Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин

 

()875507

Союз Советских

Соцналистическмх

Респубпнк

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 2002.80 (21) 2884444/18-21 (5t)M. Кл.

Н 01 1 21/00 с присоединением заявки J%

Гввудврствеииый комитетСССР (23) Приоритет

Опубликовано 23.10.81. Бюллетень № 39

Дата опубликования описания 23.10.81 ию делам изооретеиий и открытий (53) УДК 621.382. .3.002.2 (088.8) (72) Авторы 1 изобретения

В. Б. Темкин, . Н. Н. Бураго,. В. А. Ермаков и Г тцсин (71) Заявитель (54) КАССЕТА ДЛЯ ЖИДКОСТНОЙ ОБРАБОТКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЬИ ПЛАСТИН

Изобретение относится к технологической оснастке, используемой при гидростатической обработке давлением полупроводниковых пластин: кремнеевых, германиевых и других, и может быть использовано для химической обработки

S и отмывки п/п пластин в приборостроении и других отраслях.

Известна кассета для групповой обработки полупроводниковых пластин, выполненная в -виде цилиндра с радиальными пазами, причем в каждой паре пазов один выполнен по образующей конуса, благодаря чему пластины любого диаметра находятся в устойчивом положении (1).

Однако в известной кассете отсутствует фиксатор для,надежной фиксации пластин от выпаIS дания при любом положении кассеты. Кроме того, большие габаритные размеры (больше двух диаметров пластин), обусловленные конструкцией кассеты, не позволяют применять ее для обработки пластин гидростатическим давлением.

Наиболее близкой к предлагаемой является

20 кассета для химической обработки и отмывки пластин, выполненная в виде ступенчатого цилиндра с осевым отверстием, имеющего на наружной цилиндрической поверхности каждой ступени кольцевую проточку, продольное сечение которой образовано параллельными прямыми, расположенными к пги корпуса под углом около

45 и сопряжеттт(ьтх в нижней части полуокружностью, причем сечение: каждого паза дня пластин образовано углублением на 1,5 — 2 мм вдоль всей образующей сечения кольцевой проточки, а фиксатор пластин выполнен в виде колпака, повторяющего форму корпуса, Корпус выполнен с перфорацией (2) . . Однако кассета имеет большие габариты и, кроме того, ее можно использовать для жидкостной обработки только в определенном фиксированном положении, в котором пластины расположены вертикально.

Цель изобретения — упрощение конструкции и повышение качества обработки пластин.

Поставленная цель достигается тем, что в кассете для жидкостной обработки полупроводниковых пластин, содержащей корпус с перфорацией, в котором выполнены гнезда для полупроводниковых пластин в виде пазов и крышку, корпус выполнен в виде полуцилиндра, а

3 8 пазы гнезд для полупроводниковых пластин выполнены трапецеидального профиля, и расположены под углом к образующей цилиндрической поверхности корпуса.

При этом угол расположения пазов к основанию полуцилиндра равен 70 — 75 .

На фиг. 1 изображен разрез собранной кассеты для жидкостной обработки полупроводниковых пластин; на фиг. 2 — разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 — разрез Б-Б на фиг. 2.

Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин содержит корпус 1, выполненный в виде перфорированного полуцилиндра, внутри которого по образующей профрезерованы трапецеидального сечения пазы 2 переменной . высоты, наклоненные под углом 70 — 75" к образующей цилиндрической поверхности корпуса.

К торцам корпуса винтами крепятся фланцы 3, в которые запрессованы держатели 4. Сверху на направляющие фланцев 3 устанавливается перфорированная крышка 5, повторяющая форму корпуса, которая от поворота вокруг оси фиксируется штифтом. Крышка удерживается сьемными фиксаторами 6, навинчивающимися на держатели 4.

После сборки кассета принимает форму перфорированного цилиндра, наружный диаметр которого всего лишь на 3 — 4 мм превышает диаметр пластин, загруженных в кассету, Перфорация 7 выполнена и на корпусе и на крышке.

Кассета работает следующим образом

Перед загрузкой кассета размещается в горизонтальном положении, отвинчиваются фиксаторы 6, снимается крышка 5 и пластины размещаются в лазах 2. После загрузки всех полупроводниковых пластин сверху устанавливается крышка 5, навинчиваются фиксаторы 6 и кассета готова к загрузке в камеру высокого давления. В камеру кассета загружается в вертикальном положении, но благодаря наклонной плоскости каждой пластины (под углом 79 —.75 к образующей) при заполнении камеры рабочей жидкостью, воздух полностью вытесняется через перфорацию 7, тем самым обеспечивается надежный контакт рабочей жидкости с полущмэодниковыми пластинами.

75507 4

Зазор между торцами пластин и крышкой составляет 1 — 1,5 мм. Поэтому при любом положении кассеты, пластины не выпадают из своих ячеек. Кассета может надежно работать как в вертикальном, так и в jfopH30HT8llbHQMt положениях и предусматривает использование ее с пластинами диаметром 40, 60, 75 мм.

Конструкция кассеты в целом является типовой, а ее детали в значительной степени унифиlO цнрованы между собой. Технология ее изготовления проста и не требует специального оборудования.

Применение предлагаемой кассеты по сравнению с- известными, дозволит использовать ее щ для обработки полупроводниковых пластин высоким гндростатическим давлением. Это позволит улучшить статические и динамические характеристики полупроводниковых приборов и увеличить выход годных на 2 — 3%.

Кассета может быть использована дпя химической обработки и отмывки п/п пластин в электронной промышленности.

Формула изобретения

1. Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин, содержащая корпус с перфорацией, в котором выполнены гнезда дпя полупроводниковых пластин в виде пазов и крышку, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения качества обработки пластин, корпус выполнен в виде полуцилиндра, а пазы гнезд для полупроводниковых пластин выполнены трапецеидаль - ного профиля и расположены под углом к образующей цилиндрической поверхности корпуса.

2. Кассета по и. 1, отличающаяся тем, что угол расположения пазов к основанию полуцилиндра равен 70 — 75 .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР У 203788, кл. Н 01 1 21/00, 1966.

2.-Авторское свидетельство СССР У 457125, кл. H 01 1 2/00, 1971,(прототип).

875507

4-Л

Фаад

Составитель Л. Гришкова

Техред И.Асталощ Корректор В. Синицкая

Редактор А. Шандор

Заказ 9368/80 - Тираж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх