Керамический материал для изготовления конденсаторов
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союэ Советсимк
Соцмалистмческмк
Рестту6лмк ()927785 (61) Дополнительное к авт, свнд-ву(22) Заявлено 26. 09.80(21) 2986770/29-33 с прнсоелннением заявки Жт (23 ) П риорнтет
Опубликовано 15. 05. 82. Бюллетень 1те 18
Дата опубликования описания 15 ..05 .82 (51) M. Кл.
С 04 В 35/46 Ьоударотееииый комитет до делам изобретеиий и открытий (53) УДК 666 638 (0 88 ° 8) (72) Авторы изобретения
В. В.Колчин, Н.К.Михайлова, Е.М. Балашова и И.С.Сазонова
Всесоюзный научно-исследовательский и проек технолосииеский институт электрокераиики (71) Заявитель (54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
КОНЧЕН САТОРО В (-40) - (+60)оС.
Изобретение относится к диэлектрическим материалам на основе окислов бария, стронция, висмута, титана с добавками различных окислов, используемых для,изготовления керамических конденсаторов.
Известен керамический материал (1J для изготовления конденсаторов, содержащий окислы бария, титана, стронция, висмута при следующем соотноше"
1О нии компонентов, мас. I: В аО 39,4,Т101 36,9, Sr0 16,4, В110 7,3.
Материал имеет при частоте 1 кГц
= 2580, с с = 0,001. Материалы имеют стабильные значения Я. и Ьс Ф
15 при напряженности электрического поля промышленной частоты до 0,5 кВ/мм и рекомендуются для,изготовления малогабаритных керамических конденсаторов.
Недостатком указанных материалов является относительно невысокая стабильность электрических параметров при более высоких значениях напряженности электрического поля промышленной частоты (в пределах О, 5 -1, 0 кВ/мм) в широком интервале температур.
Наиболее близким к изобретению. по технической сущности и достигаемоМу результату является керамический материал (21 для изготовления конденсаторов, включающий, вес.3:
Двуокись титана 40,4-40,6
Окись висмута 16,5-19,8
Двуокись циркония 0,3-0,6
Окись самария 0,1-0 3
Окись стронция Остальное
Этот керамический материал имеет высокую стабильность диэлектрической пропускаемости и тангенса угла диэлектрических .потерь при напряженности электрического поля 0,5
1,5 кв/мм в интервале температур
Однако он имеет недостаточно высокие значения диэлектрической проницаемости (850=1100). изменения диэлектрической проницаемости от температуры. При увеличении содержания двуокиси марганца более 0,53 падает удельное сопротивление материала, при значении менее 0,2 повышается зависимость диэлектрической проницаемости от температуры.
Материал готовят следующим образом.
Шихту готовят путем смешения и помола окислов стронция и бария или углекислых солей данных материалов с окислами висмута и титана, взятых в требуемом соотношении. Синтез шихты осуществляют при 1200 в тече-. о ние 2 ч. Полученную в результате синтеза крупку смешивают и раэмалывают с добавками двуокиси марганца и фторида щелочноземельного металла.
Оформление образцов и заготовок конденсаторов производят методом полусухого прессования. Обжиг образцов и иэделий осуществляют при 134013804С.
Составы и диэлектрические характеристики материалов при различных напряженностях электрического поля представлены в табл. 1 и 2 соответственно.
Э
Таблица 1
Состав, мас.
Компоненты
39.1
39 2
39 «О
ВаО
16,2
16 3 16 3
Sr0
36,6
36.7
36,7
TiOl
7,2
7,2
В1 0
0«3
0 3
0,2
Мпо
0,4
0*5
SrFg
0«5
В aF
3 927785
Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости при сохранении ее стабильности и тангенса угла диэлектрических потерь при напряженности электрического поля
0,5-1 кВ/мм и температуре (-40)(<0)4 С.
Поставленная цель достигается тем, . что керамический материал для изготовления конденсаторов, включающий 10 двуокись титана, окись висмута и окись стронция, дополнительно содержит окись бария, двуокись марганца и фторид щелочноземельного металла при следующем соотношении компонен- 35 тов, мас.3:
Двуокись титана 36,5-36,7
Окись висмута 7,2-7,3
Окись стронция 16,2-16, 3
Окись бария 39, 0-39,2 м
Двуокись марганца 0,2-0 3
Фторид щелочноземельного металла 0,2-0,5
При содержании фторида щелочноземельного металла более 0,5/ сни- гз жается диэлектрическая проницаемость материала,. при содержании его менее 0,24 требует более высокой температуры спекания и наблюдается более резко выраженная зависимость
0<ъ
° О о о
О CD
° а Ю о о
44 1 О 1 о 4 1 < ф I 1 1 « 4.Э } б О } lO ! 4 <Ю <« } 4б 1 О 1 о 1 1 сч ! 1 < Э 1 10 I о 1 сО 1 I 1 + I I I I 1 1 1 I 1 1 1 I 1 1 CD С< Ю о ф е» о а о ° \ Ю о о CD о ° Ь О О CD A о м о о » CD сО о о Ю о о о 0< Ф lA - Э Э о О I о о Ф 00 Я) 4Ч CV CD м <М 1 1 < ) <.Э О LA П< о о о CA О Ъ о <Л I C } т < < -Ф см О О О О Ю ° о о. CD <4 о CD Ю о в м о . CD о о Ю A о о "Г 1 1 I О 1 О 1 о ° ! б О 140 о о о о A ° В о о м О О Ю 1 1 Ю I Y ° =Т 1 <4Ъ м CD <Л О\ 00 00 о о о 01 ОЪ М\ СО «о б() 1 1» I о ° о ь м Ф 00 1. о! «< 1 ь 34Ъ CD 1 LCL О 1 ю 1 I 1 I ! ! ! l ! 4 I 1 1 б ! <Цв< <.44 < б < 1 1 I 1 1 1 1 1 < О Ю вЂ” 1! 433 1 I Х ! 1 1 1 1 а »-4 ! CC< I а о! ХУ I LA 1 ° < 92 7785 Двуокись титана 36 5-36,7 Окись висмута 7,2-7,3 Окись стронция 16, 2-16, 3 Окись бария 39,0 39 2 Двуокись марганца 0,2-0,3 Фторид щелочноземельного металла 0,2-0,5 Составитель В.Соколова Редактор И.Митровка Техред р. баритончик Корректор М. Демчик Заказ 3159/33 Тираж 640 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская, наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", r.Óæãoðoä, ул.Проектная, 4 Формула изобретения Керамический материал для изготовления конденсаторов включающий двуокись титана, окись висмута и окись стронция, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости при сохранении ее стабильности и тангенса угла диэлектрических потерь при напряженности электрического поля 0,5-1 кВ/мм и температуре (-40) (+60) С, он дополнительно содержит окись бария, двуокись марганца и Фторид щелочноземельного металла при следующем соотношении компонентов, мас.",,: 50 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент Англии 55 1419284, кл. С 1 J, 1976. 55 2. Авторское свидетельство СССР, 1 .622795, кл. C 04 B 35/46, 1977.
