Изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в H01L21/36-H01L21/428 (H01L21/44)
H Электричество(232322)
H01L21/44 Изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в H01L21/36-H01L21/428(22)
Способ увеличения адгезии // 2751805
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии увеличения адгезии к полупроводниковой структуре. Техническим результатом является увеличение адгезии, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Предложены устройство и способ определения характеристик пучка частиц, при которых обеспечивают прием пучка частиц в центральной области кожуха с пониженным давлением; воздействуют принятым пучком на ударную пластину для пучка, которая термически изолирована от кожуха; измеряют изменение температуры ударной пластины для пучка за счет воздействия пучка измеряют изменение давления в кожухе за счет приема пучка; и обрабатывают измеренное изменение температуры и измеренное изменение давления, чтобы определить характеристики пучка.
Способ изготовления индиевых микроконтактов с помощью позитивного обращаемого фоторезиста // 2522769
Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного обращаемого фоторезиста, который после экспонирования через фотошаблон с рисунком микроконтактов подвергается специальной термической обработке (обращение изображения) с последующим сплошным экспонированием и проявлением; на полученную фоторезистивную маску с отрицательным профилем напыляют слой индия; затем растворяют слой фоторезиста с одновременным отслаиванием слоя индия в зазорах между микроконтактами (процесс «взрыва»), оставляя последний на металлических площадках.
Изобретение относится к наноструктурам с высокими термоэлектрическими свойствами. Предложена одномерная (1D) или двумерная (2D) наноструктура, являющаяся нанопроволокой из кремния, полученной методом безэлектролизного травления или выращенной методом VLS (пар-жидкость-кристалл).
Способ изготовления индиевых столбиков // 2468469
Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. .
Способ изготовления индиевых столбиков // 2419178
Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией для микросборок интегральных схем и фотодиодных матриц. .
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования тонких пленок с повышенной адгезией. .
Способ изготовления индиевых столбиков // 2371808
Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. .
Датчик перемещения жидкостей и газов // 2291447
Изобретение относится к области микроэлектронных и микромеханических устройств и может быть использовано в качестве датчиков расхода и изменения уровней жидкостей и газов. .
Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп // 2151457
Изобретение относится к области технической физики. .
Способ изготовления мдп-конденсаторов // 1752139
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных конденсаторов. .
Элемент интегральной схемы // 1707655
Изобретение относится к микроэлектронике , в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с многоуровневой металлизацией. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым преобразователям солнечной энергии в электрическую. .
Изобретение относится к области технологии полупроводникового производства и может быть использовано при палладировании поверхности полупроводниковых соединений типа А III B V в процессе изготовления, например, светодиодов, инжекционных лазеров, диодов Ганна и т.д.
