Устройство задержки

 

ОПИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТВЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистических

Рес убник

< 894845 (6! ) Дополнительное к авт. саид-ву

М Клз

Н 03 К 5/13 (22) Заявлено 070580 (23)2919339/18-21

Ф с присоединением заявки ¹â€”

Гесударствекнмй квинтет

СССР лв леааи язобретения а отармткя (23) Приоритет

Опубликовано 301281 Бюллетень И948

Дата опубликования описания 30.12,81 (5 () jjfgP(621.318

5 (088. 8) (72) Автор. изобретеиия

И.И. Обод (71) . заявитель (54) УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ подвижным контактом переменного резистора, который включен между коллектором полупроводникового пентода и общей шиной а база транзистора соединена через пятый резистор с коллектором полупроводникового пентода f21, НедОстатком этого устройства эадер ккц является сравнительно низкая стабильность. .Цель .изобретения — повыаение стабильности.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство задержки, содержащее транзистор, полупроводниковый пентод, конденсатор и пять резисторов, эмиттер транзистора соединен

c ïåðâûì эмиттером полупроводникового пентода и общей шиной, которая через конденсатор соединена с первой базой полупроводникового пентода, которая через первый резистор соединена с -. коллектором полупроводникового пен тода, который через второй резистор соединен с шиной питания, которая через третий резистор соединена с коллектором транзистора, который через четвертый резистор соединен с второй базой полупроводникового пентода, второй эмиттер которого соедиИзобретение относится к импульсной технике и может использоваться в автоматике и измерительной те1сниКе.

Известно устройство задержки, содержащее транзистор и-р-и проводимос- ти, коллектор которого подключен к катоду параметрического стабилизатора напряжения, эмнттер — к минусовой

Шине Источника питания, а база через ® резистор .и .конденсатор к плюсовой: .шине источника питания (l) .

Иедостаток этого устройства сравнйтельйо йизкая стабильность.

Известно также устройство задержки, содержащее транзистор, полупро- 15 водииковый.пентод, конденсатор и пять резисторов, эмиттер транзистора соединен с первым эмиттером полупроводникового пентода и общей шиной, которая через конденсатор соединена с Ю первой базой полупроводникового пентода, которая через первый резистор соединена.с коллектором полупроводникового,пентода, соединенного через второй резистор с шиной питания, которая через третий резистор соединена с коллектором транзистора, через .четвертый резистор соединенный с второй базой полупроводникового пейтода, второй .эмиттер которого соединен с 30

894845 нен с подвижным контактом переменного резистора, который включен между коллектором полупроводникового пентода и общей шиной, а база транзистора соединена через пятый резистор с коллектором полупроводникового пентода, введены дополнительный транзистор и дополнительный резистор, эмиттер дополнительного транзистора соединен с общей шиной, коллектор дополнительного транзистора соединен с первой базой полупроводникового пентода, а база дополнительного транзистора соединена через дополнительный резистор с коллектором транзистора.

На чертеже показана структурная схема устройства задержки. 15

Устройство задержки содержит транзистор 1, полупроводниковый пентод

2, конденсатор 3, пять резисторов 48, дополнительный транзистор 9 и дополнительный резистор 10. Эмиттер - . щ транзистора 1 соединен с первым эмиттером полупроводникового пентода 2 и общей Шнной 11, которая через конденсатор 3 соединена с первой базой полупроводникового пентода 2, которая через первый резистор 4 соедине:на с коллектором полупроводникового пентода 2, который через второй резистор 5 .соедйнен с шиной 12 питания, которая через третий резистор б.соединена.с коллектором транзистора 1, ЗО который через четвертый резистор 7 соединен с второй, базой полупроводникового пентода 2, второй эмиттер которого соединен с подвижным контаКтом переменного резистора 13, который 35 включен между коллектором полупроводникового пентода 2 и общей шиной 11, а база транзистора 1 соединена через пятый резистор 8 с коллектором полупроводникового пентода 2, эмиттер gg дополнительного транзистора 9 соединен с общей шиной 11, коллектор дополнительного транзистора 9 соединен с первой базой полупроводникового ° пентода 2, а база дополнительного транЗистора 9 соединена через дополнитель(и резистор 10 с коллектором транзистора 1.

Устройство задержки работает следующим образом.

Транзистор 1, полупроводниковый N пентод 2 и резисторы 5-8 образуют триггер, резистор .9 образуют RC-цепь, переменный резистор 13 служит для установки опорного напряжения, а 1 транзистор 9 и резистор 10 образуют ключ. В исходном состоянии транзистор 1 закрыт, а пентод 2 и транзистор 9 открыты и насыщены. Напряжение на конденсаторе 3 практически равно нулю.

При поступлении импульса запуска бо на базу транзистора 1 пентод 2 и транзистор 9 закрываются, а транзистор 1 открывает я и насыщается. Конденсатор 3 начинает заряжаться. При

-достижении напряжения на нем величины напряжения включения пентода 2 последний включается и разряжает конденсатор 4. Триггер переключается в первоначальное положение. С приходом следующего импульса запуска процесс работы устройства повторяется.

Применение транзисторного ключа позволило скомпенсировать остаточное напряжение на конденсаторе 3, которое остается от предыдущего цикла работы и величина которого является ненормированной величиной, существенно меняющейся при смене образцов пентодов или изменении температуры. Это и позволило повысить стабильность времени задержки.

Формула изобретения

Устройство задержки, содержащее транзистор, полупроводниковый пентод, конденсатор и пять резисторов, эмиттер транзистора соединен с первым эмиттером полупроводникового пентода и общей шиной, которая через конденсатор соединена с первой базой полупроводникового пентода, которая через.. первый резистор соединена с коллектором полупрОводникового пентода, который через второй резистор соединен с шиной питания, которая через третий резистор соединена с коллектором транзистора, который через четвертый резистор соединен с второй базой полуПроводникового пентода, второй эмиттер которого соединен с подвижным контактом переменного резистора, который включен между коллектором полупроводникового пентода и общей шиной, а база транзистора соединена через пятый резистор с.коллектором полупроводникового пентода, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения стабильности, в него введены дополнительный транзистор и дополнительный резистор, эмиттер дополнительного транзистора соединен с.общей шиной, коллектора дополнительиого транзистора соединен с перво 1 базой полупроводникового пентода, а база дополнительного транзисто ра соединена через дополнительный резистор с коллектором транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство CCCP

9 486394, кл. Н 01 Н 47/18, 1975.

2. авторское свидетельство СССР

Ф 7 8905, кл, H H 5/13, 1980 (прототип) .

894845

Составитель О. Скворцов

Техред С.Иигунойа Корректор Г. Огар

Редактор И. Ковальчук

Филиал ППП Патент,,г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 11508/85 Тираж 991 Подписное

ВНИИПИ Государственногокомитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5