Переключатель цилиндрических магнитных доменов

 

1. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов из ,пермаллоевых аппликаций, магнитосвяэан-, ные с элементом хранения управляющего домена в виде пермаллоевого диска, и токопроводящая шина стирания информации, отлич ающий с я тем, что, с целью повышения его надежности, он содержит расположенные на магнитоодноосной пленке канал записи и канал стирания управляющего домена из пермаллоевых аппликаций, причем последняя пермаллоевая аппликация канала записи управлякядего домена магнитосвязана с пермаллоевым диском, а пе)вая пермаллоевая аппликация кана- i ла стирания управляющего домена гальванически связана с пермаллое- { вым диском и тбкопроводящей шиной (Л стирания информации. ел 4 EjO ЭО

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

COQ4AJIHCTI+IECHI4X

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1 д(д) G. 11 С .11/14

Г0СУЛАРСТВЕНК и I4Oae СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

- t"!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ " ". :.„, 3

Н ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3365863/18-24 (22) 17.12.81 (46) 30.04.83. Бюл. М 16 (72) Г.E. Аникеев и И.В ° Огнев (71) Московский ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции энергетический институт (53) 681.327.66(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 526017, кл. G 11 С 11/14, 1976.

2. Патент CIA 9 4003037, кл. 340-174, опублик. 1977 (прототип) . (54) (57) 1 . ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов из,пермаллоевых аппликаций, магнитосвязан-, ные с элементом хранения управляющего домена в виде пермаллоевого диска, и токопроводящая шина стирания информации, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности, он содержит расположенные на магнитоодноосной пленке канал записи и канал стирания управляющего домена из пермаллоевых аппликаций, причем последняя пермаллоевая аппликация канала за- . писи управляющего домена магнитосвязана с пермаллоевым диском, à пеРвая пермаллоевая аппликация канала стирания управляющего домена гальванически связана с пермаллоевым диском и токонроводящей шиной стирания информации...1015438

2, Переключатель по п. 1, о тл и ч а ю шийся тем, что токопроводящая шина стирания инИзобретеиие относится к выЧисЛИ-тельной технике и автоматике и может быть использовано при, построении устройств обработки и запоминания дискретной, информации, в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены (ЦМД) °

Известен переключатель Щ4Д, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены основной, дополнительный и управляющий каналы продвижения ЦМД из ферромагнитных аппликаций, в кото рых для переключения потока ЦМД иэ основного в дополнительный канал используется магнитостатическое взаимодействие ЦМД (1 ).

Недостатком данного переключателя ЦМД является отсутствие фиксации1 заданного переключения каналов, что приводит к необходимости постоянно поддерживать в управляющем канале поток управляющих ЦМД.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является переключатель ЦМД, который содержнт магнитоодноосную пленку, на которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения ЦМД иэ пер-. маллоевых аппликаций, магнитоовязан- ные с элементом хранения управляющего домена в виде пермаллоевого диска, и токопроводящая шина стирания информации 2 .

Однако в указанном переключателе отсутствуют независимые каналы записи и стирания управляющего домена и управляющий ЦМД записывается с использованием основного, а стирается с использованием дополнительного каналов, что ограничивает область применения переключателя, так как записываемые управляющие ЦМД должны быть вставлены во входной поток переключаемых доменов, а стираемые - в выходной, выполнение токопроводящих шин управления записью и стиранием управляющего ЦМД в до-, полнительном слое металлиэации уменьшает выход годных устройств и удорожает изготовление устройств, использование в переключателе аппликации Т-формы приводит к узкой области устойчивой работы, так как переход ЦМД иэ основного в дополнительный канал происходит под длин-, формации выполнена в одном слое с пермаллоевыми аппликациями а ной переломленной.апжликацией, создающей недостаточно глубокую магнитостатическую ловушку, которая к тому же дополнительно уменьшается

5 воздействием управляющего домена, использование в каналах продвижения

ЦМД аппликаций T-1-формы также приводит к снижению области устойчивой работы каналов продвижения ЦМД и вы 0 соким требованием к выполнению зазоров между аппликациями.

Цель изобретения - повышение надежности переключателя ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что переключатель ЦМД дополнительно содержит расположенные на магнитоодноосной пленке канал записи и канал:стирания управляющего домена иэ пермаллоевых аппликаций, причем последняя пермаллоевая аппликация канала записи управляющего домена магнитосвязана с пермаллоевым диском, а первая пермаллоевая аппликация канала стирания управляющего домена гальванически связана с пер25 маллоевым диском и токопроводящей шиной стирания информации.

Токопроводящая шина стирания информации может быть выполнена в одном слое с пермаллоевыми аппликациями. На фиг. 1 изображена принципиальная схема переключателя ЦМД; на фиг. 2 - этапы перехода ЦМД при переключении из основного в дополнительный канал продвижения ЦМД; на фиг. 3 - этапы стирания управляю- щего домена в пермаллоевом диске.

Предлагаемый переключатель ЦМД (фиг, 1) содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены основной канал продвижения ЦМД из пермаллоевых аппликаций 2-4, дополнительный кайал продвижения ЦМД из пермаЛлоевцх аппликаций 5 и б, элемент 7 хранения управляющего домена в виде пермаллоевого диска, канал 8 записи управляющего домена, канал стирания управляющего домена из пермаллоевых аппликаций 9 и 10, токопроводящая.шина 11 стирания информации.

Вектор 12 управляющего поля вращается в плоскости доменсодержащей пленки по часовой, стрелке.

Предлагаемый переключатель ЦМД работает следующим образом.

1O1S438

Если пермаллоевый диск 7 не со-. держит Управляющего домена, то ЦИД, поступающие на вход 13 основного .канала продвижения ЦИД, проходят по апплнкациям 2-4 на его выход 14 °

Прн этом ЦИД переходит в аппликации

3 из позиции А в позиций Б. Чтобы исключить переход домена B этом случае в позицию В аппликации 5, а также растяжения ЦИД между позициями Б и В, зазср между аппликациями

3 и-5 увеличен.

Если же пермаллоевый диск 7 содержит управляющий домен, то последний:будет оказывать в результате магнитного взаимодействия отталкивающее влияние на. домен, поступаю» щий под ацпликацию 3 с аппликации 2 (фиг," 2а), таким образом, что этот. домен Д займет положение, показанное на фиг.. 26. В результате дальнейшего вращения вектора управляю.

1щего поля И я домен перейдет под . аппликации 5. и 6 дополнительного канала (фиг. 2в), далее на аппликацию .б (фиг. 2г) и выход 15, Отталкивакйцее воздействие управляющего домена Д препятствует про- движению домена Д п относительно слабый полюс Б аппликации 3 и способствует его переходу в позицию В аппликации 5. растяжение управляющего домена под диском 7:усиливает его отталкивающее воздействие на домен Д и расширяет этим область устойчивой работы доменного переключателя. Таким. дбразом, осуществляется переключение цИд из основно го в дополнительный канал. Запись управляющего домена под пермаллоевый диск 7, осуществляется подачей на вход канала 16 записи ЦИД, который поступает на диск 7 и сохраня; ется там, перемещаясь па краю диска в соответствйи с. изменением направления, у поля.

Стирание управляющего домена в .диске 7 осуществляется следующим образом, Прн положении вектора управляющего поля, показанного на фиг. 3а, в токЬпроводящую шину 11 стирания информации подается ток, что приводит к растяжению управляющего ЦИД пЬ верхнему краю шины 17 соединяющей диск 7 и Т-образную апплнкацию

10 9, и частичному его переходу íà аппликацню 9 (фиг. Зб). При дальнейшем вращении Н „р домен полностью переходит на Т-образную аппликацию

9 (фиг. Зв), так как ток создает

)5 по нижнему краю шины 17 магнитный барьер, препятствуйщий дальнейшему перемещению домена цо дйску. Пос-, ле прекращения тока домен через аппликацию 10 канала стирания (фиг. 3r) поступает на его выход .18, Таким образом, в предлагаемом переключателе ЦИД происходит фиксированное переключение направления перемещения доменов из основного канала в дополнительный и наоборот, основанное на магнитном возд йствии ., управляющего домейа на. входной поток доменов. При этом запись и стирание управляющего домена осуществляется по независимым каналам записи и стирания, что повьааает надежность переключателя.

Выполнение токопроводящей шины стирания информации в одном слое с пермаллоевыми аппликациями не тре™

35 бует при изготовлении переключателя. трудоемкой операции совмещения токо.проводящего и магнитного слоев. Это позволяет успешно использовать пред- лагаемйй переключатель в доменвйх

4Q устройстваХ с ЦИД диаметром 0,5- 1мкМ.

Изготовление переключателя одним уровнем маскирования значительно упрощает технологию изготовления, поввааает выход годных и снижает сто юмость устройств.

1015438

+gnat фпр фиг. 3

ВНИИПИ Закан 3224/49 Тираж 594 Подписное

Филиал ППП "Патент", г,Ужгород, ул. Проектная,4

Переключатель цилиндрических магнитных доменов Переключатель цилиндрических магнитных доменов Переключатель цилиндрических магнитных доменов Переключатель цилиндрических магнитных доменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх