Термоэлемент и способ соединения его ветвей

 

109343

Класс 21h,27о,421, 8е1

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Г. И. Шмелев

ТЕРМОЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ СОЕДИНЕ11ИЯ ЕГО ГЕ1 ВЕИ

Заявлено 6 октября 1952 г. за Хв 4758/129211 в Министерство электропромышленности СССР

Термоэлемент, положительная ветвь которого выполнена из соединения SbB1Te, и отрицательная— из сернистого свинца, является один из наиболее эффективных— среди известных термоэлементов для термоэлектрогенераторов.

Используемый в указанном термоэлементе сернистый свинец, по сравнению с соединением SbBITe„ обладает заметно худшими термоэлектрическими характеристиками.

Если для соединения SbBiTe коэффициент мощности ои -, по которому можно судить об эффективности того или другого материала (где a — электропроводность, а х— термоэлектродвижущая сила по отношению к свинцу), достигает величины 4, 10 вв/ом. см. град-", то для сернистого свинца величина этого коэффициента не превышает величины 2. 10 в /ом. см. град -.

Кроме того, полуэлементы из сернистого свинца, в случае резкого колебания температуры, весьма склонны к образованию трещин, наличие которых ведет к резкому снижению срока службы всего термоэлемента.

Это обстоятельство крайне затрудняет и существенно усложняет процесс коммутации термоэлементов, в состав которых Bxoдит сернистосвинцовая ветвь.

Согласно изобретению, предлагается использовать для изготовления отрицательной ветви термоэлемента вместо сернистого свинца теллуристый висмут с примесью иода в количестве до одного процента.

Теллуристый висмут в чистом виде, как известно, обладает положительным знаком термоэлектродвижущей силы при сравнительно невысоких термоэлектрических характеристиках = — =500 1, о.п,см. и х= 200 мкв,, град .-х - : .10 8 -",ом. см. град - .

Однако вве,",ение в теллуристый свинец небольшн.. количеств примеси иода (от 0,8 до 1,0". ) приводит к кардинальному изменению механизма зле ктропро водности (термоэлектродвижущая сила меняет свой знак с положительного на отрицательный) и обеспе и;вает высокие термоэлектрические характеристики теллуристого висмута (коэффициент мощности охв достигает величины 4.10 в-, ал, сл. град -). — 2

М 109343

Предмет изобретения

Отв. редактор Л. П. Ситников

Стандартгиз. Подп. к печ. 31Ъ 1-1958 r. Объем 0,125 и. л. Тираж 1150, Цена 25 коп.

Гор. Алатырь, типография _#_ 2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 104

Использование теллуристого висмута с примесью иода в паре с соединением SbBiTe, дает возможность значительно упростить процесс соединения ветвей термоэлемента.

Так как температура плавления теллуристого висмута с примесью иода †58 близка к температуре плавления соединения SbBiTe †63, то соединение ветвей предлагаемого термоэлемента может быть осуществлено путем заливки сурьмы, сплава SbBiTe., или В1 Те, в подогретую до 200 земляную опоку, в которой попарно заформовываются образцы из теллуристого висмута с примесью иода и образцы из сплава SbBiTe,.

1. Термоэлемент, положительная ветвь которого выполнена из соединения ЬЬВП е,„отл и ч а ю щи йс я тем, что, с целью повышения термоэлектродвижугцей силы, отрицательная ветвь его выполнена из теллуристого висмута с примесью иода в количестве до одного процента.

2. Способ соединения ветвей термоэлемента по п. 1 путем заливки их в подогретой опоке, отличающийсяся тем, что, с целью улучшения качества электрического контакта между ветвями, последние соединяют путем заливки их расплавленными SbHi е,. или Bi Те,.

Термоэлемент и способ соединения его ветвей Термоэлемент и способ соединения его ветвей 

 

Похожие патенты:

Термопара // 102692

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к полупроводниковым изделиям для термоэлектрических устройств и термоэлектрическим устройствам и может быть использовано в термоэлектрических приборах, основанных на эффектах Пельтье и Зеебека

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии, в частности к изготовлению термоэлектрических материалов (ТЭМ) n-типа проводимости, используемых в термоэлектрических устройствах (ТЭУ)

Изобретение относится к полупроводниковой технике, более конкретно к полупроводниковым изделиям из кристаллических материалов с определенной структурой, предназначенным для термоэлектрических устройств, основанных на эффектах

 // 161358
Наверх