Шихта для изготовления конденсаторной керамики

 

»

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИТВЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 6 2046 1 (61) Дополнительное и авт. свид-ву (5I) М. Кл..

С04В 3546

С 04 В 35/00 (22) Заявлено 17.01.77(21) 2442478/2Э-ЗЗ с присоединением заявки К» (23) Приоритет(43) Опубликовано 25.08.78.Бюллетень Ж З1 (45) Qàòà опубликования описания 06,07.78

Государственный комитет

Соввта Министров СССР оо делам изобретений н открытий (53) УДК 666.655 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. П. Мудролюбова, К. Е. Лискер, Н. М, Поломошиова и Л. Е. Кузь мина (71) Заявитель (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ . КОНДЕНСАТОРНОЙ

КЕРАМИКИ

Изобретение относится к производству высокочастотных керамических конденсаторов в радиоэлектронной технике, В насгояшее время для изготовления различных типов высокочастотных конденсаторов термосгабильных групп по ЧК6 широко применяют керамические материалы на основе твердых pacrsopoa (Сс(,1,а)(Т1) АР)ОД).

Величина диэлектрической проницаемости (E ) таких керамических материалов с ТКс 0- - 75,10, град не превышаег 40-55.

Известны керамические материалы с теми же значениями TKF на основе си.стемы Са(сеТ МЪО. -СсиТ1Оз м (2).

Но величина диэлектрической проницаемости таких материалов также не пре» вышает 55.

Известна также ацихта для конденсаторного материала, содержашая окись неодима, окись бария, двуокись титана, окись висмута, двуокись циркония, окись олова, окислы кальция, стронция или их смесь (31.

Материал„изготовлений из ат ой шихгы, имеет диэлектрическую проницаемость с =66 при ma +(ЗМ20)и1б .рад, E. =69 при YKE ° -(75+20)x10gpaa с 78 при ТКс -(47120)х10 град и с 87 при ТКк О. При относительно высоком значении диэлектрической про ницаемости материала он содержит в своем cocrase окись висму та и при изя готовлении из него конденсаторов монолитной конструкции в качестве алектрода может быть использована только платина.

15 Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости - и обеспечение воэможности использования палладиевых электродов, в конденсаторах монолитного типа.

Ю Это достигается тем, что шихта для изготовления конденсаторного материала, включаюшая окись бария, окись неодима, . двуокись титана, дополнительно содержит окись самария при следуюшем соогно25 шенин компонентов, вес. %:

62046 1 содержит окиси висмута, поэтому при изготовлении из него, например, монолитных конденсаторов в качестве электрода может быть использован палладий вмест члатины, что даст существенный экономический эффект.

Диэлектрическая проницаемость предлагаемого материала в 1,8-2,3,раза выше 6 промышленных материалов серии ТЛ rex же групп по ТКЯ, Испольэо1р вание его для изготовления различных тичов конденсаторов в том числе и монолитных, позволит увеличить удельную емкость их в 1,8-2,3 раза и даст эконо-Мию драгметаллов (Ag и рб ) в 1,813 Я,З раза.

Оформление заготовок конденсаторов можно производить любым методом, принятым в керамической технологии. Температура спекануя материала 1360-1380 С.

20 Интервал температуры спекания 60-80 С. о

Окись бария 18,7 0-18,88

Окись неодима 4, 16-24,96

Двуокись титана 38,94-39,20

Окись самария 16,96-38,20, Готовят, например,шихты следующих составов, sec. %:

Окись бария 18 70

Окись неодима 4,16

Окись самария 38,20

Двуокись титана 38,94

Ц, Окись бария 18,88

Окись неодима 24,96

Окись самария 16,96

Двуокись титана 39,20

Ю . Окись бария 18,85

Окись неодима 20,80

Окись самария 21,20

Двуокись титана 39,15.

Смешени е проводят в вибромельнице в течение 30-60 мин.

Зарм шихту прокаливают при 13001340 С с выдержкой при конечной температуре 2 часа..

Полученный продукт размалывают до удельной цоверхносги 5000-7000 см /r, анализируют на содержание свободных 5

SOO и 3йд,,О + Ь т) О„после чего проверяют дйэлектрические свойства.

Диэлек трическая проницаем ость с остава при ТКЯ. =+ (ЗЗ 20) 10 град сосгавпаег 80, диэлектрические потери(ФЯ Р)

-4

2.10, удельное объемное сопрогивле 2 ние (У ) > 10 ом1см. E. для состава Я составляет 82-85 при ТКЯ

=(-75+20) х10 град,4g d =2.10 р „> 1 0 ом см.

Ю

Диэлектрическая проницаемость cocrasa Щ составляет 82-85 при ТК8

-(47220} 10 град 1, kgb" 2:10 4; р„> 10 омоем.

Как фидно из приведенных данных, ве- 40 личика диэлектрической проницаемости предлагаемого материала с TK .

+l,ЗЗ+20) 10 град и -(75+20}10 град выше E. и зeвaеeс т н оeг оe, а для материалов с ТКб = 0 и - (47+20) 10 град™ величина диэлектрической проницаем ости отличается незначительно. Однако предлагаемый материал в своем составе не

Формула изобретения

Шихта для изготовления конденсаторной ке рам ик и, включающая окись бария, окись неодима, двуокись титана, о r л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и обеспечения возможности использования палладиевых электродов в конденсаторах монолитного типа, она дополнительно с<л держит окись самария при следующем соотношении компонентов, вес.Ж

Окись бария 18,70-18,88

Окись неодима 4, 16-24,96

Двуокись титана 38,94-39,2

Окись самария 16 96-38е20.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1, Авторское свидетельство СССР

Èþ 192050, кл. С 04 Ь 35/40, 1967.

2. Авторское свидетельство СССР

Ж 413535, кл. Н 01Ц 3/09, 1974, 3. Патент США 14 3775142, кл. 106-73.31,1973.

Составитель Г. Фомина

Редактор P. Антонова Техред О. Ацдрейко Корректор Н. Тупица

Заказ 4590/17 Тираж 751 Подписное

Е1НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4