Патенты автора Козырев Евгений Николаевич (RU)
Сегнетоэлектрический фотоприемник // 2728256
Использование: для создания одно- или многоэлементных приемников излучения с фоточувствительными элементами на основе структуры с фотодиэлектрическим эффектом. Сущность изобретения заключается в том, что сегнетоэлектрический фотоприемник содержит расположенную на подложке пленку, на основе поляризованного сегнетоэлектрика, электродные покрытия, причем с верхней стороны пленки оно оптически полупрозрачное, согласно изобретению пленка выполнена из диэлектрического связующего и титаната бария, а подложка из диэлектрического связующего и суспензии люминофора, причем пленка и подложка расположены между электродными покрытиями, а с нижней стороны подложки электродное покрытие полупрозрачное в жесткой ультрафиолетовой и мягкой рентгеновской областях спектра. Технический результат заключается в повышении интегральной чувствительности к излучению сегнетоэлектрического фотоприемника. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, к приемникам сейсмических сигналов, отличающимся электромагнитными средствами измерения. Предложен сейсмический преобразователь, включающий микроволновой генератор СВЧ на основе цилиндрического резонатора с волной типа Н01 и диода Ганна. Причем диод Ганна соединен с отрезком прямоугольного волновода, в котором располагается подвижная диэлектрическая пластина, окно связи, металлический стержень, металлический цилиндр, пружина, а регистрация результирующего сигнала сейсмоколебаний осуществляется детектором СВЧ и индикатором. Технический результат - упрощение конструкции датчика и обеспечение регистрации малых амплитуд. 2 ил.
Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов // 2668944
Изобретение относится к области технологий получения преобразователей солнечной энергии в электрическую. Способ включает формирование слоя прозрачного проводящего электрода, слоя перовскита и слоя неорганического материала. В качестве слоя неорганического материала используют проводящий наноструктурированный пористый оксид алюминия, поры которого заполняют прекурсором полупроводника р-типа центрифугированием при скорости вращения 3000-3500 об/мин до полного заполнения. В качестве прекурсора используют нагретый до температуры 40-50°С 30%-ный толуольный раствор стеарата никеля, взятый в количестве 0,05-0,1 мл или 10%-ный раствор ацетата никеля в моноэтаноламине, взятый в том же количестве, который сушат в течение 15-20 минут при температуре 100-110°С и в течение такого же времени отжигают при температуре 450±10°С. Изобретение обеспечивает упрощение технологического процесса и снижение энергетических затрат. 1 ил., 2 пр.
Использование: для изготовления сенсорных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что способ модификации включает пропитку образца фотонного кристалла и отжиг на воздухе. При этом образец фотонного кристалла предварительно помещают в центрифугу, а пропитку его пор осуществляют 0,05-0,06 мл 25-30% толуольным раствором стеорита никеля или цинка или олеата железа при скорости вращения центрифуги 1900-2200 об/мин в течение 0,6-0,4 минут, сушат образец в центрифуге 5-6 минут, затем в термостате при 370-375 K 10-15 минут и отжигают на воздухе при температуре 670-720 K в течение 10-15 минут. Технический результат - обеспечение возможности упрощения технологии заполнения пор фотонного кристалла на основе наноструктурированного оксида алюминия окислами металлов. 3 ил.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в области электронной промышленности. Способ включает формирование анодным окислением алюминиевого образца слоя пористого анодного оксида, который удаляют селективно по отношению к алюминию, формирование анодным окислением алюминия основного слоя пористого анодного оксида алюминия, отличающийся тем, что формирование удаляемого и основного слоев проводят в гальваностатическом режиме при постоянной температуре 5-10°C и плотности тока 5-15 мА/см2 в электролите следующего состава, г/л: ортофосфорная кислота 58,8-176,0, янтарная кислота 4-6, молибдат аммония 1-4, глицерин 1-3. Технический результат заключается в повышении твердости пористого анодного оксида алюминия и упрощении процесса анодного окисления. 1 табл.
Изобретение относится к технологии получения игольчатых монокристаллов оксида молибдена VI MoO3. Поверхность молибденовой ленты, надежно закрепленной своими концами и выгнутой кверху в виде арки, разогревают с помощью резистивного, индукционного или лучевого воздействия до температуры 650-700°С в окислительной газовой среде, содержащей от 10 до 40% кислорода и инертный газ или смесь инертных газов при давлении, превышающем 100 Па, выдерживают при этой температуре в течение не менее 10 с с момента появления паров MoO3 белого цвета, затем нагрев прекращают и молибденовую ленту остужают до 25°С, после чего нагрев возобновляют при температуре 650-700°С до образования на торцах и поверхности молибденовой ленты из паров MoO3 тонких игольчатых монокристаллов оксида молибдена длиной до 5 мм. Полученные кристаллы легко отделяются от заготовки в виде ленты, обладают высокой степенью чистоты и структурного совершенства. 2 пр.
Изобретение относится к связующим материалам на основе эпоксидных смол для электролюминесцентных источников света. Связующее включает эпоксидную смолу, модифицированную следующими добавками в расчете на 100 грамм эпоксидной смолы: 13,2-13,6 г себациновой кислоты, 0,3-0,6 г диметилбензиламина, 41-48 г триэтиленгликольдиметакрилата, 0,08-0,12 г гидрохинона и 9,0-9,4 г акриловой кислоты. Способ получения связующего включает смешение на первом этапе эпоксидной смолы с себациновой кислотой, диметилбензиламином, триэтиленгликольдиметакрилатом и гидрохиноном при непрерывном перемешивании на кипящей водяной бане в течение 5-6 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры. На втором этапе в полученную смесь добавляют акриловую кислоту и осуществляют нагрев на кипящей водяной бане при непрерывном перемешивании в течение 3-3,5 часов с последующим естественным охлаждением. Предложенное связующее обеспечивает повышение срока службы изготовленных на его основе электролюминесцентных источников света. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 13 пр.
Изобретение относится к области фотоэлектроники, а именно к фотоэлектрическим преобразователям (ФП) для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую. Технический результат заключается в повышении эффективности преобразователей солнечной энергии, упрощении технологии изготовления при одновременном снижении ее себестоимости и увеличении светоприемной поверхности фотопреобразователя. Способ изготовления фотопреобразователя на основе оксида алюминия включает изготовление пористой пластины с размерами пор, равными нанометрам, в качестве пористой пластины используют оксид алюминия, в поры которого осаждают и заполняют полупроводниковый материал, при этом заполнение пор осуществляют при импульсном напряжении прямоугольной формы амплитудой 650-720 В и плотностью тока 8-10 А/см2 в электролите диметилсульфоксида следующего состава в г/л: хлорид цинка - 8,2-8,35, сера - 6,5-7,0. 1 табл.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано при получении микроканальных структур для усиления пространственно-заряженных частиц в производстве элементов электронной техники
