Изобретение относится к контро лю параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано в серийном пропзводстве тиристоров и преобразователей электрической энергии на их основе.

Известен способ проверки тиристоров на соответствие требованиям стандарта,.включающий пропускание импульсов тока с нормированной величиной скорости нарастания анодного тока через тиристор в прямом направлении и проверку обратных токов и токов утечки испытуемого тиристора для выявления возможной деградации 513.

Недостатком данного способа яв- . ляется невозможность определения предельной величины скорости нарас- . .тания анодного тока без разрушения тиристора.

Известен также способ неразрушающего определения предельной для тиристора скорости нарастания анодного тока, включакщий пропускание через тнристор импульсов силового тока воэ-. растакщей амплитуды, .пропускаиие в момент прохождения импульсов контрольного тока и измерение термочувствительного параметра, причем в качестве термочувствнтельного параметра используют время выключения ти= ристора, измеряемое при контрольном . токе, меньшем тока удержания, но

5 . превышающем ток утечки тиристора. . Способ позволяет с высокой точностью определять предельные для тиристора величины скорости нарастания анодного тока при температуре окружакщей среды меньше 50оC когда токи утечки .невелики (2 1.

Однако в случае измерений при температуре окружакщей среды выше 60 C, значительно увеличивается погрешность эа счет увеличения составлякщей времени выключения, обусловленной рекомбинацией избыточного заряда,свяэанногО с контрольным током. В отдельных случаях, когда токи утечки велики, требуется изменение величины контрольного тока, что снижает производительность измерений. Кроме того, известный способ неприемлем в случае испытаний тиристоров большой площади и легированных золотом при температуре ок25 ружающей среды выше 100 С, когда ток утечки по всей площади структуры соиэмерйм или превышает ток удержания включенной области тиристора, что исключает возможность регистрации

30 момента выключения тиристора.

949554

Формула изббретения

Составитель В. Каминский

ТехредЕ.Харитончик Корректор У.Пономаренко

Редактор Г.Кацалап

Заказ 5742/34 Тираж 717 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4

« .пь изобретения вЂ” повышение точности и производительности нераэрушающего определения предельной для тиристора скорости нарастания анодного тока во всем диапазоне рабочих температур (до 125o C) . 5

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, включающему пропускание через тиристор импульсов силового тока возрастающей амплитуды, пропускание в момент про- tO хождения импульсов контрольного тока, величина которого пгзвышает ток утечки тиристора, измерение временного термочувствительного параметра, контрольный ток пропускают через управ- 5 ляющий и анодный электроды тиристора и измеряют время восстановления блокирукщих свойств р-и-р-транзисторной секции исследуемого тиристора., используемое в качестве термочувстви-2р тельного параметра. .Ограничение на увеличение конт; рольного тока отсутствует, потому что переключение тиристора исключено поскольку и-р-h-транзисторная

I 25 секция тиристора не участвует в формировании тока от источника контрольного сигнала. Это позволяет проводится испытания тиристоров большой площади с большими утечками при температуре окружающей среды до 125оС

Способ осуществляется следукщим образом.

Через испытуемый тиристор пропускают .импульсы силового тока малой длительности (до 10 мкс) возрастающей амплйтуды и после каждого импульса сравнивают время восстановления блокирующих свойств транзисторной секции тиристора, измеряемое при контрольном токе малой амплитуды, 0 пропускаемом через анодный и управлякщйй электроды, с нормированным временным интервалом. Полярность подключения для реализации способа без-.. различна, но для удобства развязки 45 силовой и контрольной цепей разделительными диодами источник контрольного тока подсоединяют положительным полюсом к аноду тиристора..

Время пропускания контрольного тока не должно превышать величину нормированного временного интервала, которая связана с временем остывания включенной области тиристора до температуры собственной проводимости при локальном перегреве, характеризующем режим испытаний, близкий к вторичному пробою. Величина нормированного временного интервала устанавливается экспериментально для каждого типа прйборов.

Под временем восстановления блокирующих свойств р-и-р-транзисторной секции тиристора понимается время от момента окончания импульса силового тока до момента резкого возрастания сопротивления между анодом и управляющим электродом тиристора.

Использование изобретения позволит определять предельную для тиристора скорость нарастания анодного тока на этапах изготовления и контрольных испытаний. Это позвблит повысить процент выхода годных и улучшить номенклатурное распределение тиристоров.

Способ неразрушающего определени предельной:для тиристора скорости нарастания анодного тока, при котором пропускают ч ерез тиристор импульсы силового тока возрастающей амплитуды, а в момент прохождения импульсов пропускают контрольный ток, величина которого превышает ток утечки тиристора, измеряют временной термочувствительный параметр, о т- . л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности и производительности во всем диапазоне рабочих температур, контрольный ток пропускают через управлякщий и анодный электроды тиристора и измеряют время восстановления блокирующих свойств р-и-р-транзисторной секции исследуемого тиристора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. иСТ 14069-72. Вентили силовые полупроводниковые, кремниевые управляемые тиристоры. М., Издательство стандартов, 1977, с. 31-32.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 716008, кл. G О1 R 331 //2266, 1977 (прототип).

Способ неразрушающего определения предельной для тиристора скорости нарастания анодного тока

Устройство для испытания транзисторов // 947792

Устройство для неразрушающего контроля полупроводниковых структур // 947791

Измеритель заряда переключения транзисторов // 945828

Устройство для измерения коэффициента усиления по току транзисторов // 943612

Камера для измерения параметров свч-двухполюсников // 943611

Устройство для измерения дифференциального коэффициента передачи тока транзисторов // 938220

Способ контроля качества соединений элементов конструкции теплозащищенных полупроводниковых приборов // 938219

Устройство для нагрузочных испытаний силовых транзисторов // 938217

Устройство для измерения и контроля параметров полупроводниковых приборов // 938216

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим