Устройство для синтеза и вытягивания монокристаллов из расплава

 

1. Устройство для синтеза и вытягивания монокристаллов из расплава по Чохральскому по авт.св. № 752877, отличающееся тем, что, с целью обеспечения постоянства условий подпитки при колебаниях уровня расплава, перегородка установлена с возможностью перемещения.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено трубкой для отвода газов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского, в частности к устройствам для повторной загрузки материала в тигель, и может быть использовано на установках выращивания монокристаллов кремния, оборудованных шлюзовым устройством для обеспечения полунепрерывного выращивания монокристаллов

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката (лангасита) методом Чохральского, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах, а также разнообразных пьезоэлектрических и пьезорезонансных датчиков
Изобретение относится к технологии получения кристаллов с триклинной сингонией

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной, химической промышленности, в ювелирном деле
Наверх