Устройство для контроля радиодеталей по внешнему виду

 

Союз Ссиветскик

Социалистических

Республик

Оп ИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6$) Дополнительное к авт. свид-ву Р 767871

Р М g+ з (22) Заявлейо 0682.81 (21) 3250124/18-21 с присоединением заявки ¹H .01 ) 21/70

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 2309,82. Бюллетень № 35

Дата опубликования описания 230982

f53) УДК 621 ° 382..002 (088.8) (72) Авторы изобретения

В,Г. Махаев, В.И. Миненков и B.È. Кононов

ВСЕСОИ эИА я а ПА ) Е)(ТБОД..т.ИИ)-."Щr„.

БИБЛИОТЕКА (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ РАДИОДЕТАЛЕЙ

ПО ВНЕШНЕМУ ВИДУ.

Изобретение относится к оборудованию для контроля внешнего вида интегральных схем в корпусах и является усовершенствованием устройства.

По основному авт.св,9 767871 известно устройство для контроля радиодеталей па внешнему виду, преимущественно интегральных микросхем, содержащее механизмы загрузки и выгрузки, и корпус с транспортными ка налами в виде струн, натянутых между роликами, соединенными с приводом, ролики выполнены в виде шестерен с отверстиями для прохода интегральных микросхем, закрепленных на противоположных сторонах корпуса, а струны транспортных каналов закреплены на шестернях с возможностью совместного вращения с микросхемой, механизмы загрузки и выгрузки снабжены гнездами, расположенными на каждой шестерне по обеим сторонам каждого транспортного канала, Оно также снабжено установленньм под транспортными каналами сменным экраном, выполненным по цвету, контрастно отличным от цвета микросхемы f1).

Недостатком известного устройства является то, что в нем отсутствует фиксация на рабочих позициях интегральных микросхем, что приводит к ненадежному. удержанию интегральных микросхем в транспортных каналах при извлечении бракованных, а также при необходимости нанесения разового клейма на интегральную микросхему. цель изобретения - повыаение надежности фиксации радиодеталей и расширение технологических возможностей устройства.

Поставленная цель достигается тем, что устройство для контроля радиодеталей по внешнему виду снабжено механизмом подъема сменного экрана.

На фиг.1 изображено устройство для контроля внешнего вида; на фиг.2 положение сменного экрана в момент нанесения клейма.

Устройство содержит корпус 1, на противоположных сторонах 2 которого крепятся шестерни 3 с отверстиями 4 для входа и выхода микросхем (ИС) 5, находящиеся в одновременном зацеплении с реечным приводом 6, вращающим транспортные каналы 7, образованные тремя струнаЗ0 ми 8. На шестернях 3, соосно с

961005 транспортными каналами 7, крепятся загрузочные гнезда 9 с фиксатором

10 и межоперационной тарой — загрузочными пеналами 11. Под транспортными каналами 7 расположен сменный экран 12, приводимый в движение механизмом подъема 13.

Устройство работает следующим < образом.

Пеналы 11 с микросхемами 5 вставляются.в загрузочные гнезда 9, которые крепятся на шестернях 3 с отверстиями 4 для входа и выхода ИС 5, находящихся на торцевой стороне 2 корпуса 1 устройства. Загрузочные гнезда 9 выполняются соосно с транспортными каналами 7. TpBHGIIopTHblB каналы 7 для ИС в корпусе ДИП образованы тремя струнами 8, имеющими общий механизм натяжения. Затем осуществляется подъем (или поворот) устройства на-угол 25-30 от горио зонтальной плоскости.

В силу того, что загрузочные гнезда 9 пеналов 11 и транспортные к ан алы 7 выполнены соосн о, микросхемы 5 беспрепятственно поступают из пеналов 11 в струнные транспорт,ные каналы 7, Емкость транспортных каналов 7 соответствует емкости пеналов .11 и поэтому последние полностью освобождаются от.микросхем 5.

После перегрузки микросхем 5 из пеналов 11 в транспортные каналы 7 устройство возвращается в горизон" тальное (исходное) положение. Под транспортными каналами 7 находится сменный экран 12, который приводится в движение механизмом подъема 13.

При помощи реечногО привода 6 осуществляется поворот транспортных, каналов 7 на 3600, при этом произВодится всесторонний осмотр ИС 5.

A так как транспортные каналы 7 выполнены струнными, то не остается на микросхеме 5 участков, труднодоступных для осмотра оператором.

Реечный привод 6 позволяет производить останов и фиксацию транспортных каналов 7 в любой момент, а также по необходимости осуществить обратное вращение.

10 Надежная фиксация ИС на рабочих местах осуществляется путем .подъема сменного экрана 12 с помощью механизма подъема 13 до уровня накопительных каналов с микросхемами.

Бракованные ИС 5 удаляют из транспортных каналов 7, а так как ИС лежат на приподнятом экране, то возможно производить операцию нанесения партионного клейма (для того, чтобы отличить изделия одной партии от изделий другой). В качестве механизма подъема 13 сменного экрана 12 .может быть использован любой известный механизм.

Формула изобретения

Устройство для контроля радиодеталей по внешнему виду по авт.св.9 767871,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности фиксации радиодеталей и расширения технологических возможностей, оно снабжено механизмом

З5 подъема сменного экрана.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

40 9 767871, кл. H 01L 21/70, 26.06.78

tl

Составитель Л. Гришкова

Редактор Г. ус Техред А.Ач Корректор О. Билак

Заказ 7303/69 Тираж 761 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений::.и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская .наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,. 4

Устройство для контроля радиодеталей по внешнему виду Устройство для контроля радиодеталей по внешнему виду Устройство для контроля радиодеталей по внешнему виду 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх