Магнитный запоминающий элемент

 

! г j3

ПИСА Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (<1) 6 l4467

К АВТОРСКОМУ СВИДВТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. санд-ву (е2) 38884680 19.05.75(21) 2135944/18-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опублнковаио05.07.78. Бюллетень Ne 25 (51) М. Кл.

11 С 11/08

Государствеквмк квмвтвт

Совета 1вкнкстрвв СССР вв делан кэобрвтвввв н вткунатвм (53) УДК 681.327.6 (088.8) (45) Дата опубликования описанияФО.Q6. Я. (У2) Авторы изобретения

Е. П. Бепашов, А. И. Вод@хо, A. О. Тимофеев н Л. A. Шуминов

Ленкнт радскнй ордена Ленина электротехнический институт имени B. И . Ульянова (Ленина) (71) Заявитель (54) МАГНИТНИИ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Предлагаемый магнитный заномннающий элемент может найти применение в вычислительной технике и предназначен для использования в ЗУ, работающих на принципе координатной выборки информации. б

Известен магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с дву- . мя парами отверстий, одна из которых расположена вдоль горизонтальной осн симметрии пластины, а другая — вдоль вертикальной оси симметрии, и две обмотки, прошитые соответственно через каждую пару отверстий в противоположных направлениях 11).

Этот элемент предназначен для использования в накопителях с линейной выборкой информации. И

Известен магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластин; с тремя. парами отверстий, одна из которых:расположена вдоль вертикальной оси симметрии пластины, а две другие — вдоль горизонталь29 ной осн симметрии пластины, и три обмотки, прошитые соответственно через каждую пару отверстий в противоположных направлениях )2).

Недостатком этого элемента является низкое быстродействие, обусловленное нсполъзо-2S ваннем выборки методом геометрического совпадения токов, при котором считывание информации осуществляется за несколько тактов.

Целью изобретения является повышение быстродействия.

Эта цель достигается введением в предложенный элемент дополнительной пары отверстий, расположенной вдоль горизонтальной оси симметрии пластины. При этом отверстия прошиты четвертой обмоткой в противоположных направлениях.

На чертеже показан предлагаемый элемент.

Он содержит ферритовую пластину 1 с отверстиями 2. и 3, расположенными вдоль вертикальной оси симметрии пластины. Отверстия

4 — 9 расположены вдоль горизонтальной оси

-симметрично относительно точки пересечения осей. Первая обмотка 10 прошита через отверстия 2 н 3 в противоположных направлениях, вторая обмотка 1.1 — через отверстия 6 и 7 в противоположных направлениях, третья обмотка 12 — через отверстия 5 и 8, а четвертая — 13 через отверстия 4 и 9 в противоположных направлениях.

По обмоткам 11 н 12 подаются координатные токи выборки 1„ и 1„ соответственно, по обмотке 13 — постоянный ток смещения.

614467

Формула изобретения

Составитель 8. Гордонова

Тетред О. Луговая Корректор С. Гераснняк

Тв ам 7l7 Подписное

Редактор Л. Утехина

Заказ 37И 43 р

llHHHHH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Считывание осуществляется совместным действием двух координатных токов на фоне тока смешения.

Выборочная запись осуществляется методом ratchet — write. Быстродействие предлагаемого элемента повышено по сравнению с прототипом не менее, чем в два раза за счет уменьшения числа тактов выборки с двух до одного.

Прн использовании предлагаемо:.о элемента в составе накопителя с координатной выборкой и неразрушающим считыванием информации в каждый отдельный момент времени по полному гистерезнсному циклу перемагничиваются только элементы, принадлежащие выбранной числовой линейке (в прототипе по полному гистерезисному циклу перемагничиваются также элементы, принадлежащие нолувыбранным линейкам), что позволяет прн равном времени переключения существенно уменьшить напряженяе источника питания адресных формирователей, т.е. уменьшить потребляемую мощность.

Магнитный запоминаююший элемент, содержащий феррнтовую пластинку с тремя парами отверстий, одна нз которых расположена вдоль вертикальной оси симметрии пластины, à две другие — вдоль горизонтальной оси симметрия пластины, и трн обмотки, прошитые соответственно через каждую пару отверстий в противоположных направлениях, отличающийся тем, 1О что, с целью повышения быстродействия элемента, он содержит дополнительную пару отверстий, расположенную вдоль горизонтальной оси симметрии пластины и прошитую четвертой обмоткой в противоположных направлениях.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР № 2252?8, кл. G 11 С 11 08, 1969.

2. Заявка № 2121958/18 — 24, кл. G 11 С 11 08 .

ЛЭ 1972, по которой принято решение. о выдаче авторского свидетельства.