Содержащих теллур, селен или серу (H01L35/16)

H01 Основные элементы электрического оборудования(70435)

H01L35/16 Содержащих теллур, селен или серу(26)

Твердые растворы bi2te3-sb2te3-sb2se3-bi2se3 n- и p-типов проводимости с повышенной механической прочностью // 2774636

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии, в частности к термоэлектрическому материалу в виде твердого раствора Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3-Bi2Se3, содержащего легирующие добавки.

Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута // 2765275

Изобретение относится к технологии получения полупроводникового низкотемпературного термоэлектрического материала электронного типа проводимости и может быть использовано при создании высокоэффективных термоэлектрических генераторных и охлаждающих модулей.

Термоэлемент (варианты) // 2723229

Изобретение относится к области прямого преобразования тепловой энергии в электрическую. Технический результат: повышение эффективности термоэлемента.

Способ получения термоэлектрического материала для термоэлектрических генераторных устройств на основе теллурида свинца // 2642890

Использование: для получения термоэлектрических материалов на основе теллурида свинца. Сущность изобретения заключается в том, что получение термоэлектрического материала для термоэлектрических генераторных устройств на основе теллурида свинца заданного свойства и состава производится сплавлением исходных компонентов шихты под флюсом в алундовом тигле при постоянном перемешивании путем воздействия акустическими волнами частотой 22-24 кГц и мощностью 400-600 Вт в течение 30-50 минут, температура синтеза которой составляет 880-910°С, после чего расплав выдерживается в течение 15-20 минут при температуре 900-930°С, затем охлаждается со скоростью 100-150 град/мин, после кристаллизации при температуре 600-700°С проводится гомогенизация сплава в течение 10-12 часов.

Способ получения термоэлектрического материала // 2568414

Использование: для изготовления термоэлектрических материалов (ТЭМ), применяемых в термоэлектрических устройствах (ТЭУ). Сущность изобретения заключается в том, что способ включает синтез твердых растворов, гомогенизацию отжигом исходного материала, запаянного в ампулу, причем синтез халькогенида меди производят выдержкой при температуре на 30-50°С выше температуры его плавления, а гомогенизацию осуществляют отжигом халькогенида меди при температуре 600-800°С, после чего халькогенид меди подвергают воздействию облучения высокоэнергетичными электронами со средней энергией электронов 7-9 МэВ в диапазоне доз 1.2·1016-3.2·1018 эл/см2 при комнатной температуре, затем вновь осуществляют отжиг при температуре 400-600°С.

Наноструктурный термоэлектрический материал // 2528338

Изобретение относится к наноструктурному термоэлектрическому материалу. Материал содержит теллурид сурьмы в виде тройного твердого раствора состава ВixSb2-xТе3, где х имеет значения от 0,4 до 0,5, и дисперсный наполнитель, выполненый из ультрадисперсного алмаза со средним размером частиц от 3 до 5 нм.

Способ получения термоэлектрического материала для термоэлектрических генераторных устройств // 2518353

Изобретение относится к способам получения термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута с легирующими добавками, используемых в устройствах термоэлектрического генерирования энергии. Сущность: способ включает синтез материала заданного состава сплавлением исходных компонентов шихты.

Нанокомпозитный термоэлектрик и способ его получения // 2474010

Изобретение относится к области наноструктурированных и нанокомпозитных материалов. .

Термоэлектрический нанокомпозит, способ изготовления нанокомпозита и применение нанокомпозита // 2457583

Изобретение относится к термоэлектричеству. .

Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения // 2413042

Термоэлектрический полупроводниковый материал, термоэлектрический полупроводниковый элемент с использованием термоэлектрического полупроводникового материала, термоэлектрический модуль с использованием термоэлектрического полупроводникового элемента и способ их изготовления // 2326466

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии. .

Полупроводниковое изделие // 2172540

Изобретение относится к полупроводниковой технике, более конкретно к полупроводниковым изделиям из кристаллических материалов с определенной структурой, предназначенным для термоэлектрических устройств, основанных на эффектах.

Литая пластина, изготовленная из термоэлектрического материала // 2160484

Способ получения термоэлектрических материалов на основе твердых растворов bi2(tese)3 электронного типа проводимости // 2157020

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии, в частности к изготовлению термоэлектрических материалов (ТЭМ) n-типа проводимости, используемых в термоэлектрических устройствах (ТЭУ).

Полупроводниковое изделие и термоэлектрическое устройство // 2120684

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к полупроводниковым изделиям для термоэлектрических устройств и термоэлектрическим устройствам и может быть использовано в термоэлектрических приборах, основанных на эффектах Пельтье и Зеебека.