Патенты принадлежащие Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ОАО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") (RU)
Изобретение относится к оптическим материалам для мощных высокоэнергетических импульсных усилительных установок. Такими материалами являются фосфатные стекла особых составов, из которых изготавливаются поглощающие оболочки (ПО) для приклеивания к боковым граням крупногабаритных дисковых активных элементов (ДАЭ), выполненных из концентрированных неодимовых фосфатных стекол.
Плоская линза из лейкосапфира с фокусом необыкновенных лучей изготовлена из заготовки, полученной путем высокотемпературной пластической деформации пластинки из Z-среза кристалла Al2O3, ось симметрии которой совпадает с направлением оси симметрии пуансона, имеющего рабочую поверхность в сечении, описываемую полиномом четвертой степени y=ΣKаkxk, где y, х - координаты сечения с центром на оси симметрии, аk - коэффициенты, характеризующие фокусное расстояние и толщину линзы, при k=1…4.
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАДОЛИНИЙ-СКАНДИЙ-АЛЮМИНИЕВЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ // 2550205
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах и лидарах, работающих в области 1,2-1,55 мкм. Кристаллы выращивают методом Чохральского из расплава исходной шихты, в котором в качестве шихты используют полученный методом твердофазного синтеза гадолиний-скандий-алюминиевый гранат состава Gd2,88Sc1,89Al3V0,03O12, причем ванадий вводят в виде оксида V2O5, а процесс выращивания кристалла ведут в среде аргона при давлении в камере 1,2-1,8 атм, затем кристалл отжигают в вакууме 3-5·10-4 мм рт.
Изобретение может быть использовано в оптических системах оптических, оптоэлектронных и лазерных приборов, работающих в ультрафиолетовой, видимой и ИК областях спектров. Плоско-вогнутая линза изготовлена из пластически деформированной заготовки, в которой входящая плоская поверхность перпендикулярна оси симметрии заготовки и образована со стороны вершины заготовки на расстоянии х0<Н, где Н - толщина заготовки.
ИММЕРСИОННАЯ ЖИДКОСТЬ // 2535065
Изобретение относится к иммерсионной жидкости, которая может быть использована в оптическом приборостроении для контроля оптических параметров неорганических материалов и оптических деталей, в том числе крупногабаритных изделий сложной формы.
Изобретение относится к технологии выращивания труб из монокристаллов тугоплавких оксидов металлов и их твердых растворов: сапфира, алюмо-магниевой шпинели, алюмо-иттриевого граната, и может быть использовано в различных областях науки и техники, где требуются высокопрочные, инертные и термостойкие трубы.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАРЦЕВОЙ КЕРАМИКИ // 2525892
Изобретение относится к технологии получения модифицированных керамических материалов на основе кварцевого стекла. Техническим результатом изобретения является повышение прочности и термостойкости изделий.
ПОКРЫТИЕ ДЛЯ ЗАГОТОВКИ КОСМИЧЕСКОГО ЗЕРКАЛА // 2522448
Изобретение относится к покрытиям космических зеркал, конкретнее к остекловыванию заготовок космических зеркал, обеспечивающих возможность получения высококачественной оптической поверхности зеркал. Предложено покрытие для заготовки космического зеркала, представляющее собой стекло следующего состава, мас.%: SiO2 - 44-61; B2O3 - 8-20; Al2O3 - 5-19; CaO - 3-12; Sb2O3 - 0,3-0,7; V2O5 - 2-11; Nb2O5 - 1-7; MoO3 - 0,2-4 и F - 1,5-6.
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, в частности к получению материалов для лазерной техники, предназначенных для модуляции добротности лазерного излучения (пассивным лазерным затворам).
ПРОЗРАЧНАЯ СТЕКЛОКЕРАМИКА ДЛЯ СВЕТОФИЛЬТРА // 2501746
Изобретение относится к материалам для светотехники. Технический результат изобретения заключается в повышении термомеханической устойчивости и устойчивости окраски к термическим ударам ИК-прозрачной стеклокерамики для светофильтра, обладающей поглощением в видимой области спектра и пропусканием в ближней ИК области спектра.
