Запоминающее устройство

 

«

- 3, (72) Авторы изо6ретения

B. И. Сергеев и А. И. Холопкин

1

1 (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО которой расположены регистры хранения информации и каналы продвижения LIMQ из С- и Т-образнв|х ферромагнитных аппликаций, и токопроводяшую шину, выполненную в одном слое с ферромагнитными аппликациями и гальванически связанную с Т-образными аппликациями регистров хранения информации t 2)

Недостатком известного устройства является малая область устойчивой рабо» ты в момент переключения UMQ из входного канала в выходной канал продвижения БМД. Переключение БМД возможно только при низких полях смешения Н „.

При высоких полях Нс„для переключения

1|МД требуется подавать импульс тока в управляющую шину высокой амплитуды, так как наводимый внешним полем притя гиваюший домен полюс на С-образной аппликации недостаточен, чтобы захватить

LlMQ и растянуть его с Г-образной аппликации. В результате этого даже при выборе оптимального расстояния между СИзобретение относится к вычислитель ной технике и автоматике и может быть использ|.вано в запоминаюших устройствах (ЗУ), в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены (LIMa) °

Известно ЗУ, содержащее магнитоосную пленку, на которой расположены два канала продвижения ЦМД, образованные шевронными аппликациями из ферромагнитного материала, и шина управления., выполненная из того же материала в одном уровне с каналами продвижения 11МД, которая соединяет вершины шевронов одноименных позиций расположения LINQ в

I, обоих каналах. Управляюшая шина осушествляет две функции: растяжение IlMQ в по- лосовой домен вдоль шины и репликацию полосового домена (1) .

Недостаток данного устройства — ма- 2î лая область устойчивой работы.

Наиболее близким является ЗУ, которое содержит магнитоодноосную пленку, на

9630 и Т-образными аппликациями, при повышенном поле Н© и соответственно BQBbI щенной амплитуде тока UMQ не переключается, а коллапсирует в зоне переключения. Этот недостаток является сущест- 5 венным при работе устройства совместно с генератором и датчиком UMQ, так как общая область устойчивой работы резко снижается (почти на 50%). Подаваемые в управляющую шину импульсы тока высокой амплитуды, чтобы создать требуемое магнитное поле для переключения, растяжения и реплицирования UMQ, ограничивают реальные размеры управляющей шины и являются энергетически невыгодными.

Пель изобретения — повышение надежности ЗУ.

Поставленная цель достигается тем, что запоминающее устройство содержит на магнитоодноосной пленке Y -образные ферромагнитные аппликации, расположенные между Т-образными ферромагнитными ап» пликациями смежных регистров хранения информации и гальванически связанные с токопроводяшей шиной.

На фиг. 1 изображена принципиальная схема предлагаемого ЗУ; на фиг. 2 и 3расположение доменов в регистрах хране

0 ния информации и каналах продвижения 34

UMQ во время работы устройства; на фиг. 4 — эпюры управляющих токов.

Запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены регистры 2 хранения информации из Т- и С-образных ферромагнитных 5

35 аппликаций 3 и 4, Ч-образные ферромагнитные аппликации 5, расположенные между Т-образными аппликациями 3 смежных регистров 2, каналы 6 продвижения UNQ и токопроводящую шину 7. Вектор 8 уп44 равляющего поля вращается по часовой стрелке.

ЗУ работает следующим образом.

A. Режим переключения UMQ из регистров 2 в каналы 6 продвижения UMQ, 45

На фиг. 2 показано расположение доменов в регистре 2 и канале продвижения

UMQ 6. При положении вектора управляющего поля Н „, показанном на фиг. 2, в шину 7 подается импульс тока длитель- 54 ностью, равной половине периода вращения вектора управляющего поля (фиг. 4) и полярностью, при которой домен растягивается по верхней границе шины, При положении вектора Н „,, показанном на 55 фиг. 2, домен не йереходит с предыдущей позициии на правую сторону T-об-. разной аппликации 3, а захватывается

92 4 притягивающими полюсами Т- и С-образной аппликацией каналов .6 продвижения

ПМД. При дальнейшем вращении вектора

Нчпр (фиг. 2) домен полностью переходйт на Т- и С-образные аппликации, так как по нижней границе шины 7 создается от импульса тока магнитное поле, препятствующее прохождению домена к притягивающему полюсу Т-образных аппликаций, т. е. поле коллапса, Б. Режим переключения и реплицирования UMQ.

На фиг. 3 показано расположение доменов в регистре 2 и канале 6 продвижения UMQ. При положении вектора Н„„р показанном на фиг. Ç8, в управляющую шину подается короткий (0,3 - 0,5 мкс) импульс тока высокой амплитуды (120—

130 мА) и полярностью, при которой домен растягивается вдоль верхней границы шины 7 и захватывается притягивающими полюсами Т- и С-образными аппликациями каналов продвижения UMQ. При дальнейшем повороте вектора Н >, показанном на фиг.. 38, в шину 7 йодается короткий (0,5 мкс) импульс тока амплитудой 120 — 130 мА и обратной полярности, при которой растянутый домен между при тягивающими полюсами С-, и Т-образных аппликаций реплицируется., в результате образуется два домена, один из которых идет в канал 6, а другой — в регистр 2 хранения (фиг. 3Ъ ).

На фиг. 4<3 и 6 показаны импульсы тока, подаваемые в шину 7 при различных режимах работы устройства.

Введение (-образных ферромагнитных аппликаций расширяет область устойчивой работы устройства, уменьшает амплитуды управляющих токов и повышает надежность устройства в целом.

Формула изобретения

Запоминающее устройство содержащее магнитоодноосную пленку, на которой расположены регистры хранения информации и каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов из С и Т -образных ферромагнитных аппликаций и токопроводяшую шину, выполненную в одном слое с ферромагнитными аппликациями и гальванически связанную с Т -образными аппликациями регистров хранения информации, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, оно содер6

Источники информации, инятые во внимание при зкспертизе

1.Р1 ИР Tech keV., Ч З6,16, 76, р. 149.

2. f EEE Trans Мц р.Ч -14, ¹ 5, 78, р. 218, (прототип).

5 ° 963092 жит на магнитоодноосной пленке Q -образ-.. ные ферромагнитные аппликации, располо- пр женные между Г -образными ферромагнитными аппликациями смежных регистров, 19 хранения информации и гальванически S связанные с токопроводяшей шиной. 1.9

963092 фиа 4

Составитель Ю.. Розенталь

Редактор Л. Пчелинская Техред А. Ач Корректор О. Билак

Заказ 7525/76 Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4