Способ изготовления дифракционных решеток-матриц для копирования реплик
Союз Советских
Социалистических
Республик
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
С 02 В .5/18 1ввударетваеык «вмитвт eeet кв авлви изобретений к вткрыт«Я (23) Приоритет (53) УДК535.421 (088. 8) Опубликовано 15 07 ° 82 Бюллетень РВ26 Дата опубликования описания 15. 07.82 (72) Авторы изобретения С.А.Стрежнев, Л.А.Функ, И.Б.Хайбуллин и И.А.Файзрахманов Физико-технический институт Казанского филиала АН СССР (7I) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ РЕШЕТОК-МАТРИЦ ДЛЯ КОПИРОВАНИЯ РЕПЛИК Изобретение относится к технологии изготовления оптических элементов, в частности дифракционных решеток. По основному авт.св. 11 561923 из вестен способ изготовления дифракционных решеток-матриц для копирования реплик путем нанесения на копированную подложку из стекла подслоя металла, например хрома, слоя алюми- 1о ния, Формирования штрихов решеток и упрочнения поверхности сформированной решетки, причем упрочнение производят путем бомбардировки поверхности решетки ионами кислорода с энергией, превышающей, 1 кэВ. При этом для получения упрочненной поверхности дифракционных решеток слой алюминия бомбардируют дозами. обеспечивающими стехиометрическую концентрацию вводимых атомов, т.е. дозами, превышающими 10 ион/см . Однако бомбардировка слоя алюминия такими большими дозами приводит к увеличению светорассеяния в решетках, обусловленному с одной стороны оптической неоднородностью пленкиокиси алюминия, образующейся в приповерхностном слое покрытия в ре зультате бомбардировки, а с другой происходящим при этом неравномерным распылением алюминиевого слоя. Цель изобретения - уменьшение . светорассеяния. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления дифракционных решеток-матриц для копирования реплик путем нанесения на полированную подложку из стекла подслоя металла, например хрома, слой алюминия, формирования штрихов решеток и упрочнения поверхности сформированной решетки, причем упрочнение производят путем бомбардировки поверхности решетки ионами кислорода с энергией, превышающей 1 кэВ, перед упрочнением на поверхность решетки наносят слой Формула изобретения Составитель В.КРавченко Редактор Л.Авраменко Техред М Тепер КоРРектоР lO.Макаренко Заказ 5101/51 Тираж 518 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва,.Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 94362 родия,абомбардировку проводят при до эе, не превышающей 6 10 ион/см и Дифракционные решетки-матрицы изготавливают следующим образом. На полированную поверхность подложки решетки из стекла наносят термическим испарением в вакууме любым из известных методов слой алюминия с подслоем хрома толщиной, необходимой для нанесения штрихов f0 дифракционных решеток. В слое алюминия формируют штрихи решеток при помощи прецизионных алмазных резцов на специальных делительных машинах. На поверхностный 1s слой алюминия, в котором сформированы штрихи решеток, наносят родий катодным методом, а затем бомбардируют быстрыми ионами кислорода до-зой не более 6 10 ион/см на ионном 2в 45 а ускорителе, например ИЛУ-3. При этом между слоями алюминия и родия образуется переходный слой алюминий-родий, прочно связанный со слоем алюминия. Пример. Слой алюминия толщиной 1 мкм наносят с подслоем хрома на подложку из стекла термическим испарением в вакууме. Затем в слое алюминия формируют на специальных 30 делительных машинах с помощью алмазных резцов штрихи решеток, После формирования штрихов на решетку наноО сят слой родия толщиной 300 А катод ным способом, а затем решетку бом5 4 бардируют быстрыми ионами (100 кэВ) кислорода на ионном ускорителе ИЛУ-3 Доза облучения. 6-10 ион/см, плотЯ. ность тока порядка 1 мкА/см ф Доза бомбардируемых ионов, не превышающая 6 10" ион/см, позволяет упрочить поверхностный слой решетки путем увеличения прочности сцепления родня со слоем алюминия за счет образования переходного слоя родийалюминий, В то же время бомбардировка ионами кислорода предлагаемой дозой позволяет уменьшить в 2-5 раз по сравнению с известным способом рас-.. сеяние света поверхностным слоем дифракционных решеток эа счет улучшения ее поверхностной структуры. Таким образом, использование изобретения позволяет существенно уменьшить рассеяние света в дифракционных решетках. Способ изготовления дифракционных решеток-матриц для копирования реплик по авт.св. 11."561923, о т л и -. ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения светорассеяния, перед упрочнением на поверхность решетки наносят слой родия, а бомбардировку проводят при дозе, не превышающей 6 .10 ион/см .