Патент ссср 826265

 

Сеюэ Советеиик, Социапиетичеекил

Рве убли

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (((626265 (6l) Дополнительное к авт, свил-ву (22) Заявлено 01.08.79 (2! )2806034/28-12 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 30.04.81. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 30.04.81 (51)M. Кл;

G 03 G 5/00

Веуддрвтввнный квинтет

СЕСР не делан нзабретеннй н вткрытнй (53) УЙ3(772 93 (088.8) Н. М. Гальвидис, И. И. Жилевич и В. Г . Чепейко1

;"к;

Научно-исследовательский институт э ктрогра(рии:,". ;-,-"., и Специальное конструкторское бюро гтехЩтки;:;,(72) .Авторы изобретения

I ! ! (I .».;. л (71) Заявители (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОЙ

ПЛАСТИНЫ

Изобретение относится к электрофотографии, в частности дпя изготовления селе новых эпектрофотографических пластин.

Наиболее близким к предлагаемому яв ляется способ изготовления сененовых электрорентгеновских пластин, который

5 заключается в том, что подложку из алюминиевого сплава после механической и химической подготовки прижимают к рабо-. чей поверхности термостата и осуществпято ют вакуумное напыление сепена на подложку при 75-100 С до образования напыленного слоя толщиной 300-500 мкм 1

Недостатком известного способа изготовления пластин является слабая прочность селенового слоя, который из-за меньшей, чем у подложки, температурной усадки оказывается в напряженном состоянии при снижении температуры пластины до нормальной. Дальнейшее понижение тем пературы (хранение или тпанспортировка при низких температурах) приводит к необратимым остаточным деформациям слоя

aего порче.

Цель изобретения — улучшение качества пластины путем повышения прочности селенового покрытия при низких температурах.

Указанная цель достигается тем, что во время вакуумного напыления селена на подложку из алюминиевого сплава, ее под. вергают упругой деформации путем прижима к выпуклой сферической поверхности термос тата.

Сепеновые апек трофотографические пластины изготавливают следующим образом.

Лист из алюминиевого сплава после механической и химической подготовки изгибают путем прижима к выпуклой сферической поверхности термостата вакуумной камеры, нагревают подложку до 70-90 С о и наносят селеновый слой испарением в вакууме со скоростью 3-4 мкм/мин, доводят толщину слоя до 350-450 мкм при расстоянии от испарителя, движущегося со скоростью 0,2-0,5 см/c, Ао подложки

20 см. После завершения напыления селе

Х. Способ изготовпения електрофотографической пластины, включающий поджа» тие подложки из алюминиевого сплава к рабочей поверхности термостате с последующим вакуумным напылением селена на 15

828265 4 нового; слоя пластину снимают и охлаж- подложку, о т il и ч а ю шийся тем, дают до нормальной температуры. что, с целью улучшения качества ппастиИзготовленные предпагаемым способом ны путем повышения прочности сепеновоелектрографические ппастины обладают го покрытия при низких температурах, во повышенной хоподопрочностью, обеспечи время напыления подложку подвергают п.5 вакшей возможность транспортирования ругой деформации изгиба. при резких изменениях температуры ок- 2.Способпоп. 1, отличаюружающей среды. шийся тем, что упругую деформацию

Формула изобрет етения пластины осуществляют путем прижима ее

10 к выпуклой сферической поверхности термостата.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

М 484789, кл. G 03 G 7/00, 1972.

Составитель И; Аксенов редактор Е. Личинская Техред Т.Маточка Корректор М. Шароши

Заказ 2374/34 Тираж 506 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по. делам изобретений и открытий

ll3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., p. 4/5 Фипиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4