Способ количественного определения адсорбированных атомов и их агрегатов на поверхности твердого тела

 

изоб е

1

Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (7I ) Заявитель (54) СПОСОБ КОЛИЧЕСТВЕННОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ АДСОРБИРОВАННЫХ

АТОМОВ И ИХ АГРЕГАТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при оценке. количества адсорбированных атомов на поверхности твердого тела.

Известен способ количественного определения адсорбированных атомов и их агрегатов на поверхности твердого тела с помощью поверхностной иониэации (ПИ) атомов. Он основан на известной зависимости эффективности ПИ адсорбируемых атомов от соотношения. между работой выхода f ïîâåðõíîñòè и потенциалом ионизация Vl адсорбируемого атома I).

Недостатками данного способа являются сильная селективность и недостаточная чувствительность: если адсорбция атомов не изменяет Ч, то не удается обнаружить также атомы с помощью ПИ, причем, определять количество адсорбированных атомов с помощью IN можно, когда выполняется соотношение Vl >g.

Однако чувствительность этого способа невелика, этнм способом можно обнаружить адсорбированные атомы при степенях покрытия больше 0,1 монослоя..

Наиболее близким к предложенному является способ количественного определения адсорбированных атомов и их агрегатов на по, верхности твердого тела, согласно которому поверхность предварительно покрывают углер0р0М для ее валентного насыщения, нагревают, после чего ее облучают возбуждаю-. щим потоком часпщ и регистрируют ток ионов цезия (2).

С помощью. этого способа за ростом конденсированной фазы на поверхности Jr(lll)-С следят по току ионов, образующихся в результате поверхностной ионизации.

Однако и этот способ не позволяет изме. рять малые количества адсорбированных ато35 мов.

Целью изобретения является повышение чувствительности и уменьшение селективности при количественном определении адсорбированных атомов на поверхности твердого тела.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу количественного определения адсорбированных атомов и их агрегатов на поверхности твердого тела, включающему иа928460

Составитель Л. Дикова

Техред Ж. Кастелевич.

Редактор Л. Веселовская

Корректор С. Щомак

Тираж 758

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 3254/67

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 гревание валентно-насыщенной поверхности, облучение нагретой поверхносги возбуждающим потоком частиц н последующую -регистрацию тока ионов цезия, в качестве возбужда ющего потока используют частицы цезиевых солей галогенов.

В основе данного способа лежит каталити. ческая диссоциация молекул цеэиевых солей галогенов, которая на валентно-насыщенной поверхности протекает лишь тогда, когда молекула пркходит в контакт с адсорбированными атомами. После чего происходит поверх-i постная ионизация продукта дкссоциации —цезия.

Пример. Осуществляют определение адсорбированных атомов Ва на поверхности иридия. При этом поверхность валентно насы. щают эа счет покрытия монослоем графита.

На нагретую до 900 К поверхность Jr — С направляют поток молекул Са CI н измеряют слабый фоновый ток ионов Cs($4, 7-10 ), обязанный диссоциация молекул на дефектах валентно-насыщенной поверхности таких, как ступени, углы, точечные дефекты. Напыление на такую поверхность атомов Ва приводит к резкому возрастанию -, которое пролорци

oHsJlbHQ количеству адсорбированных атомов, 4 от 7 10 б до 0,2, и предельными Значения концентрации адсорбированных атомов, которые могут быть зарегистрированы, составляют 10 т от монослойного покрытия барием, что значительно превышает чувствительность, достигаемую известным способом.

Ф о р м у л а и з о б р е т. е н н я

Способ количественного определения адсор. бированных атомов и их агрегатов на поверхности твердого тела, включающий нагревание валентно-насыщенной поверхности, облучение

15 ее возбуждающим потоком частиц, и последующую регистрацию тока ионов цезия, о т л ич а ю щ н и с я тем, что, с целью повышения чувствительности и уменьшения селективности способа, в качестве возбуждающего потока используют частицы цезиевых солей галогенов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Зандберг Э. Я., Ионов Н. И. Поверхностная ионизация. М., Наука" 1969, с. 118.

2. Тезисы докладов на XVI Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике.

Т. 1, Махачкала, 1976, с. 29.