Магниторезистивная головка

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свмд-ву (22) Заявлено 30. 04. 81 (21) 3284482/18-10 (%1) М. КП. с присоединением заявки М9 (23) Приоритет

G 11 В 5/30

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий

tS3) УДК 681. 84..083.82 (088.8) Опубликовано 07.1282. Бюллетень Но 45

Дата опубликования описания 0712.82 (72) Автор изобретения

A. И. Иух (7i ) Заявитель

Минский радиотехнический институт (54 ) ИАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ГОЛО В1Ж

Изобретение относится к приборо. строению, в частности к технике магнитной записи и воспроизведения информации, и может быть использовано в производстве магниторе з истивных головок. . Известна магниторезистивная головка, содержащая последовательно расположенные нижний магнитный экран, нижний диэлектрический слой, магниторезистивный элемент, токоведущие дорожки, эквипотенциальные проводящие полоски, ориентированные под углом 45О к оси легкого намагничивания магниторезистивного элемента, верхний диэлектрический слой и верхний магнитный экран (1 ).

Недостатками данной головки являются наличие в ее выходном сигнале интенсивных шумов Баркгаузена, а также нестабильность чувствительности, что обусловлено многодоменной структурой магниторезистивного элемента. 1 роме того, эта головка имеет ограниченный входной сигнальный диапазон и высокий уровень нелинейных искажений выходного сигнала, вызванные характером токораспределония

|на краях магниторезистивного эле мента.

Известна также магниторезистивная головка, содержащая нижний магнитный экран, нижний диэлектрический слой, магниторезистивный элемент, две антиферромагнитные полоски, выполненные из высокоомного материала параллельно оси легкого намагничивания магниторезистивного элемента, токоведущие дорожки, эквипотенциальные проводящие полоски, ориентированные под углом 45 к оси легкого намагничивания магниторезистивного элемента, верхний диэлектрический слой и верхний магнитный экран (2 ).

Однако эта головка характеризу" ется недостаточной чувствительностью, ограниченной большим магнитным сопротивлением антиферромагнитной полоски, расположенной между магниторезистивным элементом и носителем записи, а также узким входным сигнальным диапазоном и относительно высоким уровнем нелинейных искажений выходного сигнала.

Цель изобретения — повышение чувст вительности, расширение входного сигнального диапазона и снижение

I уровн я нелинейных искажений выходног сигнала.

980142

Формула изобретения

50

60

Поставленная цель достигается тем, что антиферромагнитные полоски расположены в нижнем диэлектрическом слое под краями магниторезистивного элемента, причем ширина антиферромагнитных полосок не менее 0,7 значения наименьшего расстояния между двумя соседними эквипотенциальными проводящими полосками, а сами анти ферромагнитные полоски образуют общую планарную поверхность с нижним диэлектрическим слоем.

На фиг. 1 показана магниторезистивная головка; на фиг. 2 - функцио-t нальная схема магниторезистивной roловки, на фиг ° 3 — характер токораспределения в магниторезистивном элементе.

Магниторезистивная головка содержит нижний магнитный экран 1, нижний диэлектрический слой 2, магниторезистивный элемент 3, две антиферромагнитные полоски 4 и 5, расположенные в нижнем диэлектрическом слое 2 под краями магниторезистивного элемента 3 параллельно оси его легкого намагничивания и образующие общую планарную поверхность с нижним диэлектрическим слоем. Съем электрического сигнала осуществляется через токоведущие дорожки б и 7, концы которых выведены к контактным площадкам 8 и 9. На поверхности магниторезистивного элемента 3 расположены эквипотенциальные проводящие полоски 10, ориентированные под углом 45 к его оси легкого намагнио чивания. Поверх указанных выше электропроводящих элементов 3, 8, 9 и 10 расположены верхний диэлектрический слой 11 и верхний магнитный экран 12. Магниторезистивная головк сформирована на подложке 13, Под действием магнитного поля Й, создаваемого магнитным носителем 14 записи (фиг.2:), вектор намагниченности М магниторезистивного элемента 3 поворачивается на некоторый угол 9, пропорциональный величине поля Й с частотой, равной частоте изменения этого поля. При протекании через магниторезистивный элемент

3 постоянного электрического тока детектирования I изменение ориентации вектора М относительно ориентации вектора плотности тока детектирования 1 на некоторый угол 8 вызывает изменение удельного электрического сопротивления анизотропного ферромагнитного материала, из которого выполнен магниторезистивный элемент 3.

Воспроизводимый магниторезистивньм элементом 3 электрический сигнал снимается через контактные площадки 8 и 9 и подается в регистрирующую аппаратуру. Эквипотенциальные проводящие полоски 10 служат для линеаризации характеристики передачи головки.

Расположение антиферромагнитных полосок 4 и 5 под краевыми участками магниторезистивного элемента 3 приводит к увеличению коэрцитивной силы этих участков, что делает их нечувствительными к изменениям поля

Й. Это, в свою очередь, обеспечивает значительное снижение искажений выходной характеристики магниторезистивного элемента 3, вызванных тем, что по мере приближения к краям укаэанного элемента значение угла

8э между векторами N и 1 изменяется от 45 до 0 в пределах треугольников

ABC u DEF (фиг.3) .

Минимальная ширина антиферромагнитных полосок 4 и 5, равная 0,7 величины расстояния между соседними эквипотенциальными проводящими полос-1 ками 10, обусловлена необходимостью перекрытия указанных треугольников антиферромагнитными полосками.

Высокое удельное электрическое сопротивление антиферромагнитных по25 лосок 4 и 5, а также их расположение, в нижнем диэлектрическом слое 2 и образование с ним общей ланарной по,верхности не нарушает характера токораспределения по всему магниторезис30 тивному элементу 3.

Изобретение позволяет значительно расширить функциональные возможности магниторезистивных головок, особенно при воспроизведении аналоговой

35 информации, требующей минимальных нелинейных искажений в широком динамическом диапазоне входногб сигнала и высокой чувствительности.

Магниторезистивная головка, содержащая нижний магнитный экран, нижний диэлектрический слой, магниторезистивный элемент, две антиферромагнитные полоски, выполненные из высокоомного материала параллельно оси легкого намагничивания магниторезистивного элемента, токоведущие дорожки, эквипотенциальные проводящие полоски, ориентированные под углом 45 к оси легкого намагничивания магниторезистивного элемента, верхний диэлектрический слой и верхний магнитный экран, о т л и— ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения чувствительности, расширения входного сигнального диапазона и снижения уровня нелинейных искажений выходного сигнала, антиферромагнитные полоски расположены в нижнем диэлектрическом слое под краями магниторезистивного элемента, причем ширина антиферромагнитных полосок не менее 0,7 значения наименьшего расстояния между двумя соседними эквипотенциальными проводящими

980142 полосками, а сами антиферромагнитные полоски образуют общую планарную поверхность с нижним диэлектрическим слоем.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Франции 9 2266253, кл. G 11 В 5/30, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

Ino заявке 9 2825253/18-10, кл. 6 11 В 5/30, 20.05.80 (прото5 тип) .

980142

Фю 7

Составитель В. Добровольский

Техред О. Неце Корректор О. Билак

Редактор Ю.Ковач

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 9367/41 Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5