Обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L21/20- H01L21/26 (H01L21/30)
H Электричество(232322)
Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки // 2790944
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки включает носитель, расположенный на подвижной опорной плите, с возможностью перемещения по направляющим полозьям, содержит верхнюю часть с конструктивными элементами, расположенными параллельно пропилам на полупроводниковой пластине, нижнюю опорную часть, а также наковальню, выполненными с возможностью изгибающего воздействия на полупроводниковую пластину посредством пневматического давления.
Изобретение относится к механической обработке пластин из полупроводниковых материалов и может быть использовано при изготовлении диодов, транзисторов и микросхем. Механическая обработка пластин проводится для их утонения, чтобы уменьшить их тепловое и электрическое сопротивление.
Способ предназначен для определения эффективного времени жизни (τeff) неравновесных носителей заряда в локальных участках солнечного элемента (СЭ) и последующей оценки его качества, а также обнаружения его дефектов с целью их последующего устранения.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны перед напылением. Способ обработки поверхности пластин перед напылением титан-германий (Ti-Ge) включает обработку поверхности кремниевых пластин перед напылением на обратную сторону пластины, проводят обработку травлением, при этом в качестве травителя используют раствор, в состав которого входят: азотная кислота - HNO3, фтористоводородная кислота - HF, деионизованная вода - Н2О следующих соотношениях: HNO3:HF:H2O - 1:10:35, а время обработки поверхности кремниевых пластин при комнатной температуре не более 25±5 с.
Изобретение относится к наноэлектронике, а именно к способам изготовления элементов и структур приборов с квантовыми эффектами. Предлагается способ изготовления проводящей наноячейки с квантовыми точками, включающий нанесение на непроводящую подложку нанопленки металла ванадия, активированного алюминием в объемной доле 1-5%, в виде полоски-проводника наноразмерной ширины; поверх нее – защитной маски с нанощелью поперек полоски-проводника; плазмохимическое травление через нанощель маски тетрафторидом углерода в проточной среде очищенного аргона при охлаждении реактивной зоны в интервале температур не ниже точки росы в камере-реакторе; при этом скорость травления регулируется и подбирается экспериментально для обеспечения высокого аспектного числа наноячейки; адресное осаждение квантовых точек проводится электрофоретически из матрицы, выполненной в виде мономолекулярной пленки, нанесенной методом Ленгмюра-Блоджетт; при этом адресность расположения квантовых точек в нанозазоре между наноэлектродами наноячейки обеспечивается поочередной подачей постоянного или переменного напряжения между одним из наноэлектродов и электродом электрофоретического устройства.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов, представляющих собой тонкую пластину.
Изобретение относится к области радиационно-химической обработки кристаллических материалов. Способ травления поверхности сапфировых пластин включает обработку электронным пучком, предварительно на поверхность сапфира наносят слой золота толщиной 100÷120 нм, отжигают полученный композит на воздухе при температуре 600÷700°С, в течение 120÷180 минут для формирования дискретной структуры наночастиц золота, а затем облучают поверхность непрерывным пучком электронов с энергией в диапазоне Е≈40÷70 кэВ, в течение 2÷5 мин.
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться для изготовления микромеханических датчиков - датчиков давления, ускорения, угловой скорости. Способ изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния включает окисление плоской круглой пластины с определенной величиной клиновидности профиля с ориентацией базовой поверхности в плоскости (100), нанесение на нее защитного слоя фоторезиста, фотолитографию, вскрытие окон в окисном слое в области формирования упругих элементов на определенную ширину с учетом анизотропии травления монокристаллического кремния, анизотропное травление пластины на глубину для получения требуемой толщины упругих элементов, при этом в процессе анизотропного травления плоской круглой пластины в травильном растворе проводят ее поворот вокруг своей оси в плоскости (100) на 360° дискретно с количеством шагов не менее четырех.
Способ изготовления контактных окон с уменьшенным размером для полупроводниковых приборов // 2767484
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, а также уменьшении размеров контактных окон и шины металлической разводки, интегральных схем, многокристальных модулей, в том числе 3D-конструкций.
Изобретение относится к литографическим шаблонам. Активный литографический шаблон характеризуется тем, что он содержит элементы в виде островков и окон, причем элементы в виде островков выполнены с возможностью совершать микромеханическое движение на расстояния от 1 нм до 500 мкм на этапе формирования шаблона и/или на этапе нанесения слоя/слоев целевого материала через данный шаблон, причем указанное движение обусловлено релаксацией механических напряжений в островках шаблона, механические напряжения, в свою очередь, вызваны протеканием физической и/или химической реакции в веществе островков шаблона, инициируемой внешним физическим и/или химическим воздействием.
Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может быть использовано для химической обработки пластин перед электрохимическим нанесением металлических покрытий на поверхность пластин из термоэлектрических материалов.
Данное изобретение относится к способам изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков, в частности к способам изготовления, сочетающим объемное травление КНИ-структуры с микромеханической обработкой.
Изобретение относится к области микроэлектронной технике. Заявлен способ снижения температурных напряжений при обработке полупроводниковых пластин с развитой по высоте топографией, заключающийся в размещении полупроводниковой пластины стороной, на которой выполнена развитая по высоте топография в виде выступающих частей, разделенных углублениями, на пластине-носителе и ее прикреплении к этой пластине-носителю посредством адгезивного слоя толщиной от 1 до 10 мкм.
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к реакторам высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых чувствительных элементов микромеханических датчиков, таких как акселерометры, датчики угловой скорости, давления и пр.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочного транзистора с пониженным значением токов утечек. Способ изготовления тонкопленочного транзистора включает процессы формирования областей стока, истока, затвора, подзатворного оксида, пленки аморфного кремния на стеклянной подложке.
Изобретение относится к области микроэлектронной техники. Кремниевая пластина для изготовления микроэлектромеханических систем представляет собой круглой формы в плане диск из кремния, на котором методом наложения маски организованы подлежащие плазмохимическому травлению области для расположения в каждой из них чипа, выполненного с разделенными между собой перемычками по крайней мере двумя участками.
Изобретение относится к материаловедению может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Состав меза-травителя для антимонида индия ориентации (100) включает плавиковую кислоту, перекись водорода и воду при следующем соотношении компонентов (объемные доли): 2 части 46% плавиковой кислоты ОСЧ, 2 части 30% перекиси водорода ОСЧ и 450 частей деионизованной воды.
Изобретение относится к области электронной техники, а именно устройствам химико-технологической обработки полупроводниковых изделий. Технический результат изобретения достигается тем, что в устройстве для жидкостного химического травления полупроводниковых изделий, содержащем камеру травления, нагреватель, терморегулятор, термопару в качестве датчика температуры и дисплей, камера травления помещена в теплоизоляционный герметизированный корпус, оснащенный термопарой, нагревателем и каналом для залива теплоносителя и связанный через встроенный электромагнитный клапан с каналом для слива теплоносителя, устройство дополнительно содержит две устойчивые к воздействию агрессивных сред накопительные емкости для размещения растворов для травления и промывки соответственно, систему конденсации парогазовой взвеси, кассету-держатель для полупроводниковых изделий, оснащенную светодиодами для индикации уровня травления и каналом для отвода избыточного давления, систему микроконтроллерного управления, соединенную с панелью управления, оснащенной дисплеем, в камере травления размещены два датчика уровня жидкости, термопара, кассета-держатель для полупроводниковых изделий, при этом камера травления через электромагнитный клапан соединена каналом с накопительной емкостью для размещения раствора для травления, через электромагнитные клапаны и насосы соединена каналом с накопительной емкостью для размещения раствора для промывки и с каналом для выведения использованного раствора для промывки, через электромагнитный клапан соединена с каналом для слива раствора для травления, камера травления, кроме того, непосредственно соединена с каналом отведения парогазовой взвеси, проходящим через систему конденсации, а также снабжена герметичной прозрачной дверью, на которой смонтирован привод системы перемешивания раствора для травления, вышеуказанные накопительные емкости для размещения растворов для травления и для промывки оснащены соответственно каналами для залива раствора для травления и раствора для промывки, в обеих накопительных емкостях также установлены термопара и нагреватель, при этом оба датчика уровня жидкости, привод системы перемешивания раствора для травления, все вышеуказанные термопары, электромагнитные клапаны и насосы связаны с системой микроконтроллерного управления, а все нагреватели связаны с системой микроконтроллерного управления через терморегуляторы.
Изобретение относится к технологии электронного приборостроения, а именно к способам модификации поверхности кристаллов карбида кремния, и может быть использовано для получения мезапланарных структур различной огранки.
Изобретение относится к технологии обработки материалов и может быть использовано при производстве компонентов твердотельной электроники, СВЧ электроники, оптоэлектроники и радиофотоники. Способ плазмохимического травления гетероструктур на основе InP включает размещение на подложкодержателе в вакуумной камере гетероструктуры InAlAs/InGaAs, нанесенной на подложку InP со сформированной на ней диэлектрической маской, подачу плазмообразующей смеси в вакуумную камеру при остаточном давлении 5-30 мТорр, поджиг плазмы, путем подачи мощности 400-800 Вт от ВЧ-генератора на источник индуктивно-связанной плазмы и отрицательного смещения на подложку от ВЧ-генератора с мощностью 100-250 Вт, и травление гетероструктур, при этом процесс травления состоит из двух этапов, причем на первом этапе производится поджиг плазмы, с длительностью импульса 20-25 сек, а на втором этапе производится удаление продуктов реакции радикалов газовой смеси с материалом подложки из вакуумной камеры, а также термостабилизация образцов длительностью 30-35 сек, при этом оба этапа повторяются с заданным количеством циклов.
Изобретение относится к лазерным методам резки (фрагментирования) пластин на кристаллы и может быть использовано в микроэлектронной промышленности для фрагментирования пластин с изготовленными на них приборами.
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых упругих элементов микромеханических датчиков, таких как датчики давления, ускорения, угловой скорости. В способе формирования профилированных кремниевых структур, заключающемся в формировании рельефа чередованием анизотропного и изотропного способов травления кремниевой структуры, после анизотропного и изотропного травления удаляют тонкий слой путем термического окисления и удаления оксида кремния с полученного рельефа.
Изобретение относится к области нанотехнологий и полупроводниковых производств и может быть использовано в различных технологических процессах изготовления полупроводниковых устройств высокой степени интеграции посредством нанесения и травления функциональных материалов, включая проводники, полупроводники и диэлектрики на подложках различных полупроводников, например кремния, германия, А3В5, карбида кремния, нитрида галлия, сапфира.
Использование: для изготовления полупроводниковых устройств высокой степени интеграции. Сущность изобретения заключается в том, что в реакторе плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащем вакуумную камеру с системой подвода газов и системой откачки, подложкодержатель, установленный в зоне основания вакуумной камеры и соединенный с блоком ВЧ смещения, систему генерации плазмы, включающую газораспределитель и генератор плазмы, скрепленные между собой соединительными модулями, каждый соединительный модуль включает модуль компенсации термомеханических напряжений, установленный между газораспределителем и генератором плазмы.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, в частности к способу обработки поверхности карбида кремния (SiC). Может быть использовано для создания гладких поверхностей, получаемых в ходе процесса плазмохимического травления.
Изобретение относится к области обработки подложек для формирования вогнуто-выпуклой структуры на поверхности подложки. Сущность изобретения состоит в травлении проводящей подложки посредством обратной литографии с предварительным расчетным упреждением на фотошаблоне для получения расчетных параметров брэгговской решетки, в качестве маски используется кобальт.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к процессам электрохимического формирования пористого кремния, перспективного структурированного материала. Техническим результатом изобретения является устранение недостатков традиционных электролитических способов, а именно применение в них дорогостоящей платины в качестве контрэлектрода, экологическая опасность, использование коррозионно-активных агентов и пожароопасных органических компонент, ограничение возможностей электрохимического формирования пористого кремния - только на монокристаллических образцах.
Изобретение относится к области микро- и нанотехнологий и может быть использовано для изготовления упорядоченного массива субмикронных отверстий в тонких металлических пленках, предназначенных для создания устройств микроэлектроники, фотоники, наноплазмоники, а также квантовых вычислительных устройств.
Изобретение относится к материаловедению, в частности к области обработки поверхности антимонида индия (InSb) ориентации (100) травителем для создания меза-стуктуры, и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении упругих элементов, используемых в конструкциях кремниевых чувствительных элементов микромеханических датчиков - акселерометров, резонаторов, датчиков угловой скорости.
Использование: для планаризации поверхности наноструктур материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ планаризации поверхности наноструктур материалов электронной техники осуществляют пучком газовых кластерных ионов, а в качестве рабочего газа пучка газовых кластерных ионов используют ксенон.
Способ сухого травления нитридных слоев // 2694164
Изобретение относится к способу низкоэнергетичного бездефектного травления нитридных слоев гетероструктур AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции.
Устройство для планаризации // 2693512
Изобретение относится к устройству для планаризации способом химической обработки с применением катализатора. Изобретение обеспечивает высокоточную планаризацию без повреждения заготовки с использованием компактного устройства за счет эффективного подавления вибраций во время работы устройства.
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении 3D-устройств микросистемной техники, например микроинжекторов, микродвигателей, а именно при получении сквозных микроотверстий в кремниевой подложке.
Использование: изобретение относится к технологии изготовления транзисторов, интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния представляет собой циклический двухшаговый процесс травление-пассивация, характеризующийся тем, что на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на поверхностях формируемой микроструктуры используется слой SiO2, создаваемый реакцией окисления кремния в плазме O2.
Суть настоящего изобретения состоит в формировании глубокопрофилированных кремниевых структур последовательными операциями изотропного и анизотропного травления, причем операцию фотолитографии выполняют на кремниевой структуре, используя фоторезист с гидроизоляционными свойствами.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе изготовления электронных устройств, в которых необходима пористая интегрированная мембрана: газовые фильтры в составе селективных газовых сенсоров, датчики скорости потока газов, топливные элементы и т.п.
Способ модификации наноструктур материалов электронной техники газовыми кластерными ионами // 2688865
Использование: для модификации наноструктур материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ модификации наноструктур материалов электронной техники газовыми кластерными ионами, включающий удаление из пучка кластерных ионов любого нежелательного ионизирующего излучения, при этом пучок газовых кластерных ионов подают в импульсном режиме.
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических подложках, в частности кварцевых, при изготовлении микромеханических приборов. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности изготовления кварцевых диэлектрических подложек за счет сокращения времени выполнения технологических операций и увеличения процента выхода годных.
Способ определения параметров плазменного травления материалов в процессе обработки изделий включает измерение параметров модельного образца в виде структуры, образованной первой и второй акустическими линиями задержки (АЛЗ), содержащими входные и выходные электроакустические преобразователи, выполненные на одной грани плоского кристаллического звукопровода, другая противолежащая грань которого открыта для плазменного травления.
Использование: для изготовления МЭМС-приборов. Сущность изобретения заключается в том, что способ разделения пластин на чипы и получения сквозных отверстий большой площади для изделий микроэлектроники включает нанесение на обратную сторону пластины полиимидной пленки, нанесение на лицевую сторону пластины маскирующего слоя, селективного к плазмохимическому травлению материала пластины, формирование рисунка линий реза по маскирующему слою, сквозное плазмохимическое травление пластины до полиимидной пленки, удаление маскирующего слоя, удаление полиимидной пленки, разделение пластин на чипы и удаление балластных участков.
Способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем // 2685082
Использование: для изготовления воздушных мостиков. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем содержит стадии нанесения и формирования фоторезиста для формирования поддерживающего слоя, нанесения и формирования второго слоя фоторезиста для формирования области перемычки воздушного мостика, нанесения слоя металла мостика, удаления обоих слоев фоторезиста, далее методом фотолитографии из пленки металла (TiAuPd, Cu и др.) на подложке формируют контактные площадки и соединительные проводники, методом фотолитографии из фоторезиста формируется поддерживающий слой полимера в области будущего просвета мостика, нагревом полоски поддерживающего резиста выше температуры растекания достигают формирования профиля поддерживающего слоя куполообразной формы, наносят следующий слой фоторезиста и формируют открытые области для металлизации будущего мостика, напыляют пленку мостика из подходящего материала, совместимого с материалом разводки, например TiAuPd, который отличается хорошей адгезией, высокой электропроводностью и достаточной жесткостью, помещают подложку в ремувер для быстрого удаления металла поверх резиста методом взрыва (lift-off), а также медленного растворения поддерживающего слоя под мостиком.
Изобретение относится к приборостроению, конкретно к способам изготовления кремниевых чувствительных элементов микромеханических гироскопов и акселерометров. Технический результат заявленного изобретения заключается в повышении точности микромеханических гироскопов и акселерометров.
Изобретение относится к способам обработки подложек. Способы включают этап обеспечения протекания водосодержащей жидкой среды через канал для потока и по меньшей мере одну выпускную щель на подложку, подлежащую обработке, а также облучение водосодержащей жидкой среды ультрафиолетовым излучением с заданной длиной волны по меньшей мере на участке канала для потока, непосредственно прилегающем к по меньшей мере одной выпускной щели, и после прохождения водосодержащей жидкой среды через выпускное отверстие в направлении подложки и, таким образом, перед нанесением и во время нанесения водосодержащей жидкой среды на поверхность подложки, подлежащей обработке.
Изобретение относится к оборудованию для производства интегральных схем микромеханических и оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство введено по меньшей мере одно дополнительное сопло 5 с продольной осью O3-О4, оси O3-O4 сопел 5 расположены под углами λ, находящимися в диапазоне 20-80° к поверхности А платформы 1, причем ось O1-O2 и оси O3-O4 сопел 5 не пересекаются, а проекции осей O3-O4 в плоскости поверхности А платформы 1 составляют углы β с осями, проходящими через центр платформы 1 О и центры оснований 13 сопел 5, при этом оси O3-O4 со сторон, противоположных основаниям 13, направлены по касательной к образующей В столика 3 и могут отклоняться от этого направления в диапазоне +/- 20°.
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к реакторам высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Изобретение относится к способу лазерного скрайбирования полупроводниковой заготовки и может использоваться для эффективного и быстрого разделения полупроводниковых устройств, выполненных на твердых и сплошных подложках (6).
Использование: для формирования микроигл. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления микроигл и массива микроигл заключается в нанесении на верхней поверхности монокристаллической кремниевой подложки с ориентацией (100) защитной пленки, формировании в ней маски и последующем локальном анизотропном травлении кремния, при этом заодно с формированием маски между маской и периферийной областью защитной пленки, образующей при травлении внешнюю рамку, а также между соседними масками при изготовлении массива микроигл формируют поддерживающие элементы - подвесы, например, в форме полос или пилообразных зубцов, причем поддерживающие элементы - подвесы формируются так, что направление продольной оси поддерживающих элементов - подвесов совпадает с кристаллографическим направлением <111>.
Изобретение относится к материаловедению полупроводников и предназначено для контроля качества выращиваемых гетероэпитаксиальных слоев теллурида кадмия-ртути CdHgTe кристаллографической ориентации (310) при отработке процесса молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) для выявления различных типов дислокаций в слоях структур CdHgTe.
