Ферромагнитный экран
с
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Сове теки к Социалистических Республик (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (51)М. Кл. G 12 В 17/02// Н 05 К 9/00 (22)Заявлено 13.04.81 (21) 3274911/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет Гооударстеенный комнтет СССР ло делам изобретений н открытнй Опубликовано 23.10.82. Б1оллетень № 39 (53) УДК 621.317. ;44(088.8) Дата опубликования описания 23 . 1 0 . 82 (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ЭКРАН 2 мый источник переменного тока. К двум противоположным точкам каждой оболочки подключены выходы источника переменного тока (2). Протекающий по оболочкам переменный ток распределяется по поверхностям неравномерно и намагничивает их неоднородно. Это создает дополнительное остаточное поле внутри экрана порядка 10 нТл, которое снижает коэффию циент экранирования, а создаваемое переменное поле тока подмагничивания создает переменные магнитные помехи до 1000 нТл, уменьшающие точность измерения полей внутри экрана. Цель изобретения - повышение точности. Поставленная цель достигается тем, что в ферромагнитный экран, содержащий две коаксиальные изолированные . ферромагнитные оболочки и источник переменного тока, введен второй источник переменного тока, фазовращатель и четыре кольцевые шины из электро1 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для защиты мер магнитной индукции от воздействия помех внешних магнитных полей при проверке магнитометров. Известен ферромагнитный экран с подмагничиванием переменным током,.содержащий коаксиально установленные с зазором оболочки, снабженные обмотками. Эти обмотки подключены к регулируемому источнику переменного тока(1). Магнитное поле подмагничивающих обмоток увеличивает магнитную проницаемость материала оболочки, но создает дополнительные переменные поля помех до 4000 нТл, которые уменьшают точность измерений магнитных полей в экране. Известен ферромагнитный экран с подмагничиванием переменным током, содержащий коаксиа",ü oíî установленные с зазором изолированные друг от друга ферромагнитные оболочки и регулируеЮ. В. Афанасьев, Л. Я. Бушуев, В. П. Порфи и В. И. шеремет 968858 Формула изобретения проводного материала, укрепленные попарно на противоположных торцах каждой из оболочек, при этом первый источник переменного тока подключен к шинам первой оболочки, а второй источник переменного тока подсоединен к шинам второй оболочки через фазовращатель противофазно первому источнику. На чертеже изображен ферромагнит- 1в ный экран с подмагничиванием переменным током Ферромагнитный экран содержит ферромагнитные оболочки t и 2,,у=тановленные коаксиально с зазором и изоли- 15 рованные друг от друга. На противоположных сторонах оболочек 1 и 2 укреплены шины 3, 4 и 5, 6 из электропроводного материала. Регулируемый источник 7 переменного тока подключен к 20 шинам 3 и 4 оболочки 1, а второй регулируемый источник 8 переменного тока с фазовращателем 9 подключен к шинам 5 и 6 оболочки 2 обратной полярностью, в противофазе. 25 Ферромагнитный экран работает следующим образом. С помощью шин 3, 4 и 5, 6 токи подмагничивания равномерно распределены по оболочкам 1 и 2, что обеспечивает 50 однородное их подмагничивание и снижение остаточного поля внутри экрана до уровня ниже 1 нТл. Однако из-за различия размеров оболочек 1 и 2 создаваемые токами I и 1, однородные маг35 нитные поля внутри экрана отличаются по амплитуде и фазе. Амплитуды переменных .магнитных полей от соседних оболочек 1 и 2 измеряются магнитометром, а их равенство ь центре экрана 40 устанавливается регулировкой источников 7 и 8 тока. Сдвиг фаз между переменными магнитными полями от соседних оболочек 1 и 2 определяется по осциллографу, подключенному к выходу маг45 нитометра (не показаны), и сводится к нулю регулировкой фазовращателя 9. При этом за счет чередующейся полярности токов I и t в соседних оболочках 1 и 2 создаваемые ими однородные переменные магнитные поля вычитаются, т. е . компенсируются в центре экрана до уровня примерно 1, нТл. Следовательно, переменные магнитные поля помех, 4 которые в известном устройстве достигают 1000 нТл, в предлагаемом устройстве уменьшаются. до 1 нТл. Испытания макета предлагаемого устройства показывают, что постоянное магнитное поле Земли с индукцией 5 « 104 нТл ослабляется внутри экрана до 1 нТл, т. е.. в 5-10 раз. Переменное магнитное поле частотой 50 Гц от тока подмагничивания каждой оболочки достигает 500 нТл и ослабляется предлагаемым устройством до 1 нТл, т. е. в 500 раз, При этом нестабильность амплитуды тока в 0,254 вызывает изменение остаточного поля в центре экрана на 1 нТл. Таким образом, по сравнению с известным ферромагнитным экраном с подмагничиванием переменным током предлагаемый экран позволяет на порядок повысить коэффициент экранирования и точность измерений магнитных полей в экранах. ферромагнитный экран, содержащий две коаксиальные изолированные ферромагнитные оболочки и источник переменного тока, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, в него введен второй источник переменного тока, фазовращатель и четыре кольцевые шины из электропроводного материала, укрепленные попарно на противоположных торцах каждой из оболочек, при этом первый источник переменного тока подключен к шинам первой оболочки, а второй источник переменного тока подсоединен к шинам второй оболочки через фазовращатель противофазно первому источнику. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе ° 1. Albach V. W., Voss.G. А. Еin durchvorregter Dynamobleche magnetische abgeschirmter Mebraum. 2. f.Angew. Phys k einschl Nuklåînik IХ Band, Heft 3/1957 111-115. 2. Cohem 0. А schielded facility for low-!eveI magnet!с measurements Journal of Applied Physics. V. 38, k" 3, 1967, р. 1295-1296. 968858 Составитель В. Новожилов Техред А. Бабинец Корректор М. Коста Редактор Л. Лукач Тираж 606 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 8184/79 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
