Раствор для избирательного травления металлосилицидных резистивных слоев

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистическмн

Республик

<1 ц 946016 (61) Дополнительное к авт. синд-ву (22) Заявлено 24 07.80 (21) 2963206/1 8-21 с присоединением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 23 07 82. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 26.07.82 (51) М. Кл.

Н 05 К 3/06

С 23 F 1/00

Гесударатмнный камнтет

СССР яв делам .нзебретеннй и открмтнй (53) УДК 621.396. .6.002 (088.8) (72) Авторы изобретения

Т. С. Шнипко и Т. B. Удаленкова (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЙ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЙ

МЕТАЛЛОСИЛИБИДНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ СЛОЕВ

16- 19

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления тонкопленочных резистивных элементов и гибридных микросхем.

Известен раствор для избирательного травления металлосилипидных резистивных слоев, включающий азотную кислоту, фтористоводородную кислоту и воду (I) .

Недостатки этого раствора состоят в ig высокой скорости травления и активном газообразовании, что приводит к подтраву резистивных элементов и искажению их геометрических размеров.

Наиболее близким техническим реше«1з нием к изобретению является раствор для избирательного травления металлосилипидных резистивных слоев, включающий азот ную кислоту, фтористоводородную кислоту и дистиллированную воду f2) .

Недостатки известного раствора заключаются в высокой скорости травления и активном газообразовании, которые приводят к подтраву резистивных элементов и искажению их геометрических размеров.

Бель изобретения - снижение скорости травления и уменьшение газообразования.

Поставленная пель достигается тем, что раствор для избирательного травления металлосилицидных резистивных слоев, включающий азотную кислоту, фтористоводородную кислоту и дистиллированную воду, дополнительно содержит насыщенный раствор нитрата калия при следующем количественном соотношении компонентов, вес, ч:

Азотная кислота 25-30

Фтористоводородная кислота

Насыщенный раствор нитрата калия 40 -50

Дистиллированная вода Остальное

Для получения раствора для избиратель ного травлении металлосилицидных резистивных слоев готовят три состава компо нентов, содержащие кащцый, вес. %: aao

3 9460 ной кислоты 27, 25 и 30, фтористоводородной кислоты 18, 16 и 19, насыщенного раствора нитрата калия 10, 9 и 1 1 и дистиллированчой воды 45, 50 и 40.

Каждый раствор приготовлен путем последовательного добавления к дистиллированной воде азотной кислоты, фтористо,водородной кислоты,-перемешивания .раствора, добавления насыщенного раствора нитрата калия и повторного перемешивания. О

Проводится травление тонкопленочных слоев металлосилицидного резистивного сплава РС 3710, нанесенных вакуумнотермическим методом на ситалловые подложки, по защитной маске из фоторезиста

ФП-383. Состав металлосилицидного сплава состоит из 53% кремния, 37% никеля, 10% хрома.

Подложки с резистивными слоями погружают в раствор для травления указанных составов и выдерживают в нем при комнатной температуре до полного удаленля резистивного материала с мест, незащищенных фоторезистом, Момент окончания процесса травления определяется визуально. Длительность травления резистивных слоев в зависимости от исходной толщины пленки составляет 5- 10 с.

Точность воспроизведения геометрических размеров резистивных элементов не ниже 1 мкм.

Изобретение позволяет уменьшить ко-, личество дефектов резистивных слоев, повысить точность воспроизведения геометрических размеров резистивных элементов и дает возможность изготовлять прецизионные резистивные матрицы с повышенной надежностью и увеличенным выходом годных изделий. формула изобретения

40-50

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 414330, кл. Н 05 К 3/06, 1972.

2. Авторское свидетельство СССР № 471402, кл. Н 05 К 3/06, 1973 (прототип) .

Раствор для избирательного травления металлосилицидных резистивных слоев, включающий азотную кислоту, фтористоводородную кислоту, дистиллированную воду, отличающийся тем,что, с целью снижения скорости травления и уменьшения газообразования, он дополнительно содержит насыщенный раствор нитрата калия при следующем соотношении компонентов, вес. ч:

Азотная кислота 25-30

Ф то рис товодородная кислота 16 — 19

Насыщенный рас твор нитрата калия

Дис тиллированная вода Остальное

Составитель Ю. Герасичкин

Редактор H. Пушненкова Техред З.Палий Корректор A. Гриценко

Заказ 53 53/76 Тираж 862 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам .изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП ".Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Раствор для избирательного травления металлосилицидных резистивных слоев Раствор для избирательного травления металлосилицидных резистивных слоев 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в радиотехнической и радиоэлектронной промышленности
Изобретение относится к радиоприборостроению и может найти применение при изготовлении печатных плат с элементами проводящего рисунка схемы, работающими на размыкание - замыкание и располагаемыми в любом месте поля платы (тастатура номеронабирателя, контакты плоские, разъемы)

Изобретение относится к способу изготовления композиционного многослойного материала, предпочтительно материала с перекрестной ориентацией армирующих волокон, в соответствии с которым параллельно расположенные волокна покрываются матричным веществом и вместе с предварительно сформированными нетекучими композициями параллельно расположенных волокон или перекрещивающимися системами параллельно расположенных волокон пропускаются через зону дублирования, причем ориентация волокон в соединяемых слоях имеет по крайней мере два направления
Изобретение относится к слоистым пластикам, способу изготовления несущей платы для печатных схем, печатной плате и мультичиповому модулю
Изобретение относится к технологии повышения эксплуатационной надежности радиоэлектронных изделий

Изобретение относится к элементной базе микроэлектронной аппаратуры, а конкретно к однокристальному модулю ИС, и может широко использоваться при проектировании и производстве электронной аппаратуры различного назначения

Изобретение относится к разработке и производству аппаратуры на основе изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов и может быть широко использовано для контроля и отбраковки кристаллов ИС перед их монтажом в корпуса или многокристальные модули, а также для сборки кристаллов в корпусах или в составе многокристальных модулей
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем (ГИС) и печатных плат (ПП)
Наверх