Ферромагнитный запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации

 

Т.К. Цогоев, И.В. Гольдберг, Н.А. Воропаев

Э.А. Ильмъяров, М.Г. Гессен, Т.А. Котяг ва, =--В.А. Филимонов, И.Ç. Арасланов, С.А. Жигулин и И.Е. Васильев . (72) Авторы изобретения

Ф (7I ) Заявитель (54) ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

С НЕРАЗРУШАЮЩИМ СЧИТЫВАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в ЗУ с неразрушающим считыванием информации.

Известен ферромагнитный запоминающий элемент (ЗЭ) с неразрушающим счиS тыванием информации, содержащий пластину иэ ферромагнитного материала с двумя ортогональными отверстиями на один бит запоминаемой информации, про10 шитыми, обмотками выборки по записи и считЫванию и разрядной обмоткой 1).

Недостатком .этого ЗЭ является то, что на один бит записанной информации он имеет несколько отверстий и .

И сложную в изготовлении адресную обмоч ку.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является ферромагнитный ЗЭ с неразрушающим считыванием информации, который содержит, как и предложенный, пластину из феррита с прямоугольной петлей гистерезиса (ППГ) с отверстиями, выполненными у краев пластины и прошитыми раз- рядными обмотками, и адресную обмотку Г21 °

Недостатками известного 33 являются малая плотность размещения информации в связи с необходимостью для хранения единицы .информации разместить на пластине три отверстия (два отверстия крайних рядов и одно отверстие среднего ряда) и сложность технологии изготовления матриц на основе таких элементов в связи с необходимостью прошивки адресной обмотки четырех отверстий на один бит хранимой информации, причем направление прошивки представляет собой сложную зигзагообразную линию.

Целью изобретения является повышение плотности записи информации в известном ЗЭ.

Поставленная цель достигается тем, что предложенный 33 содержит слой ферромагнетика, например магнито диэлектрика типа ферроэпоксидиого ко871219 4 ствием тока адресной обмотки 5, приводит к появлению на разрядной обмотке 4 соответствующего отверстия положительного или отрицательного импу> льса напряжения считываемого сигнала.

Записанная информация при этом не разрушается.

Таким образом, предложенный ЗЭ имеет повышенную плотность записи информации.

Формула изобретения

Заказ 8444/24 Тираж 648 Подписное

B HIGH

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 мпаунда, .расположенный на противоположных сторонах пластины по всей ширине ее боковой поверхности, а адресная обмотка расположена по периметру пластины в средней части ее боковой поверхности под слоем ферромагнетика.

На чертеже изображен предложенный ЗЭ с иеразрушающим считыванием информации.

ЗЭ содержит пластину I из феррита с ППГ, первый ряд отверстий 2, второй ряд отверстий 3, разрядные обмотки 4, проходящие через эти отверстия, адресную обмотку 5 и слой ферромагиетика б,расположенный на противоположных сторонах пластины 1. .ЗЭ работает следующим образом.

Хранение одного бита информации осуществляется с помощью магнитного потока, замыкающего вокруг одного из отверстий пластины l. Запись "1" или

t5 l l

0 определяется направлением магнитного потока вокруг отверстия и осуществляется одним из известных способов записи, например способом записи информации в магнитные элементы типа

"биакс", основанный на подаче по разрядной обмотке тока с амплитудой, меньшей, чем ток трогания, с одновременной подачей по адресной обмотке

5 последовательности разнополярных импульсов тока, считывание информации производится путем подачи импульса тока по адресной обмотке 5, При этом взаимодействие магнитного потока, отображающего записанную информацию, и ортогонального ему магнитного потока, образующегося дейФерромагнитный запоминающий элемент с нераэрушающим считыванием информации, содержащий пластину из феррита с прямоугольной петлей гистерезиса с отверстиями, выполненными у краев пластины и прошитыми разрядными обмотками, и адресную обмотку, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения плотности записи информации, он содержит .слой ферромагнетика, например магнитодиэлеКтрика типа ферроэпоксидного компаунда, расположенный на противоположных сторонах пластины по всей ширине ее боковой поверхности, а адресная обмотка расположена по периметру пластины в средней части ее боковой поверхности под слоем ферромагнетика.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l. Авторское свидетельство СССР !! 566266, кл. G II С Il/08, !Я77.

2, Авторское свидетельство СССР !! 259963, кл. G 11 С 1!/08, 1970 (прототип).