Устройство для продувки камеры

Авторы патента:

ГЛУЩЕНКО В.Н.

ГОРДИЕНКО К.И.

ГРИЩУК Г.И.

ЖАРИКОВ В.А.

КОЛЕСНИКОВ В.Ф.

C30B25/08 - реакционные камеры; выбор материалов для них

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И1 (S1)5 С 30 В 25 08

ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 15.07.93. Бюл. 1 26 (21) 4023121/26 (22) 11.02,86 (72) В.Н.Глущенко, К.И.Гордиенко, Г.И.Грищук, В.А.Жариков и В.ф.Колесников (56) Бургер P., Донован P. Основы технологии кремниевых интегральных . схем-окисление, диффузия, эпитаксия, М.: Мир, 1969, с.180-!81, рис.4,15, с.261-263, рис.7,4. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОДУВКИ KAMEPbl (57) Изобретение относится к средствам очистки реакционных камер (К), используемых для проведения химикотехнологических процессов, и обеспечивает повышение эффективности очистки стенок К, Устройство содержит патрубок (П) с отражателем, закреплен-, ным перед выходным отверстием Л. Отражатель снабжен крышкой, размещенной на торце D. По периметру крышки выполнены отверстия под углом 35о

80 к оси П. Суммарная площадь поперечного сечения отверстий крышки равна нли меньше площади поперечного сечения выходного отверстия П. Рас стояния между-отверстиями крышки и между ними и стенкой К не более утроенного диаметра отверстия. В обеспыпенной согласно.изобретению камере получены Подзатнорные диэлек0 трики двуокиси кремния толщиной 750 А с пористостью 4-5 пор,см . I нл, 1 138030.1 ?

ИзобрРте!г(!е отгн3ситсн к иикрозлектроггггкР z! может быть использовано

npzt проведении хим! !ко техлолО Гическ их процессов в реакционных камерах.

Пель!о изобретения является повы5 шР»ие эффективности Очистки стРИОК камеры.

На чертеже изображено устройство, продольный разрез. 10

Устройство содержит патрубок 1 для подачи газа, снабженный отражателем

2, эакрРппенным перед Bbtx0pztblbt от"верст!(ем 3 патрубка 1, Отражатель 2 снабжен крыпгкой 4, размещен«(ой на торце вьгходного отверстия 3 патрубка 1. Ио периметру крышки 4 выполнены отверстия 5 под углои 35-80 к оси

0 патрубка 1 „Устройс гво ус тано!3лено .с зозможпостью осевого перемепгения в 20 камере 6, ииегощей патрубок 7 для пода и! газа. Дпя QTIJîäà газа из камеры

6 гьгполпег1 зазор В между торцог! камеры 6 и заслонкой 9, 1(амера снабжена иагревателеи 10, 25

Сумиарггая плогцадь попере !ного се-чения отверстий 5 ;., крьппке 4 равна или меньше площагп! поперечного сече-!

И(я ныход»ого отвратил 3 патрубка 1.

Расстояние между о:. -перстнями 5 и 30 между ними и стет!кой камеры 6 не более угрое1!1!Ого диаметра отверстия 5.

11а чертеже стрелками показано направление газовых потоков.

Устройство работае. следугощим об35 разом.

В промежутках между тех. Iaлогичес.кими процессами в камеру 6 вставляют устройство. Через патрубок пода!от поток обесгп,гле!«!о! о газа под избыточ- 40

tttз?2 1 дан 1е»г!еи . 1е р е 3 и атрубок 7 н кг1меру 6 та!<же под lгот сбеспеленный газ.

Стенки камеры 6 нагрев!нот с помощью нагревателя 10„ Поток газа, зыходящ!Гй из отверстий . 1, обдувает стенк« о

45 камеры под углом 35-80 что обеспечивает Jt;ltt te0Jlp.e ."-ффе1;тин»ую очистку стенок к;.мер!! от ггьгггп, образупгщейся в результате рекристаллиэации стенок камеры 6 при проведении технологических процессов. Эмпирически установлено, что расстояние между отверстиями 5 и зазор до стенок камеры

6 должны находиться на уровне не более утроенного диаметра отверстия

5. Далее, медленно выдвигая устройство из камеры 6, продувают ее и очищают таким образом стенки камеры 6 от,пыли. На выходе газового потока через зазор 8 частицы пыли уносятся усиленной вытяжной вентиляцией.

Проведение в камере, обеспыленной с помощью изобретения, процесса получения подзатнорного диэлектрика о днуокиси кремния толщиной 750 Л позволяет снизить пористость окисла г г с 6-8 пор/см до 4-5 пор/см, остаточный уровень кбторого определяется технологическим процессом получения слоя.

Формула изобретения в

Устройство для продувки камеры х«иико-термической обработки полупроводников, Содержащее патрубок для подачи газа, подвижно установленный в камере и снабженньп! отражателем, закрепленньп! перед выходным отверстием патрубка, о т л и ч а го щ е е с я тем, что, с целью повышения эффективности очистки стенок камеры, отражатель снабжен крышкой, размещенной на торце входного отверстия патрубка и имеющей отверстия, выполненные по ее периметру под углом о

35-80 к оси патрубка, причем суммарная площадь поперечного сечения отверстий в крышке ранна или меньше площади поперечного сечения выходного отверстия патрубка, а расстояния между отверстиями крьппки и между ними и стенкой камеры не превышает утроенно о диаметра отверстия.

I 380309

Составитель В. Захаров-Черенков

Техред И. Ходанич

Редактор С.Кулакова

Закаэ 2835

Проиэводственно-полиграфическое предприятие, r.Óæroðáä, ул Проектная, 4

Тираж

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретений и открытий

1!3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Корректор И.Муска

Подписное

Изобретение относится к устройствам для выращивания эпитаксиальных слоев соединений A3B5 хлоридно-гидридным методом и может быть использовано в полупроводниковой промышленности

Реактор для осаждения слоев // 1321136

Изобретение относится к конструкции реактора для осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев из газовой фазы, полученной смешиванием двух и более разнородных газов

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы // 1089181

Устройство для осаждения слоевиз газовой фазы // 827621

Устройство для обработки подложекфотоактивированным газом // 802414

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений // 764208

Устройство для обработки пластин в газовой фазе // 733135

Устройство для наращивания монокристаллических пленок из паровой фазы вещества // 146282

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления // 2162117

Устройство для получения изделий и покрытий из нитрида бора // 2042751

Изобретение относится к высокотемпературному газофазному осаждению

Устройство для выращивания многослойных эпитаксиальных полупроводниковых структур // 1462857

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев

Затвор реактора для газовой эпитаксии // 1663061

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы // 1686044

Устройство для получения пленок // 1726572

Изобретение относится к оборудованию для нанесения металлических, полупроводниковых и диэлектрических покрытий и может найти практическое применение в полупроводниковой промышленности, обеспечивает повышение однородности толщины и структурно-чувствительных параметров пленки и снижение потерь испаряемого соединения/Устройство включает обогреваемый цилиндрический кварцевый реактор, установленный горизонтально, расположенные внутри него кювету для испаряемого соединения и подложку для осаждения пленок, средство для ввода в реактор газа-носителя и средство для вывода, соединенное с фильтром-ловушкой продуктов разложения

Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов // 1768675

Устройство для получения слоев тугоплавких нитридов методом химического газофазного осаждения // 1806225

Способ и устройство для изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов iii группы // 2593868

Изобретение относится к технологии изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов III группы для электронных и оптоэлектронных применений. Способ включает стадии выращивания первого слоя нитридов элементов III группы на инородной подложке, обработки первого слоя нитридов элементов III группы лазером, выращивания второго слоя нитридов элементов III группы на первом слое нитридов элементов III группы, отделения путем лазерного отслаивания второго слоя нитридов элементов III группы от подложки, при этом лазерную обработку первого слоя выполняют внутри реактора и при температуре в пределах ±50°С от температуры выращивания, лазерную обработку первого слоя выбирают, по меньшей мере, из одного из следующего: отрезание, сверление или травление для образования бороздок, отверстий или других полостей в первом слое и создания между ними областей пониженных напряжений, стадию отделения с помощью лазерного отслаивания второго слоя нитридов элементов III группы от подложки выполняют внутри реактора и при температуре в пределах ±50°С от температуры выращивания. Способ осуществляют в реакторе, содержащем первую зону 8 для эпитаксиального выращивания слоев 2,5 нитридов элементов III группы путем ХОПФ на инородной подложке 1, вторую зону 9 для лазерной обработки, которая включает систему 11 лазерной обработки с передней стороны слоя 2 нитридов элементов III группы для создания области снятия напряжений, которую выбирают, по меньшей мере, из одного из следующего: лазерного отрезания, сверления или травления, и систему 10 отслаивания слоя 5 нитридов элементов III группы от подложки путем воздействия лазерного луча, проникающего к слою с обратной стороны подложки. Изобретение позволяет получать кристаллы в форме пластин с низкими напряжениями и низкой плотностью дефектов. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Способ получения монокристаллов моноклинного диоксида гафния // 2631080

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов диоксида гафния, которые могут быть использованы в качестве компонентов сцинтилляционных детекторов, лазеров, иммобилизаторов нуклеиновых кислот, биосенсоров, биодатчиков. Способ включает взаимодействие металлического гафния, размещенного внутри кварцевой ампулы, служащей источником кислорода, с тетрафторидом углерода, которым заполняют ампулу после ее вакуумирования, и нагревание запаянной ампулы с вышеназванными реагентами при температуре не более 1200°С в течение не менее 24 ч, при этом металлический гафний помещают в квазигерметичный патрон, выполненный из никеля или терморасширенного графита с отверстием не более 2-6 мм2 и размещенный внутри кварцевой ампулы, которую заполняют тетрафторидом углерода до давления не более 250 торр. Технический результат заключается в возможности получения монокристаллов моноклинного диоксида гафния большого размера за счет медленного роста вследствие ограниченной диффузии газообразных фторидов гафния через отверстие малого диаметра в патроне, изготовленном из материала, инертного к тетрафториду углерода и тетрафториду гафния. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 пр.