Способ изготовления запоминающих матриц на плоских магнитных доменах

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик п>964732 (61) Дополнительное к авт, свид-ву(51) М. Кл. (22) Заявлено 20. 03. 81 (21) 3262472/18-24 с присоединением заявки Нов (23) Приоритет—

G 11 С 11/14

Государственный комитет

СССР по делам изобретении и открытий (53) УДК 681.327. .66(088.8) Опубликовано 07,10,82. Бюллетень ¹ 37

Дата опубликования описания 07. 10. 82 (72) Авторы изобретения (71) Заяви ель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПО1!ИНАЮЩИХ МАТРИЦ

НА ПЛОСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ПМД).

Известен способ изготовления запоминающих матриц на ПМД, основанный на повышении коэрцитивной силы пленки Нс путем локального осаждения на нее другой пленки с высоким эначениНс (1j.

Недостатком этого способа является невозможность.увеличения, Н массива пленки в широких пределах, что ограничивает область устойчивой работы запоминающего устройства.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ изготовления запоминающих матриц на ПМД, основанный на нанесении на поверхность стеклянной подложки алюминиевого слоя толщиной . 5000 А и вытравливании в нем каналов, обнажающих поверхность стеклянной .подложки, с последующим напылением на всю поверхность подложки магнитной пленки. При этом участки магнитной пленки, нанесенной на шероховатный тонкий алюминиевый слой, имеют высокое значение Но, а в доменоперемещающих каналах, где магнитная пленка нанесена непосредственно на гладкую поверхность стеклянной подложки, H с пленки имеет низкое значение (2).

Недостатком этого способа является невозможность увеличивать Нс массива пленки в широких пределах, что снижает надежность работы ЗУ. Кроме того, возникновение перепадов толщины пленки на участках между каналами и массивом является источником полей рассеяния, снижающих величину поля эародышеобразования ПМД, которое определяет верхний предел допустимых значений рабочих токов матрицы. Технологический процесс сложный, так. как включает Фотолитографию и двукратное нанесение пленок — алюминиевой и магнитной. Плохая адгезия двухслойной пленочной структуры снижает надежность работы запоминающего устройства. на ПМД.

Целью изобретения является повышение надежности изготовления запомина25 ющих матриц на ПМД.

Поставленная цель достигаетСя те, что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ПМД, основанном на нанесении магнитной пленки на подложку и избирательном повыше9647

ФоРмула изобретения нии коэрцитивной силы магнитной пленки, избирательное повышение коэрци- тивной силы магнитной пленки осуществляют путем формирования в поверхностном слое подложки участков с пористой структурой. 5

На чертеже представлена последовательность изготовления запоминающих матриц на ПМД в соответствии с предложенным способом.

Сущность предложенного способа 1Q заключается в следующем..

На поверхность подложки 1 из стекла, содержащего легкорастворимые компоненты, например натриевоборосиликатное (НБС), проводят фотолитографию 2, освобождая от фоторезиста участки 3 поверхности подложки, где необходимо создать высокое значение

Нс магнитной пленки. Эти участки подложки выщелачивают в кислотах, например в соляной, для получения пористых участков 4 подложки 1. Затем на поверхность подложки с периодической структурой пористых участков напыляют магнитную, например пермаллоевую, пленку 5. При этом пермаллой проникает в пористые участки подложки и образует участки пленки 6 с высоким значением Нс, а поверхноств пленки остается ровной.

П р и м е.р. На поверхности подложки из НБС толщиной 0,6 мм методом фотолитографии создают рисунок, соответствующий положению доменоперемещающих каналов. !пирина полос фоторезис. тора составляет 60 мкм с .промежутка- 35 ми между ними шириной 100 мкм..Затем подготовленную таким образом подложку помещают в растворитель - 40Ъ-ный раствор соляной кислоты при 25-30 С.

Процесс выщелачивания ведут от 3 до 4р

20 мин в зависимости от требуемой структуры и глубины пористых слоев участков подложки. В результате проис; ходит формирование пористых участков поверхностного слоя подложки за счет 45

32 4

В удаления легкорастворимых натриевых и боратных компонентов из стеклянной подложки. Затем удаляют фоторезист и отмывают подложку в дистиллированной воде при 50-60 С в течение 20 мин и сушат в термостате. Затем на .подложку напыляют пермаллоевую пленку. Величина К магнитной пленки, находящейся на пористых участках подложки, в 18-20 раэ больше Нс в доменоперемещающих каналах.

Таким образом, предложенный способ позволяет значительно увеличить разницу Н каналов и массива пленки, что расширяет область устойчивой работы устройства. Структура матрицы содержит только один магнитный слой на подложке, что увеличивает надежность. Технологический процесс изготовления включает только одну операцию напыления одного слоя магнитной пленки, не требует специального материала (стекла) для подложки, что уп-, рощает изготовление запоминающего устройства.

Способ изготовления запоминающих оатриц на плоских магнитных доменах, включающий нанесение магнитной пленки на подложку и избирательное повышение коэрцитивной силы. магнитной плейки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления запоминающих матриц избирательное повышение коэрцитивной силы магнитной пленки осуществляют путем формирования в поверхностном слое подложки участков с пористой структурой.

Источники информации, принятые во внимание при эксиертизе

Патент СИ В 3416422, кл. 340-174, опублик. 1972.

2. Патент CIA В 3488006 кл. 340-174,, опублик. 1972 (прототип).

964732

Составитель Ю. РОзенталь

Редактор Т. Кугрышева Техред Т.Фанта Корректор.В. Бутяга

Заказ 7641/34 . Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Чоаква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4