Способ измерения теплового сопротивления тиристоров

 

<»890279

Союз Советских

Социалистических

Респубпмк

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22)Заявлено 14.02.80 (21) 2883207/18-25 с присоединением заявки J% (23) П рнорнтет

Опубликовано 15.12.81. Бюллетень И 46

Дата опубликования описания 15 (51)М. Кл.

G 01 R 31/26

3ееудоротвеииый комитет

СССР (53) УДК 621.382, .3(088.8) до делам изобретений и открытий

Севастопольский приборостроительный институт — -----(71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ТИРИСТОРОВ

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано для определения теплового сопротивления тиристоров.

Известен способ измерения твплового сопротивления тиристоров. заключаю- щийся в определении повышения температуры р-и-перехода путем измерения изменения падения напряжения на этом переходе после разогрева полупроводникового прибора известным током (1), 10

Однако этот способ обладает низкой точностью, так как изменения напряжения составляют незначительный процент от абсолютной величины

t5 самого напряжения.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ измерения теплового сопротивления тиристоров, включающий пропус20 канне через испытуемый тиристор импульса греющего тока, подачу изме" рительного анодного тока и измерение времени выключения (2 j

Однако этот способ позволяет оп-: ределить перегрузочную способность тиристоров и тепловое сопротивление, соответствующее максимально допусти" мой температуре структуры, что ограничивает его применение при импульсах греющего тока, лежащих в рабочей области испытуемого тиристора.

Целью изобретения является сокращение времени измерения °

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измерения теплового сопротивления тиристоров, включающему пропускание через испытуемый тиристор импульса греющего тока, подачу измерительного анодного тока и измерение времени выключения,. в качестве измерительного тока используют серию возрастающих по амплитуде импульсов, измеряют время выключения после каждого импульса серии, прекращают нарастание амплитуды измерительных импульсов в момент, 8902

Тсп -(Тсп -Тк)

Vi1

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 10963/73 Тираж 735 Подписное филиал ППП "Патент", г.ужгород,ул.Проектная, 4,когда время выключения испытуемого тиристора достигает заданной величины, фиксируют амплитуды измеритель. ных импульсов, соответствующие этому, моменту до и после воздействия импульса греющего тока., и по отношению амплитуд определяют измеряемый параметр.

Способ измерения теплового сопротивления тиристоров осуществляют следующим образом., te

Перед началом измерений температура всех областей установленного на теплоотвод тиристора постоянна и равна температуре корпуса Т„, которая равна температуре окружающей среды. у

Сначала через тиристор пропускают серию коротких возрастающих по амплитуде анодных импульсов, и фиксируют амплитуду анодного импульса, после прохождения которого время остывания включенной области до температуры собственной проводимости достигает ъ некоторой заданной величины -п, которое фиксируют по моменту восстановления тиристором блокирующих своиств, д . считая от момента окончания анодного импульса, т.е. по моменту его выключения. Во время прохождения каждого из анодных импульсов температура включенной области достигает значений, превышающих температуру собственной проводимости кремния, т.е. включенная область является проводящим шнуром и тиристор восстанавливает свои блокирующие свойства (выключается) лишь в момент остывания са3% мой .горячей точки этого шнура до температуры собственной проводимости. Зафиксировав таким образом амплитуду некоторого анодного импульса1 щ ао прогревают тиристар некоторым греющим током I, вызывающим падеwe напряжения на тиристоре U a течение времени, достаточного для полного прогрева кристалла тиристора.

При этом всегда можно выбрать такой теплоотвод, при котором температура корпуса тиристора останется с требуемой степенью точности постоянной. После этого прогрева через тиристор вновь пропускают серию анодных импульсов, и находят значе79

4 ние анодного импульса 1 > после прохождения которого время остывания включенной области достигает . того же значения Ър . Тепловое сопротивление тиристора определяют по формуле где Т и - температура собственной проводимости кремния.

Предлагаемый способ позволяет измерять тепловое сопротивление любых типов тиристоров при любых значениях температуры корпуса без предварительных калибровок, что значительно сокращает время измерения.

Способ измерения теплового сопротивления тиристоров, включающий пропускание через испытуемый тиристор импульса греющего тока, подачу измерительного анодного тока и измерение времени выключения, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью сокращения времени измерения, в качестве измерительного тока используют серию возрастающих rio амплитуде импульсов, измеряют время выключения после каждого импульса серии, прекращают нарастание амплитуды измерительных импульсов в момент, когда время выключения испытуемого тиристора достигает заданной величины, фиксируют амплитуды измерительных импульсов, соответствующие этому моменту до и после воздействия импульса греющего тока, и по отношению амплитуд определяют измеряемый параметр.

Источники информации принятые во внимание при экспертизе

1. -Патент Великобритании И 1468161, кл. G 1 И., опублик. 1977.

2. Авторское свидетельство СССР

11 716008, кл. G 01 R 31/26, 1979 (прототип) .

Способ измерения теплового сопротивления тиристоров Способ измерения теплового сопротивления тиристоров 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх