Характеризуемые способом, используемым для поддерживания подложек в реакционной камере (C23C16/458)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C16/458 Характеризуемые способом, используемым для поддерживания подложек в реакционной камере(11)
Изобретение относится к технологии нанесения равномерных тонких пленок путем проведения химических реакций на поверхности подложек, в том числе с развитым рельефом, например подложек с отверстиями и каналами с большим аспектным отношением.
Изобретение может быть использовано при изготовлении качественных тонких покрытий, в частности оксидных. Система для химического осаждения из паров летучих прекурсоров содержит реакционную камеру 1 в виде вертикально ориентированного цилиндра, карусельный подложкодержатель 2, модуль подачи реакционных газов и модуль подачи ионизированных газов, предназначенный для очистки и активации поверхности подложек, нагреватель и средства вакуумной откачки.
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору для плазмохимического осаждения алмазного покрытия на подложку из твердого сплава, выполненному с возможностью регулирования температуры косвенного нагрева подложки.
Изобретение относится к способу управления температурным режимом роста алмазной пленки на поверхности по меньшей мере одной подложки из твердого сплава. Основную проводящую платформу размещают в герметичной осесимметричной вакуумной камере СВЧ плазменного реактора с однородным температурным полем, при этом центральную часть упомянутой камеры выполняют в виде СВЧ резонатора.
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору для осаждения алмазной пленки на подложку из твердого сплава, выполненному с возможностью регулирования температуры косвенного нагрева подложки. СВЧ плазменный реактор содержит герметичную осесимметричную камеру, центральная часть которой является СВЧ резонатором, и установленные в указанной камере подложкодержатель для размещения подложки или группы подложек из твердого сплава, представляющий собой радиальный волновод с СВЧ полем, и запредельное проводящее кольцо из тугоплавкого материала в виде волновода.
Формовочный инструмент и установка для химической инфильтрации в газовой фазе волокнистых заготовок // 2751708
Изобретение относится к формовочному инструменту для получения деталей авиационного двигателя. Формовочный инструмент для химической инфильтрации в паровой фазе волокнистой заготовки содержит конструктивную камеру, образованную опорами, каждая из которых содержит перфорированную зону.
Группа изобретений относится к устройству для обработки подложек осаждением или очисткой и к способу обработки с использованием указанного устройства. Упомянутое устройство содержит наружную камеру, реакционную камеру с возможностью подачи в нее химически неактивного газа или прекурсора, при этом реакционная камера расположена внутри наружной камеры с образованием двухкамерной конструкции, линию подачи химически неактивного газа или прекурсора в реакционную камеру и подвижный элемент, расположенный под реакционной камерой и выполненный с возможностью обеспечения вертикального перемещения реакционной камеры между положением обработки и нижним положением внутри наружной камеры.
Предложенная группа изобретений относится к атомно-слоевому осаждению. Система для атомно-слоевого осаждения (ALD) содержит узел реакционной камеры, содержащий вакуумную камеру, реакционную камеру внутри вакуумной камеры, газовпускное устройство и форлинию, выполненные с возможностью обеспечения горизонтального потока газа в реакционной камере, приводное устройство, содержащее крышку реакционной камеры, и по меньшей мере первый узел загрузочного шлюза, содержащий первый загрузочный шлюз.
Заявленная группа изобретений относится к устройству для обработки подложек осаждением и/или очисткой и способу обработки подложек с использованием упомянутого устройства. Указанное устройство содержит наружную камеру, реакционную камеру внутри наружной камеры с образованием двухкамерной конструкции и линию подачи химически неактивного газа или прекурсора в реакционную камеру, нагреватель, расположенный внутри наружной камеры за пределами реакционной камеры, трубку для подачи радикала и выпускную линию, расположенную под реакционной камерой.
Предложенная группа изобретений относится к модульному реактору для изготовления синтетических алмазов осаждением в микроволновой плазме и к способу изготовления синтетических алмазов с использованием указанного реактора.
Изобретение относится к оборудованию для осаждения тонких пленок и покрытий из паров химических веществ на плоскую полупроводниковую подложку и может быть использовано в технологических процессах изготовления электронных и электромеханических приборов.
Устройство для вакуумной обработки // 2660457
Изобретение относится к устройству для вакуумной обработки армирующего волокна и способу вакуумной обработки армирующего волокна. Указанное устройство содержит камеру, выполненную с возможностью поддерживания в ней состояния пониженного давления, подающий ролик, расположенный с возможностью подвешивания армирующего волокна в упомянутой камере, устройство для нанесения покрытия, расположенное в упомянутой камере с возможностью пропускания через него армирующего волокна, подвешенного в упомянутой камере, захватное устройство, расположенное с возможностью захвата и удерживания на месте переднего конца армирующего волокна, проходящего через упомянутое устройство для нанесения покрытия и вертикально спадающего вниз, намоточный барабан для наматывания армирующего волокна, обработанного упомянутым устройством для нанесения покрытия, и упругий шнур, отводимый синхронно с вращением намоточного барабана из первого его положения, в котором упругий шнур окружает упомянутый передний конец армирующего волокна, удерживаемый на месте упомянутым захватным устройством, во второе его положение, в котором упругий шнур входит в контакт с армирующим волокном и подводит его к намоточному барабану.
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору с объемно-резонаторной передачей энергии в область над подложкой, ограниченной формой плазменного образования в виде полуэллипса, создающей косвенный нагрев при осаждении покрытия на низкоаспектной подложке или одновременно на группе подложек.
Изобретение относится к средствам защиты, в частности к устройствам защиты нижнего электрода реактора плазмохимического осаждения из газовой фазы. Защитный экран для электрода реактора плазмохимического осаждения, который выполнен металлическим, толщиной от 10 до 1000 микрометров с габаритными размерами, соответствующими размерам электрода плазмохимического реактора, и имеющего отверстия в местах расположения отверстий на электроде реактора плазмохимического осаждения.
Изобретение относится к области химической инфильтрации в паровой фазе, используемой, в частности, при изготовлении изделий из термоструктурных композитных материалов, а именно к установке (600) для химической инфильтрации в паровой фазе пористых преформ (20) трехмерной формы, вытянутых в продольном направлении.
Способ и оснастка для осаждения из паровой фазы металлического покрытия на детали из суперсплавов // 2634827
Изобретение относится к способу и оснастке для осаждения из паровой фазы металлического покрытия на детали из жаропрочного сплава и может быть использовано для нанесения такого покрытия на детали турбомашин, подвижные лопатки или лопатки статора газотурбинного двигателя.
Настоящее изобретение относится к загрузочному устройству (100) реакционной камеры печи для инфильтрации для уплотнения штабелируемых пористых преформ (160-163), имеющих форму усеченного конуса, методом химической инфильтрации в газовой фазе направленным потоком и печи (200) для инфильтрации для уплотнения штабелируемых пористых упомянутых преформ (160-163).
Способ загрузки подложки в реактор асо // 2620230
Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном осуществлении самоограниченных поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения материала на партию подложек включает загрузку партии подложек в держатель подложек, находящийся в загрузочной камере реактора для нанесения материала, с формированием в держателе подложек вертикальной стопы горизонтально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна на другой, и разворот держателя подложек для получения горизонтальной стопы вертикально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна за другой, и опускание держателя подложек в реакционную камеру указанного реактора для нанесения материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций путем воздействия на партию подложек разделенными во времени импульсами подачи прекурсоров.
Держатель подложки // 2607110
Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано для изготовления держателей для подложек, на которых формируют методом плазменного парофазного химического осаждения пленки или покрытия различных материалов, в частности углеродные (алмазные) пленки или покрытия.
Изобретение относится к установке для вакуумной обработки изделий и способу вакуумной обработки с использованием упомянутой установки. Заявленная установка предназначена для обработки изделий, закрепленных на карусели (205), размещенной на карусельных салазках (201).
Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном использовании самоограниченных поверхностных реакций. Способ нанесения тонкопленочного покрытия на поверхность полотна атомно-слоевым осаждением (АСО) включает подачу покрываемого полотна в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения, формирование для покрываемого полотна в реакционном пространстве траектории с повторяющейся конфигурацией и обеспечение доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве для подачи прекурсоров разделенными во времени импульсами для нанесения на указанное полотно материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций.
Устройство и способ осаждения атомных слоев // 2555282
Изобретение относится к устройству и способу осаждения атомных слоев на поверхность листообразной подложки. Устройство содержит инжекторную головку, включающую осадительное пространство, оснащенную впуском для прекурсора и выпуском для прекурсора.
Изобретение относится к области высоковольтной техники, к силовым полупроводниковым устройствам и, в частности, к способу и устройству для одностадийного двустороннего нанесения слоя покрытия из аморфного гидрогенизированного углерода на поверхность кремниевой пластины, а также к держателю подложки для поддержки кремниевой пластины.
Изобретение относится к оборудованию для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении (ХОГФПД) и может быть использовано при формировании и диэлектрических, полупроводниковых и проводящих слоев в производстве.
Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, к области тонкопленочного материаловедения, а именно к устройствам для нанесения тонких пленок и диэлектриков. .
Изобретение относится к нанесению покрытий в контролируемой атмосфере и может быть использовано для получения металлсодержащих пленок из паров химических соединений, Цель изобретения - повышение качества покрытий путем обеспечения равномерного нагрева и распределения газовой смеси.
Изобретение относится к оборудованию для нанесения покрытий из газовой фазы. .
