Патенты автора ГЛУЩЕНКО В.Н.

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1542337

Изобретение относится к микроэлектронике , в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с многоуровневой металлизацией

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1505358

Способ изготовления @ -р- @ -высокочастотных транзисторных структур // 1499602

Устройство для продувки камеры // 1380309

Способ изготовления @ -р- @ -транзисторных структур // 1373231

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и применимо в технологии изготовления дискретных транзисторных структур и интегральных схем

Планарная транзисторная структура // 1272927

Способ изготовления мощных ВЧ и СВЧ транзисторов // 1163763

Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур // 1160895

Способ изготовления высокочастотных транзисторных структур // 1114242

Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов // 1102433

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур // 1050475

Способ изготовления мощных кремниевых @ -р- @ транзисторов // 1018543

Способ изготовления полупроводниковых структур с высокоомными диффузионными слоями // 986229

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур // 980568

Способ получения эмульгатора гидрофобных эмульсий // 959388

Способ изготовления быстродействующих транзисторных структур // 950113

Способ изготовления мощных ВЧ-транзисторов // 900759

Способ изготовления ВЧ транзисторных структур // 867224

Способ изготовления интегральных МДП-транзисторов // 865053

Устройство для подачи в камеру термического окисления // 847724

Изобретение относится к устройствам для подачи газа в камеру термического окисления и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности

Способ изготовления ВЧ р- @ -р транзисторов // 845678

Способ изготовления транзисторных структур // 795311

Наверх