Устройство для стирания информации в блоках памяти на мноп транзисторах

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Реслублик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву,— (22) Заявлено 270181 (21) 3246513/18-24 (51) М. КП.З с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

6 11 С 7/00

Опубликовано 300882. бюллетень № 32 (53) УДК 681. 327. 6 (088.8) Дата опубликования описания 300882 (72) Авторы изобретения

В.A.Ваняшев, Ю.A Мякиньков и И.П.Тищенко (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ CTHPAHHSI ИНФОРМАЦИИ

В БЛОКАХ ПАМЯТИ HA МНОП-ТРАНЗИСТОРАХ

1 2

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам (ЗУ) на МНОПтранзисторах.

Известно ЗУ íà NHOII-транзисторах, в котором стирание информации осуществляется с помощью адресных формирователей. Устройство стирания включает в себя формирователи импульсов сти- 10 рания, подключенные к адресным входам накопителя, дешйфратор адреса и нагруэочные элементы на резисторах.

В исходном состоянии (при отсутствии обращения к накопителю) на его входах удерживаютсяуровни напряжения, близ- S кие к нулевым, за счет резисторов, подключенных к нулевой шине (отклонение уровней на входах .накопителя на

МНОП-транзисторах может быть вызвано лишь токами утечки и не превьхаает 1B).

В режиме стирания информации по произвольному адресу, с дешифратора адреса запускается соответствующий формирователь стирания, который и обеспечивает стирание информации в 5 выбранном адресе накопителя (1) .

Недостатками устройства являются низкая надежность одновременного (общего) стирания информации иэ-за большогЬ количества формирователей стира- 30 ния, большая потребляемая мощность в режиме общего стирания информации, так как при этом работают все формирователи одновременно.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство, содержащее адресные формирователи, входы которых подключены к выходам дешифратора, а выходы — к входам накопителя н нагруэочным элементам, выполненньхк на резисторах (2) .

Цель изобретения - повышение надежности устройства и уменьшение потребляемой мощности в реж «ме общего стирания информации.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство, содержащее адресные формирователи, входы которых подключены к выходам дешифратора, а выходы — к входам накопителя и нагруэочным элементам, выполненным на резисторах, введены дополнительный адресный формирователь и ключ, выходы которых объединены н я вл яютс я входом запуска устройства, а выход дополнительного адресного формирователя подключен к другим выводам резисторов и через ключ - к шине нулевого потенциала.

На чертеже представлена структур- ., ная схема предлагаемого устройства.

9.55194

В его состав входят адресные формирователи 1 импульсов стирания, на- копитель 2, дешифратор 3 адреса, дополнительный адресный формирователь

4 нагрузочные элементы на резисторах

5 и ключ б. 5

Устройство работает следующим образом.

В режиме выборочного стирания ключ б открыт и нагрузочные резисторы 5 подключены к нулевой шине. В режиме 10 общего стирания информации внешний сигнал запуска поступает на шину 7, объединяющий входы дополнительного ацресного формирователя 4 и ключа б, который при этом закрывается и импульсы стирания с выхода формирователя 4 подаются через резисторы 5 на входы накопителя. При этом производится стирание информации по всем адресам одновременно. Выборочное сти- рание информации по отдельным адресам осуществляется также, как и в устройстве, взятом за прототип, с по- мощью формирователей 1, запускаемых с дешифратора 3 адреса.

В предлагаймом устройстве достига- ется более высокая надежность одновременного стирания информации в накопителе по всему массиву, так как используется только один формирователь импульсов стирания (вместо и фор40 мирователей) и потребляемая мощность уменьшается в и раз. Возможное при этом уменьшение напряжения стирания на входах накопителя за счет падения, напряжения на нагрузочных резисторах З5 незначительно, так как определяется лишь токами утечки по адресным вхо дам накопителя (амплитуда импульса напряжения стирания в накопителях на

МНОП-транзисторах составляет 48В а потери напряжения от токов утечки не превышают 1В).

Формула изобретения

Устройство для стирания информации в блоках памяти на МНОП-транзисторах, содержащее адресные формирователи, входы которых подключены к выходам дешифратора, а выходы — к входам накопителя и нагрузочным элементам, выполненным на резисторах, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства и уменьшения потребляемой мощности в режиме общего стирания информации, оно содержит дополнительный: адресный формирователь и ключ, входы которых объединены и являются входом запуска устройства, а выход дополнительного адресного формирователя подключен к другим выводам резисторов и через ключ — к шине нулевого потенциала.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Микросхема ПАЭУ с электрической сменой информации К519РЕ2 (А,Б), изд-во ЦНИИ "Электроника", 1976, с.50.

2. Интегральные микросхемы. Технический каталог. Изд-во ЦНИИ "Электроника", 1979, с.29 (прототип) .

955194

Составитель В.Гордонова

Редактор Н.Гришанова Техред Т.Фанта

KoppeK Top Ì. Шарсмаи

Филиал ППП "Патент", г.укгород, ул.Проектная, 4

Заказ 6447/60 . Тирам 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, E-35, Раушская наб., д.4/5