Магнитный запоминающий элемент

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОИУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, I,: (и) 587503

Союз Советскик

Социалнстическмк

Респубпмк (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 0305.76(21) 2354654/18-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 050178. Бюллетень № l (45) Дата опубликования описания 0601.78

2 (51) М. Кл.

С, 11 С ll/08

Гоцдаротовнныо ноантвт

Соната Мнонотроо СССР оо донам нвоорвтвннй н отнрытой (5З) УДК 628.327.6 (088. 8) P2) Автор изобретения

A.0. Тимофеев (71) Заявитель

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина) (54) МАГНИТНЫЙ ЭАПОМИНИОЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится K цифровой вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах со структурой 2Д. 5

Известны магнитные запоминающие элементы.

Характерным недостатком большинства из них является необходимость ручной сборки матриц элементов. Су- 10 ществует несколько технологий, в рамках которых матрица изготавливается гф пповым методом.

Известен запоминающий элемент, приспособленный к групповому изготов- 15 лению на многоотверстной ферритовой пластине с печатными обмотками(1), Известен также запоминающий элемэнт, выполненный на 3-х отверстиях, прошитых через первое и третье отвер» 20 стия числовой обмоткой и через второе отверстие вЂ” раэрядйой обмоткой.

Недостатком элемента является амплитудное различие выходных импульсов напряжения 1 и 0 12). 28

Наиболее близким по технической сути к предложенному является магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину иэ материала с прямоугольной петлей гистерезиса с шестью от- З0 верстиями, расположенными в ряд и прошитыми двумя обмотками выборки соответственно через первое и шестое, третье и четвертое отверстия в противоположных направлениях, и разрядную обмотку.

Недостатком этого элемента является амплитудное различие импульсов 1 и 0 $3j °

Цель изобретения вЂ” повышение надежности элемента путем применения фазового различия в напряжениях 1 и 0 вЂ” достигается тем, что разрядная обмотка прошита через. второе и пятое отверстия в одинаковых направлениях.

На фиг. 1 графически изображен магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 вЂ” используемые магнитные состояния ° Магнитный запоминающий элемент (фиг.l) выполнен на участке 1 пластины 2 из материала с прямоугольной петлей гйстереэиса, содержащем

3-8 отверстий, расположенных в ряд и прошитых первой обмоткой выборки 9 через 3 и 8 отверстия в противоположных направлениях, разрядной обмотки 10 через 4 и 7 отверстия в одинаковых направлениях, второй обмоткой выбор58"503 смещения, в этом случае амплитуда тока J 1 должна быть соответственно увели ина. 1>о) мула и зоб ре те н и я

»/4 $ $ гй рт pi

1г 8, 1ро

Фиг. 1

@иг. г

Составитель В. Гордонова

Редактор И. Марховская Техред М. Келемеш Корректор А. Лакида

Заказ 142/39 Тираж УЙ Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва, Ж-35> Раушская наб. д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород., ул. Проектная, 4 ки 11 через 5 и б отверстия в противоположных направлениях.

Подача тока (1 В обмотку 9 приводит к надежному стиранию информации, так как элемент переходит в магнитное состояние C, показанное на фиг.2. В разрядной обмотке 10 наводится импульс напряжения 1 или 0 V> той или другой полярности в завйсимости от предыдущего магнитного состояния 1 или 0 (фиг.2). Запись информации выполня,ется в следующем такте при совместном действии тока (,подаваемого в обмотку 1 1 и одного иэ токов Э Зр подаваемого в обмотку 10 TQK >pp(3 1) нарушает баланс в магнитопроводе элемента и изменение магнитного потока центральной перемычки замыкается в основном вокруг левых (правых) трех отверстий и элемент попадает в состояние 0 (1 )

Предложенный элемент может хранить троичную информацию. Третье состояние возникает при отсутствии токов ). о,,; в момент действия тока.

При использовании элемента в запоминающем устройстве ток )1 может быть числовым током, ток 7 может быть числовым, разрядным илй общим.

Ток ) может быть постоянным током

Магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину иэ материала с прямоугольной петлей гистереэиса с шестью отверстиями, расположенными в ряд и ирошит13ми Двумя обмотками Выборки соответственно через первое и шестое, третье и четверто» отверстия в противоположных направлениях, и разрядную обмотку, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения надежности элемента, разрядная обмотка прошита через второе и пятое отверстия в одинаковых направлениях.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Заявка Р 2155895/24 от 10.07.75, по которой принято решение о выдаче авторского свидетельства.

2, Авторское свидетельство СССР

9 22592б, кл. C 11 С 11/14, 1974.

3. Заявка Р 2057955/18-24 от

9.09.74, по которой принято решение о выдаче авторского свидетельства.