Способ изготовления селеновых электрофотографических пластин и устройство для его осуществления

 

()918926

Союз Советски к

Социалнстичесинк . Республик

ОЛ ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (22)Заявлено 08.08.80 (21) 2972416/28-12 (51)М. Кл. с присоединением заявки №G 03 G 5/08

G 03 G 15/00

Гееударстеелкый квинтет

СССР

IIo делам кзобретеикй и открыткй (23)Приорнтет(53) УД К 772. 93 (088. 8) Опубликовано 07 ° 04 ° 82 Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 07.04.82 (54) .СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЫХ

ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ ПЛАСТИН

И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Изобретение относится к электрофотографии, конкретно к изготовлению электрофотографических слоев.

Известен способ изготовления селеновых электрофотографических пластин, заключающийся в напылении селена на подложку.

Устройство для изготовления электрофотографических пластин по известному способу представляет собой ва, tO куумную камеру с испарителями селена (1) .

Недостатком известного способа является низкое качество выпускаемых ! электрофотографических пластин, npotj являющее в большой утомляемости при их эксплуатации, недостаточной плот.ности получаемых копий.

Цель изобретения - повышение качества селеновых электрофотографических пластин.

Указанная цель достигается тем, Ф что согласно способу изготовления селеновых электрофотографических пластин, заключающемуся в напылении на подложку селена, перед напылением слоя селена производят нанесение подслоя с переменной концентрацией паров трехселенистого мышьяка. Устройство для изготовления электрофотографических селеновых пластин, содержащее вакуумную камеру с испарителями трехселенистого мышьяка, имеет переменные по высоте перегородки, расположенные между испарителем с трехселенистым мышьяком и испарителем с селеном для получения зоны переменной концентрации паров трехселенистого мышьяка.

На- чертеже показана принципиальная схема устройства для изготовления селеновых электрофотографических пластин.

Способ изготовления электрофото; графических пластин реализуется при передвижении подложки-основы 1 над испарителями 2 и 3 в вакуумной камере 4 с системой вертикальных перегоФормула изобретения

1. Способ изготовления селеновых электрофотографических пластин, заключающийся в напылении на подложку селена, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пластин, перед напылением слоя селена производят нанесение подслоя с переменной концентрацией паров трехселенистого.мышьяка.

2, Устрейство для изготовления селеновых электрофотографических пластин по и. 1, содержащее вакуумную камеру с испарителями трехселенистого мышьяка, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества электрофтографических пластин, оно имеет переменные по высоте перегородки, расположенные между испарителем с трехселенистым мышьяком и испарителем с селеном для получения переменной концентрации паров трехселенистого мышьяка.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Электрофотография и магнитография, Вильнюс, 1965, с.108-119.

3 91892 родок 5 путем конденсации паров кристаллизационно стойкого трехселенисто,го мышьяка 6, смеси его с селеном 7, образовавшегося в вакуумной камере в области щели 8 системы перегородок, отделяющих испарители с. напыляемыми полупроводниками, причем концентрация селена по направлению передвижения подложки постоянно увеличивается от нуля до 1003. 1О

За один технологический цикл очищенную известным способом дюралюминиевую подложку-основу 1 предварительно нагревают до 345-360 К, затем подают в,вакуумную камеру непрерывнего ts действия 4 и с постоянной скоростью

1последовательно передвигают над испарителем с трехселенистым мышьяком 2, а затем с селеном 4. Эти испарители . в вакуумной камере отделены системой перегородок 5, выполненной в виде вертикально расположенных пластин, высота которых линейно возрастает в направлении движения пластин. В результате этого цикла на подложке напыляются три слоя: первый подслой трехселенистого мышьяка толщиной

0,5-3 мкм, промежуточный слой толщиной 1-5 мкм, состоящий из смеси трехселенисто о мышьяка и селена, в котором концентрация избыточного селена увеличивается от нуля в контакте с подслоем до 1003 и верхний слой аморфного селена 40-80 мкм, испаряемого из расплава нагретого до

530-560 К.

Необходимые параметры промежуточного слоя обеспечиваются системо ь перегородок 5, состоящей из 5-6 вертикально расположенных пластин на расстоянии 50-70 мм друг от друга, ю высота которых линейно возрастает в направлении движения кассет с подложками 1, а высота щели 8, между верхней частью вертикальных пластинок 5 и подложкой-основой 1, умень6 4 шается от 30-50 мм со стороны испарителя трехселенистого мышьяка, т.е. в начале щели, до 10-20 мм - в его конце. Щель с переменной высотой необходима для получения промежуточного слоя с заданным градиентом распределения отдельных компонент напыляемых полупроводников, так как локальная скорость испарения и давление паров в зоне испарителя с трехселенистым мышьяком много меньше, чем в зоне испарителя с селеном, Предлагаемый способ и устройство позволяют получить селеновые электрофотографические пластины высокого качества.

918926

Составитель В. Казанцев

Редактор Н.Рогупич Техред 3,фанта КорректорА.Дзятко

Заказ 2139/32 Тираж 489 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

11303$, Москва, N-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óæãîðîä, ул.Проектная, 4