Способ получения монокристаллов алмаза

 

(19)SU(11)999439(13)A1(51)  МПК 6    C01B31/06(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА

Изобретение относится к способам получения сверхтвердых материалов, а именно монокристаллов алмаза, и может быть использовано в станкоинструментальной промышленности. Известен способ получения монокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на графит, находящийся в контакте с растворителем сплавом на основе кобальта, никеля и/или железа, имеющим сложный фигурный профиль. Недостатками способа являются низкие выход (15-20 мас.) и термостойкость монокристаллов. Наиболее близким техническим решением является способ получения монокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя сплава марганца и никеля и/или кобальта с 0,5-5 мас. углерода. Недостатком способа является пониженная термостойкость монокристаллов алмазов, что объясняется примесью трудноудаляемых карбидов марганца. Целью изобретения является повышение термостойкости монокристаллов алмазов. Поставленная цель достигается тем, что способ получения монокристаллов алмаза включает воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя сплава марганца, никеля и/или кобальта, содержащего 0,04-0,4 мас. углерода. Отличие заключается в использовании сплава с 0,04-0,4 мас. углерода. Экспериментальным путем установлено, что использование растворителя сплава марганца, никеля и/или кобальта с содержанием углерода 0,4-5,9 мас. резко снижает термостойкость алмаза. Это объясняется тем, что при увеличении концентрации углерода до свыше 0,4 мас. происходит образование карбидов. Образуются как крупные первичные карбиды в форме шестиугольной призмы, так и мелкие (2-4 мкм) двойной эвтектики, а также мелкопластинчатая, веерного типа тройная эвтектика из карбидов -фазы. Рентгенографически установлен состав карбида Mg7C3. Таким образом, повышение содержания углерода ведет к увеличению доли карбидной фазы в сплаве, что приводит к снижению термостойкости алмазов. При использовании сплава с содержанием углерода менее 0,04 мас. резко снижается общий выход алмаза. Наилучшие результаты по термостойкости алмазов были получены при использовании сплава Ni-Mn, Co-Mn с содержанием углерода 0,08 мас. П р и м е р 1. Готовят однородную смесь порошков, состоящую из 1 г графита и 1 г сплава Ni-Mn-Co; содержащего 0,04 мас. углерода, помещают смесь в камеру высокого давления, поднимают вначале давление до 40 кбар, затем температуру до 1300оС и при этих условиях содержимое камеры выдерживают 10 мин. Затем температуру и давление снижают и извлекают содержимое. Выполняют 250 пресс-спеканий. После чего производят химическую очистку алмаза от примесей, извлеченные алмазы подвергаются дроблению и классификации. Выход крупных зернистостей алмаза 315/250 мкм и выше составляет 40% П р и м е р 2. Готовят однородную смесь порошков, состоящую из 1 г графита и 1 г сплава Ni-Mn, содержащего 0,08 мас. углерода, смесь помещают в камеру высокого давления, поднимают вначале давление до 50 кбар, затем температуру до 1200оС, при этих условиях реакционную смесь выдерживают 10 мин. Затем последовательно снижают температуру и давление и извлекают содержимое. Выполняют 350 пресс-спеканий, после чего производят химическую очистку алмаза от примесей, извлеченные алмазы подвергают дроблению и классификации. Выход крупных зернистостей алмаза 315/250 мкм и выше составляет 45%
П р и м е р 3. Готовят однородную смесь порошков, состоящую из 1 г сплава Ni-Mn, содержащего 0,2 мас. углерода, смесь помещают в устройство высокого давления, поднимают вначале давление до 60 кбар, затем температуру до 1160оС, при этих условиях реакционную смесь выдерживают 10 мин. Далее поступают как в примере 2. Выполняют 300 пресс-спеканий, после чего производят химическую очистку алмаза от примесей, извлеченные алмазы подвергают дроблению и классификации. Выход крупных зернистостей алмаза 315/250 мкм и выше составляет 40%
П р и м е р 4. Готовят однородную смесь порошков, состоящую из 1 г графита и 1 г сплава Со-Mn, содержащего 0,4 мас. углерода. Смесь помещают в устройство высокого давления, поднимают вначале давление до 45 кбар, затем температуру до 1250оС, выдерживают реакционную смесь при этих условиях 10 мин. Выполняют 200 пресс-спеканий, после чего производят химическую очистку, извлеченные алмазы подвергают дроблению и классификации. Выход крупных зернистостей 315-250 мкм и выше составляет 35%
В таблице представлены сравнительные данные по термостойкости монокристаллов алмаза, полученных по предлагаемому способу и по способу-прототипу (с использованием сплава, содержащего 5,9 мас. углерода). Таким образом, использование сплава марганца с никелем и/или кобальтом, содержащего 0,04-0,4 мас. углерода позволяет повысить термостойкость синтезированных монокристаллов алмаза на 35-45% что подтверждает положительный эффект.


Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя сплава углерода с марганцем, никелем и/или кобальтом, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости монокристаллов алмаза, используют сплав с 0,04 0,4 мас. углерода.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам получения сверхтвердых материалов и может найти применение в машиностроении в качестве конструкционного материала и в станкостроительной промышленности в качестве абразива
Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технике, преимущественно в электронике

Изобретение относится к взрывному синтезу алмазов и может быть использовано для синтеза алмаза непосредственно в процессе детонации углеродсодержащего взрывчатого вещества с отрицательным кислородным балансом (BB) и дальнейшего разлета продуктов взрыва

Изобретение относится к технологии приготовления шихты в процессе производства сверхтвердых материалов (СТМ), в частности алмаза, и может быть использовано на предприятиях, производящих и/или применяющих искусственные алмазы и алмазный инструмент из них

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА), в том числе с полупроводниковыми свойствами

Изобретение относится к технике для производства сверхтвердых материалов (СТМ), например алмазов, путем синтеза

Изобретение относится к полиморфным соединениям углерода и может быть использовано в качестве молекулярного углеродного соединения при производстве новых конструкционных и химических материалов
Изобретение относится к получению кристаллов алмаза и других сверхтвердых материалов

Изобретение относится к технологии получения синтетических алмазов, конкретно к способам выделения синтетических алмазов, полученных в детонационной волне
Изобретение относится к технологии кристаллов на полиморфной основе и может быть использовано для промышленного производства кристаллов большой плотности в ювелирной промышленности, а также других областях техники

Изобретение относится к гидрометаллургии цветных металлов
Наверх