Далее проводят нагрев метрических размеров корпуса за счет заготовок на установке микроплазмен- применения твердого припоя, резко ной сварки типа МПУ-4 ° снижающего время изготовления и стеДля предотвращения окисления сое- пень тепловой деформации углового циняемых поверхностей и припоя опера- соединения; повышение технологичносцию осуществляют с подачей эащит- ти изготовления корпуса за счет исклюного газа (аргона) с внутренней сто- чения формовки заготовок и уменьшероны,углового соединения (со сторо- ния количества применяемой оснастки, нь! корня шва). применения простого технологического

В процессе соединения заготовок оборудования и использования труда при температуре вьппе 779 С начинается средней квалификации. расплавление припоя и растворение в Кроме того, предлагаемый способ нем титана с образованием низкотемпературной эвтектики.

20 изготовления корпусов по сравнению с известным способом механической

Появление расплава контактируюпПюх, обработки, обеспечивающим высокую металлов (титана и при=.оя) при срав- механическую прочность и точность нительно низкой температуре (800— изготовления, резко сокращает рас900 С) в зоне действия высокотемпе25 ход материала и снижает трудоемкость ратурной м кроплаэменной дуги (темпе- изготовления корпуса. ратура плазмы 10000-16000 С ) приводит к быстрому нарастанию количества жидкой фазы в зоне соединения и быстрому заполнению ею шва по всей толщине соединяемых заготовок. Это позво- Способ изготовления металлических

30 ляет производить качественное соеди- корпусов микросхем, включающий кение толстостенных корпусов. При изготовление заготовок из листового этом резко уменьшается зона термичес- металлического материала, их сборку, кого влияния сварочной дуги (умень- размещение между ними пластины легкошается ванна расплавленного металла) 35 плавкого металла и нагрев заготовок с

) возрастает скорость соединения за-, подачей защитного газа, о т л и ч аготовок (примерно в 2 pasa). Благо- ю шийся тем, что, с целью повыдаря последним факторам резко умень- шения качества корпусов микросхем шаются усадочные явления при охпажде- нагрев заготовок производят до темнии металла в шве и, соответственно, 40 пературы, причем to > t матев меньшей степени проявляется деформа- риала заготовок. ция соединяемых заготовок, повьппает- Источники информации, ся точность геометрических размеров принятые во внимание при экспертизе металлического корпуса. 1. "Обмен опытом в оадиопромьппПредлагаемый способ изготовления 4S ленности", 1977, 3 12, с. 31-32. герметичных металлических корпусов 2. Справочник паяльщика. Изд. З-е, для микросхем по сравнению с извест- переработанное и дополненное. И., ным обеспечивает повышение механи- "Иашиностроеиие", 1967, с. 251-253— ческой прочности и надежности корпуса, (прототип), Ъ

Составитель Е. Гаврилова

Редактор Т.Мермелштайн Техред А.Бабинец Корректор У. Пономаренко

Заказ 8345/78 Тираж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и .открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,

Способ изготовления металлических корпусов микросхем Способ изготовления металлических корпусов микросхем 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и их конструкции и может быть использовано для изготовления высокомощных транзисторов, тиристоров, диодов и других полупроводниковых структур

Изобретение относится к системам ультравысокого вакуума для обработки полупроводникового изделия, к геттерным насосам, используемым в них, и к способу обработки полупроводникового изделия

Изобретение относится к элементной базе микроэлектронной аппаратуры, а конкретно к однокристальному модулю ИС, и может широко использоваться при проектировании и производстве электронной аппаратуры различного назначения

Изобретение относится к разработке и производству аппаратуры на основе изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов и может быть широко использовано для контроля и отбраковки кристаллов ИС перед их монтажом в корпуса или многокристальные модули, а также для сборки кристаллов в корпусах или в составе многокристальных модулей

Изобретение относится к технологии плазмохимической обработки подложек, в частности пластин полупроводникового производства от микроэлектроники до силовой электроники

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводников

Изобретение относится к способам изготовления интегральных схем и к способам изготовления конденсаторов интегральных схем и к конденсаторам, изготавливаемым этими способами

Изобретение относится к электронному модулю, предназначенному, в частности, для установки в электронное устройство типа чип-карты
Наверх