Патенты автора Ильичев Эдуард Анатольевич (RU)

Изобретение относится к области вакуумной фотоэмиссионной электроники и касается приемника изображений объектов, излучающих в ультрафиолетовом диапазоне. Приемник выполнен в архитектуре электронно-оптического преобразователя и включает входную оптическую систему, вакуумно-плотный корпус, входное окно, расположенный на торцевой поверхности входного окна фотокатод на основе поликристаллической алмазной пленки, легированной бором, микроканальную пластину, катодолюминесцентный экран и волоконно-оптическое стекло. Дополнительно в систему включен фотокатод на основе германия со сквозными отверстиями, поверхность которого располагается в фокальной плоскости инфракрасных изображений местности, формируемой общей оптической системой. При этом фотокатод на основе германия расположен либо на поверхности микроканальной пластины или на поверхности дополнительно введенной кремниевой мембраны. Технический результат заключается в обеспечении возможности регистрации излучающих в ультрафиолетовом диапазоне объектов в привязке к местности их расположения. 2 ил.

Группа изобретений относится к области биотехнологии. Предложен способ и устройство определения нуклеотидной последовательности молекулы нуклеиновой кислоты. Способ включает иммобилизацию на сенсоре закольцованных фрагментов нуклеиновой кислоты и полимеразы, добавление на поверхность сенсора смеси немеченых дезоксирибонуклеотидов или рибонуклеотидов, где нуклеотид каждого вида присутствует в концентрации, отличной от концентраций других видов, регистрацию сенсором факта разделения зарядов в результате встраивания каждого нуклеотида полимеразой в секвенируемый фрагмент ДНК, определение временных интервалов между каждым фактом и определение нуклеотидной последовательности на основе определенных временных интервалов. Устройство включает микросхему с матрицей ячеек сенсоров и аналого-цифровую схему, микрофлюидное устройство, устройство обработки и отображения данных. Изобретения обеспечивают повышение точности и производительности секвенирования нуклеиновых кислот. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 38 ил., 4 табл., 10 пр.

Изобретение относится к устройствам оптоэлектроники и может быть использовано в процедурах регистрации физико-технических процессов, сопровождаемых ультрафиолетовым изучением. Приемник-преобразователь оптических изображений включает последовательно расположенные приемник-преобразователь изображений ультрафиолетового диапазона в изображение видимого диапазона и следующий за ним приемник изображений видимого диапазона с функцией усиления и цифрового преобразования. В качестве приемника-преобразователя ультрафиолетовых изображений в видимое используется алмазная мембрана, насыщенная SiV центрами, на входе которой установлен фильтр, вырезающий излучение в спектральной полосе 735…740 нм, а на выходе мембраны установлен фильтр, пропускающий излучение в спектральной полосе 735…740 нм. Изобретение обеспечивает уменьшение массы и габаритов приемника-преобразователя изображений. 1 ил.

Изобретение относится к приемникам-преобразователям оптических изображений с внутренним усилением. Оно может быть использовано для регистрации и усиления оптических изображений объектов в спектральном диапазоне 40…270 нм вакуумного ультрафиолета (ВУФ), с возможностью последующего цифрового преобразования аналогового сигнала изображений. Устройство выполнено в виде эмиссионного приемника изображений архитектуры ЭОП, чувствительного в спектральном диапазоне 40…270 нм. Входное окно выполнено из алмазной пластины, насыщенной SiV центрами с внешней стороны до толщин, больших обратной величины коэффициента поглощения входного излучения на длинах волн в 40…270 нм, а фотокатод из материалов, чувствительных в спектральном диапазоне 730…740 нм, расположен на тыльной стороне входного окна. Технический результат - возможность регистрации, преобразования и усиления оптических изображений пассивных (отражающих) и активных (излучающих) объектов с минимальными размерами ~ 80…90 нм, с пороговой чувствительностью в (1…3)×10-11Вт/(Гц)0,5 и токовой чувствительностью в 30…40 мА/Вт. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым преобразователям для автономных источников питания и может быть эффективно использовано для совместной работы с маломощными источниками бета-излучений. Для автономного бета-вольтаического источника питания предложена конструкция полупроводникового преобразователя конденсаторного типа с функцией умножения потока электронов, работа которой основана на вторичной эмиссии электронов, а в качестве базового материала используется алмаз. Техническим результатом является возможность значительно уменьшить токи утечки при одновременном увеличении тока зарядки и величины генерируемого напряжения при той же мощности бета-вольтаического источника излучений, при этом одновременно обеспечивается возможность удовлетворить требования по радиационной стойкости (которым не удовлетворяют приборы на кремнии) в полупроводниковых преобразователях на p-i-n структурах, работающих в вентильном режиме. 1 ил.

Изобретение относится к конструкции вакуумного эмиссионного триода с сильноточным "холодным" катодом. Предусмотрено использование микроканальной пластины, активированной к процессам вторичной эмиссии электронов, в каналы которой асимметрично внедрено вещество маломощного изотопа. Управляющим электродом триода является металлизированная поверхность другой стороны микроканальной пластины, а между ней и анодом может быть расположен ряд других микроканальных пластин с функцией умножения потока электронов. Техническим результатом является повышение тока катода с обеспечением экологической безопасности. 1 ил.

Группа изобретений относится к области биотехнологии. Предложен способ и устройство определения нуклеотидной последовательности молекулы нуклеиновой кислоты. Способ включает иммобилизацию на сенсоре закольцованных фрагментов нуклеиновой кислоты и полимеразы, добавление на поверхность сенсора смеси немеченых дезоксирибонуклеотидов или рибонуклеотидов, где нуклеотид одного вида присутствует в меньшей концентрации, регистрацию сенсором факта разделения зарядов и определение временных интервалов между каждым фактом, повторение стадий добавления, регистрации и определения, где при каждом повторении вид нуклеотида с меньшей концентрацией изменяется, а далее определение нуклеотидной последовательности на основе определенных временных интервалов. Устройство включает матрицу с множеством ячеек сенсоров и аналого-цифровую схему, микрофлюидное устройство, устройство обработки и отображения данных, микросхемы матрицы ячеек сенсоров. Изобретения обеспечивают повышение точности и производительности секвенирования. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 34 ил., 3 табл., 8 пр.

Изобретение относится к устройствам вакуумной СВЧ-электроники и может быть использовано в устройствах коммутации тока, в смесителях и в других приборах и устройствах силового сектора СВЧ-электроники. Автоэмиссионный СВЧ-диод содержит вакуумно-плотный корпус из металлокерамики, источник электронов, анод с винтовым окончанием, штенгель и электрические контакты. Вместо входного окна располагают вакуумно-плотно соединенную с корпусом металлическую заглушку, автокатод выполняют на основе гетероструктуры подложка Si-nanoSi-C-MoC либо подложка Si-nanoSi-C-графен и располагают на внутренней стороне заглушки, вытягивающий электроны электрод выполняют из металл-углеродной либо графеновой пленки и располагают между автокатодом и анодом. Технический результат - повышение однородности автоэмиссии для автокатодов большой площади. 1 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и предназначено для использования в разработках и исследованиях конструктивно-технологических методов создания автоэмиссионных сред, в том числе и сред, процесс автоэмиссиии из которых активируется электромагнитным излучением оптического либо радиочастотного диапазонов. В частности, указанное устройство необходимо для разработки и исследований технологий и конструкций высоковольтных и сильноточных автокатодов, для изучения протекающих в них деградационных процессов. Это достигается объединением в рамках единой вакуумно-плотной конструкции оптического и автоэмиссионного узлов, совместная работа которых основана на интеграции такого ряда физических процессов, как автоэмиссия электронов, стимулированная электрическим полем фотоэмиссия электронов, и катодолюминесценция. Технический результат - обеспечение возможности для изучения в режиме «on line» статики и динамики процессов автоэмиссии, определения степени однородности эмиссии с поверхности автоэмиссионных сред с разрешением не хуже 50-100 мкм, изучения динамики и статики процессов деградации, корреляционных связей между деградацией электрических характеристик и морфологическими изменениями поверхности автокатодов. 4 ил.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается электронно-оптического преобразователя. Преобразователь включает в себя корпус с вакуумно-плотными входным и выходным окнами, фотокатод на основе алмазной пленки, ускоряющие электроды, волоконно-оптическую пластину, люминесцентный экран и геттер. На входном окне расположен тонкий слой прозрачного в УФ области спектра соединения сурьмы с цезием. За входным окном расположена прозрачная для ультрафиолетового диапазона пластина с нанесенным на нее со стороны, обращенной к люминесцентному экрану, фотокатодом на основе слаболегированной акцепторами поликристаллической алмазной пленки. Технический результат заключается в обеспечении возможности управления квантовой эффективностью и положением «красной границы» фоточувствительности. 2 ил.

Изобретение относится к структурам для автоэмиттеров. Изобретение обеспечивает значительное увеличение рабочих токов автокатода, повышение стойкости устройств к деградации и увеличение их рабочего ресурса. В гетеропереходной структуре на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы сформирован массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не превышает диффузионную длину электронов, а концентрация акцепторов в нем находится в диапазоне 1020-1024 м-3. В случае частного решения p-слой выполнен в виде совокупности мезаструктур. Гетероструктура и ее частное решение могут быть использованы при конструировании схем и устройств силовой СВЧ-электроники. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к фотокатодным узлам вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-0,45 мкм. Технический результат - расширение спектральной области чувствительности к электромагнитному излучению. Фотокатодный узел состоит из оптического окна для входного излучения и фотокатода, который выполнен в виде сплошной либо сетчатой мембранной конструкций на основе поликристаллической алмазной пленки, слаболегированной акцепторами, или сплошной поликристаллической алмазной пленки, слаболегированной акцепторами с нано- и микроструктурированной поверхностью, и многощелочного фотокатода, содержащего цезий и сурьму, расположенного на тыльной стороне входного оптического окна в виде пленки наноразмерной толщины в 10-30 нм на расстоянии 0,1-1,0 мм от приемной поверхности алмазного фотокатода. 1 ил.
Изобретение относится к области электронной техники. Технический результат - расширение в длинноволновую область диапазона спектральной чувствительности к электромагнитному излучению, повышение токовой чувствительности и квантовой эффективности. Фотоэлектронный умножитель представляет собой гибридную сборку многоэлементного устройства в составе входного оптического окна, алмазного фотокатода, динодов и анода. Пленка многощелочного фотокатода наноразмерной толщины расположена на выходной поверхности оптического окна, поверхность алмазного фотокатода нано(микро)структурирована и слабо легирована акцепторами, поверхность динодов нано(микро)структурирована и покрыта алмазной пленкой, слабо легированной акцепторами.

ФОТОКАТОД // 2569917
Использование конструкции согласно изобретению - это фотокатодные узлы вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-1,0 мкм. Предложен фотокатод из высокочистого полупроводника, при этом регистрирующий оптическое излучение слой полупроводника расположен на прозрачной для оптического излучения подложке, его толщина (d) связана с коэффициентом поглощения излучения (α) соотношением d≈(2-5)·α-1, омический контакт выполнен по периферии слоя, а на лицевой поверхности высокочистого полупроводника расположен диэлектрический слой нанометровой толщины и приемный электрод, отделенный от диэлектрического слоя вакуумным промежутком и выполненный в виде пленок из проводящего полупрозрачного для оптического излучения материала и люминофора, последовательно нанесенных на прозрачную для света подложку. Изобретение обеспечивает существенное расширение спектрального диапазона чувствительности фотокатодов при высокой однородности их пространственных характеристик и значительное упрощение технологии изготовления по сравнению с мембранными и острийными конструкциями. 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что маска из диэлектрика или металла изготавливается до роста алмазной пленки на подложке с ровной поверхностью, обеспечивающей субмикронные размеры маски, с последующим формированием на маске алмазной пленки и вскрытием окна со стороны подложки, что обеспечивает доступ со стороны подложки реагентов для травления алмазной пленки через маску. Изобретение обеспечивает формирование субмикронной маски для травления алмазной пленки до роста алмазной пленки. 6 ил.,1 табл.

ФОТОКАТОД // 2542334
Изобретение относится к области электронной техники. В фотокатоде, выполненном из высокочистого полупроводника, область, регистрирующая оптическое излучение, выполнена в виде полупроводниковой мембраны с омическим контактом к несущей ее подложке и расположенной над отверстием в ней, на лицевой поверхности полупроводниковой мембраны расположен диэлектрический слой нанометровой толщины и приемный электрод, отделенный от диэлектрического слоя вакуумным промежутком и выполненный в виде пленок из проводящего полупрозрачного для оптического излучения материала и люминофора, последовательно нанесенных на прозрачную для света подложку. Технический результат - расширение спектрального диапазона чувствительности фотокатодов. Области возможного использования предлагаемой конструкции - фотокатодные узлы вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,22-1,0 мкм. В основу работы предлагаемого фотокатода положены туннельно-термоактивационные физические эффекты, что дает возможность управляемо изменять работу выхода фотоэлектронов в вакуум. 2 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении твердотельных компактных мощных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазонов частот. Гетеропереходная структура согласно изобретению представляет собой совокупность чередующихся пар узкозонных (GaAs, либо GaN) и широкозонных (соответственно, Ga1-x Alx As, либо Ga1-xAlxN) полупроводниковых слоев. Толщины чередующихся узкозонных и широкозонных слоев выбираются одинаковыми в диапазоне 30…100 нм, узкозонные GaAs и GaN слои многослойной гетероструктуры легируются донорами до концентраций 5·1017…1·1018 см-3, а широкозонные слои Ga1-xAlxAs и Ga1-xAlxN не легируются, количество периодов пар чередующихся GaAs и Ga1-x Alx As (и, соответственно, GaN и Ga1-xAlxN) слоев мультислойной гетероструктуры выбирается от трех до нескольких десятков, мольная доля арсенида алюминия для всех слоев арсенида галлия - арсенида алюминия выбирается из диапазоне 0,20…0,35, а мольная доля нитрида алюминия для всех слоев нитрида галлия - нитрида алюминия выбирается из диапазона 0,35…0,65, при этом в слое Ga1-x Alx As (для системы GaAs-AlAs) и в слое Ga1-xAlxN (для системы GaN-AlN) из пары, наиболее удаленной от подложки, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) понижена и составляет около 0.7·Х, а сам этот слой покрыт более толстым (не менее 150 нм) легированным GaAs (соответственно, GaN) слоем. Вариантом заявляемой структуры может быть структура, в которой в слое твердого раствора из пары, ближайшей к подложке, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) составляет (0,65…0,75)·Х. Изобретение обеспечивает существенное увеличение мощности твердотельных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазона частот излучения 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к приборным структурам для генерации мощного электромагнитного излучения суб- и терагерцового диапазонов, которые применяются в компактных и мощных импульсных генераторах, детекторах и смесителях субтерагерцового и терагерцового диапазона частот. Изобретение обеспечивает увеличение мощности и расширение частотного диапазона компактных генераторов терагерцового излучения. В мультибарьерной гетероструктуре для генерации мощного электромагнитного излучения субтерагерцового и терагерцового частотного диапазонов, представляющей собой многослойную гетероструктуру из чередующихся слоев узкозонного и широкозонного полупроводников, где слой широкозонного полупроводника является энергетическим барьером ΔEC для электронов из узкозонного слоя, согласно изобретению, толщины d гетерослоев выбираются из условия D τ > d > 30, нм ,  где D - коэффициент диффузии электронов, а τ - время релаксации избыточной тепловой энергии электронов в решетку; широкозонные (барьерные) слои не легированы, а концентрация доноров Nd в узкозонных слоях удовлетворяет условию 1017 см-3≤Nd≤1018 см-3; высота энергетического барьера ΔEC>6kT; количество чередующихся пар узкозонных и широкозонных слоев n>4, причем материал широкозонного барьерного слоя в первой паре отличается от всех остальных, последующих, и выбирается обеспечивающим пониженную по сравнению с последующими высоту первого энергетического барьера. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение может найти применение в качестве приборной структуры для твердотельных автоэмиссионных диодов и эмитирующих электроны активных элементов функциональных узлов как в твердотельной электронике, так и в вакуумной эмиссионной электронике, в том числе в силовой СВЧ электронике. Гетеропереходная структура согласно изобретению состоит из полупроводниковых слоев n- и p-типа проводимости, расположенных последовательно на подложке n-типа, гомогенной прилежащему к ней полупроводниковому слою n-типа и имеющей омический контакт к тыльной стороне, при этом на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы расположен массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не превышает диффузионную длину электронов, а концентрация акцепторов в нем находится в диапазоне 1020-1024 м-3. Изобретение обеспечивает возможность значительного увеличения рабочих токов автокатода, либо автоэмиссионных диодов, повышения стойкости устройств к деградации и увеличения их рабочего ресурса. 5 з.п. ф-лы, 1 пр., 6 ил.

Изобретение относится к способам формирования массивов из углеродных наноструктур (УНС) для автоэмиссионных применений

Изобретение относится к вакуумной эмиссионной электронике и может быть использовано при конструировании изделий и устройств вакуумной электроники, приборов ночного видения, СВЧ и микроволновой электроники

Изобретение относится к вакуумной электронике и может быть использовано в клистронах, мощных СВЧ лампах и устройствах защиты от мощных СВЧ импульсов

Изобретение относится к твердотельным детекторам нейтронов

Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений

Изобретение относится к вакуумной эмиссионной технике и может быть использовано при конструировании изделий и устройств вакуумной электроники, СВЧ и микроволновой электроники, систем визуализации информации (экраны плоских дисплеев), осветительных систем
Изобретение относится к устройствам формирования наноразмерных объектов

Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений

Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений
Изобретение относится к способам формирования наномикросистем, содержащих углеродные нанотрубки

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх