Ждущий мультивибратор

 

Союз Соввтскик

Соцмапнстичвскн«

Респубпнк

<и>886220

ОП КСАН ИЙ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (8i ) Дополммтельное к авт. свнд-ву(22) Заявлено 30.11.79(21) 2845366/18-21 с прмсоеднненнем заявкн М(23) ПрмормтетОпублнковано 30.11.81. бюллетень _#_s 44

Дата опублнкованн» опнсання03.12.81

{5! )М. К,я.

Н 03 К 3/335

Веударетаеай квинтет

CCCP ав ааяап нее«рата«ив н ат«ркткя

{53) УДК 621. ,.373.531 (088.8) А. А. Новоселов, Л, А. Собко. н М. М. Черкасов (72) Авторы мзобретення (Vt) Заявмтель (54) ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в электронной аппаратуре s качестве формиI рователя задержки импульсов различной длительности или временных интервалов.

Известен одновибратор, выполненный из транзисторных h -р - 5 типа, с резисторной связью с коллектора нормально открытого транзистора на базу нормально закрытого транзистора и времязадакяцим

10 конденсатором, подключенным к коллектору нормально закрытого транзистора Щ

Недостатками этого одновибратора являются малый коэффициент перекрытия длительности генерируемых импульсов и

1$ большое время восстановления.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является ждуший мультивибратор на транзисторах p- h - р типа с резисторной связью с коллектора нормально закрытого на базу нормально открытого транзистора,.времязадакяцим. конденсатором, подсоединенным к коллектору нормально закрытого транзистора и

2 двухбазовым диодом, включенным электродом во времюадающую цепь, первая баI эа amopopo через резистор соединена с отрицательным полюсом источника пита.ния и через конденсатор и диод с базой нормально закрытого транзистора, а вторая база соединена с обшей шиной. Этот ждущий мультивибратор обладает малам временем восстановления и позволяет получать импульсы большой длительности 2 .

Однако схема известного мультивибратора сложна, что снижает надежность устройства. Кроме того, схема включения двухбазового диода такова, что он постоянно находится под напряжением и потребляет значительную долю мощности, потребляемой мулътивибра тором.

Цель изобретения - упрощение схемы, повышение ее надежности и уменьшение энергопотребления.

Поставленная цель достигается тем, что в ждущем муль гивибраторе иа транзисторах е -и -h типа с резисторной связью с коллектора нормально закрытого

М6220

Ждущий мультивибратор на транзистозо рах n - р - e типа с резисторной связью. с коллектора нормально закрытого транзистора на базу нормально открытого транзистора, времязапакяцим конденсатором, подсоединенным к коллектору нормально закрытого транзистора и пвухбазовым диодом., включенным эмиттером во времяэадающую цепь, о т л и ч а ю— ш и и с я тем, что, с целью упрощения схемы, повышения ее надежности и умень4О щения энергопотребления, первая база двухбазового диода через резистор подсоединена к базе нормально открытого транзистора, а точка соединения времязадающего конденсатора и нагрузочного резиотора, стоящего в цепи первой базы пвухбазового диода, лодсоединена к коллектору нормально закрытого транзистора.

2. Хамблет М. Получение импульсов

55 большой длительности с помощью мультивибратора на двухбазовых диодах.-"Электроника", 1962, No 26, с. 53. транзистора на базу нормально открытого транзистора, времяэадающим конденсатором,, попсоединенным к коллектору нормально закрытого транзистора, и двухбазовым диодом, включенным эмиттером aо времяза» дакхцую цепь, первая база двухбаэового диопа через резистор .подсоединена к базе нормально открытого транзистора, а точка соединения времязадаюшего конденсатора и нагрузочного резистора, стоящего в це- 10 пи первой базы двухбазового диода, подсоедииена к коллектору нормально закрытого транзистора.

На чертеже представлена схема ждущего мультивибратора. 15

Ждуший мультивибратор содержит и -р -.e тTр анmз3иmсcт оoрp ы 1l -2, включенные по схеме с обнсим зммттером, двухбазовый диод 3, резистор 4 и конденсатор 5, включенные последовательно между кол- 2о лектором транзистора 2 и положительным полюсом источника питания, резистор 6, включенный между коллектором транзистора 2 и первой базой двухбазового диода, резистор 7, включенный между этой 25 же базой и базой транзистора 1, и резистор 8, включенный между коллектором 1 и базой транзистора 2..

Жпуцщй мультивибратор работает следующим образом.

В исходном положении транзистор 1 открыт, транзистор 2 закрыт, двухбаэовый диод 3 и времязадающая цепь, состоящая иэ резистора и конденсатора

5, обесточены. При подаче на вход ждущего . мультивибратора положительного запускающего импульса транзистор 2 открывается, что вызывает закрывание транзистора 1. Двухбазовый диод 3 и времяэадающая цепь, состоящая из резистора 4 и конденсатора 5, через открытый транзистор 2 подключается к отрицательному полюсу источника питания и конденсатор

5 начинает заряжаться по цепи: плюс источника питания, резистор 4, переход коллектор-эмиттер транзистора 2, минус источника питания . Напряжение на эмиттере двухбазового диода 3 растет и при достижении порогового значения он открывается. Конденсатор 5 разряжается через резистор 6 и на базу транзистора 1 через резистор 7 поступает положительный импульс, что приводит к открыванию транзистора 1 и закрыванию транзистора 2.

При этом схема приходит в исходное состояние.

Время восстановления схемы определяется постоянной времени разряда конпенсатора 5 через резистор 6. Сопротивление этого резистора можно сделать достаточно малым без ухудшения качественных характеристик работы схемы. Длительность генерируемых импульсов определяется постоянной времени заряда конденсатора 5 через резистор 4. Сопротивление резистора

4 можно выбирать в широких препелах ввиду весьма малого тока эмиттера, необходимого для срабатывания двухбазового диода, чем и обеспечивается большой коэффициент перекрытия по длительности.

Энергопотребление схемы предлагаемого мультивибратора меньше., чем извест ного, так KBK двухбазовый диод в исходном состоянии отключен от одной из шин питания, а в рабочем цикле он служит в качестве коллекторного резистора для соответствующего транзистора и дополнитель- ной мощности не требует.

Кроме того, пенная схема имеет значительно меныцее число элементов по сравнению с известной,что существенно повышает ее надежность.

Формула иэобрет ения

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l. Расчет схем на транзисторах.

Перевод с англ. К. Г. Меркулова и др.

М., Энергия", 1969, с. 426.

886220

Составитель Н. Ферапонтова

Редактор А. Лежнина Техред И..Гайду Корректор Г- Ð

Заказ 1 0558/76 Тираж 991 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4