Фотоэлектронное устройство

 

Союз Советсиик

Социалистические

Рвспублни

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ () )) 892525

1

rr (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (51)М. Кл.

Н 01 43/00 (22)Заявлено 07.12.79 (2l) 2848092/18-21 с присоединением заявки М

Государственный коиитет

СССР ао делен изобретений н открытий (23) П риоритет

Опубликовано 23,12 81 Бюллетень № 47

Дата опубликования описания 25. 12.8 1 (53) УДК 62 1.385. .832 (088.8) (72) Автор изобретения

Л. Н. Федоров

1

-р(7I ) Заявитель (54) ФОТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в устройствах с фотоэлектронными умножителями (ФЭУ) .

Известно устройство, содержащее ФЗУ с делителем напряжения и устройство для регулировки усиления ФЭУв зависимости

or внешних шумов jl 3

Недостаток известного устройства состоит в его сложности инерционности регулирования усиления.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является фотоэлек тронное устройство, содержащее фотоэлектронный умножитель с делителем напряжения, звенья которого шунтированы тран35 зисторами (2. )

Недостатки известного устройства заключаются в его сложности, большом количестве транзисторов, не учавствующих в

20, усилении сигнала, и значительной инерционности во .становления чувствительности.

Бель изобретения - упрощение схемы регулирования чувствительности фотоэлектронного умножителя и уменьшение инерционности регулирования путем сокращения числа транзисторов, а также повышение усиления фотоэлектронного устройства по выходному сигналу.

Бель достигается тем, что в фотоэлектронном устройстве, содержащем фотоэлектронный умножитель с делителем напряжения, звенья которого шунтированы транзисторами, база транзистора, шунтирующего последним каскад усиления фотоэлектронного умножителя, соединена с анодом фотоэлектронного умножителя, а в эмиттерно-коллекторную цепь транзистора включен сигнальный резистор.

Кроме того, с целью изменения чувствительности по пог.тоянному току or шумов засветки, анодная нагрузка зашунтирована входами диодно-резисторной цепи, выход которой через резистор подключен к источнику управляющего напряжения, На чертеже принципиальная схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит фотоэлектронный у ь () 1 с s.EaogaMH 2 и 3 питания, делитель 4 и 5 напряжения, усилитель (транзистор) 6, сигнальную нагрузку 7, резисторно-емкостный делитель 5

8, аиодную нагрузку 9, диодно-резисторную цепь 10, 11 и 12, резистор 13 для подачи напряжения смещеиия.на базу транзистора.

Усилитель в простейшем виде соцержит транзистор p- < -р, база которого непосредственно подключена к аноду ФЭУ, коллектор - к диноцу, а эмиттер через нагрузочные резистор 7 — к общему вывору 3. В качестве усилителя может использоваться и полевой транзистор. Непосредственное подключение вывоцов транзистора к аноду и динопу ФЗУ применяется, когда необходимо иметь малый уровень шумов засветки. 20

Если допускается более высокий уро вень шумов засветки, ФЗУ, то база транзистора может быть связана с анодом

ФЗУ через конденсатор. B этом случае может быть использован также и-р- и

25 транзистор. Нагрузка 7 может быть включена как в эмиттер, так и в коллекторной цепи транзистора. Если допустимое напряжение транзистора меньше напряжения звена целителя 5, то питание транзистора 30 осуществляется от резисторнс емкостного целителя 8, подключенного параллельно звену 5; Смещение на базу транзистора подается через резистор 13.

В обоих вариантах уровень ограничения шумов ФЗУ устанавливается изменением нагрузки ФЗУ по постоянному току резисторами 9 и 12. Автоматическое изменение анорной нагрузки осуществляется подачей напряжения положительной полярности на резистор 11.

Зашита от шумов засветки обеспечивается выбором величины резисторов 9 и

12 и происхопит следующим образом.

Если вывоцы транзистора попключены 4

45 непосредственно к аноду и диноцу ФЗУ, то при увеличении тока ФЗУ транзистор шунтирует звено делителя 5, и оцновременно увеличивается напряжение на анод ной нагрузке ФЗУ. Пока напряжение на

50 циноде относительно анода большое, чувствительность изменяется мало, но при уменьшении этого напряжения чувстви-тельность начинает резко изменяться, шумы ФЭУ начинают падать. При снятии засветки чувствительность ФЗУ почти мгновенно восстанавливается, так как к анопу ФЗУ подключены только маленькие паразитные емкости.

Наиболее быстрое ограничение шума может быть получено при непосредственном подключении полевого транзистора. В этом случае анопная нагрузка может быть выбрана очень большой, и ограничение шу мов наступает при сравнительно небольших уровнях засветки.

Когда требуется ограничить шумы при больших уровнях засветки, базу транзистора подкточают через конденсатор и уменьшают величину анопной нагрузки, Для автоматического изменения нагрузки шунтирующий резистор 12 подключен че.рез диод, на который подано положительное напряжение. Диод открыт и резистор

12 шунтирует резистор 9. При снятиии напряжения диод закрывается и сопротивление нагрузки увеличивается..

Предлагаемое устройство позволяет упростить схему регулирования аноцной чувствительности ФЭУ по шумам засвеэки, уменьшить инерционность работы и повысить чувствительность устройства за счет использования транзистора цля усиления сигнала. Дополнительный положительный эффект состоит в нацежности работы цепей регулирования чувствительности, Формула изобретения

Фотоэлектронное устройство, содержащее фотоэлектронный умножитель с целитетелем напряжения, звенья которого шунтированы транзисторами, о т л и ч а ющ е е с я тем,что, с целью упрощения схемы регулирования чувствительности фотоэлектронного умножителя и уменьшения инерционности регулирования путем сокращения числа транзисторов, а также повышения усиления фотоэлектронного устройства по выходному сигналу, база транзистора, шунтнрующего последний каскад усиления фотоэлектронного умножителя, соединена с анодом фотоэлектронного умножителя, а в эмиттерно-коелекторную цепь транзистора включен сигнальный резистор.

2. Устройство по п,1, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью изменения чувствительности по постоянному току от шумов засветки, анорная нагрузка зашунтирована входами диодно-резисторной цепи, выход которой через резистор подключен к источнику управляющего напряжения, Ф

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Аверьянов Т. А. и пр. Автоматическая регулировка усиления по шумам в

892525 4

;схемах с фотоэлектронными умножитвля ми. ОМП, M 11, 1968, с. 15-20.

2. Патент США N 3321629, кл. 250-207р опублик. 1964 (прототип).

Составитель Е. Пчелов реаеккор Н. Пвавренко Техрев Н. ГайдУ Коррекоор,П. Бокшвн

Зеков 11268/76 Тнрвж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„а, 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4