Накопитель для запоминающего устройства

 

Союз Советск их

Социалистических .Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 06. 07. 81 (21) 3314493/18-24 (51 ) М. Кд.

G 11 С 11/14 с присоединением заявки И (23) Гееударствеккый квинтет СССР

П риоритет

Опубликовано 23.02.83. Бюллетень Юв7 (53)УДК 681 .327.66 (088.8) 06 делам кмбретеннк и еткрытик

Дата опубликования описания 25.02.83

Я2) Авторы изобретения

В. И. Сергеев и А. И. Холопкин (7() Заявитель (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются цилиндрические магнит" ные домены (ЦИД).

Известен накопитель для запоминающего устройства, содержащий регистры хранения информации и канал продвижения ЦИД (канал связи), образованные ферромагнитными аппликациями

Т-,1-, -образной формы и шевронами.

С помощью Т-, у-образных аппликаций производится обмен информацией между регистрами хранения и каналом связи посредством воздействия на ЦИД полем управления Н ХЗ Е13

Недостатками этого накопителя являются узкая область устойчивой работы, а также низкая надежность, свя -щ .занная с критичностью зазоров между элементами в запоминающем устройстве большой емкости с ЦИД микронных и субмикронных размеров.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является накопитель для запоминающего устройства,.содержащий магнитоодноосную пленку, на которой . расположены регистры хранения информации и канал продвижения ЦИД, изготовленные из ферромагнитных аппликаций С-,Т-,1-образной формы; шевронов и ковшеобразных аппликаций, а также токопроводящую шину. Шина управления выполнена из немагнитного материала хорошо проводящего электрический ток во втором слое металлизации (2).

Однако известное устройство обладает недостатком, связанным с высоким электрическим сопротивлением то" копроводящей шины в запоминающем устройстве большой емкости с ЦИД микронных и субмикронных размеров в связи с этим для управления устройством требуются высокие напряжения управляющих импульсов тока. В результате подачи высоких напряжений в токопроводящую шину может произойти элект10

20 хранения информации

3 99 рический пробой изоляции между двумя .слоями металлизации, а также между секциями (петлями) шины смежных регистров, В результате этого снижается надежность, работы накопителя, Другим недостатком известного накопителя является сложность совмещения двух слоев металлизации при изготовлении запоминающего устройства большой емкости с ЦМД малых размеров.

Целью изобретения является упрощение и повышение надежности накопителя для запоминающего устройства. . Поставленная цель достигается тем, что накопитель для запоминающего . устройства, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены регистры хранения информации и канал продвижения ЦМД из ферромагнит-: ных аппликаций С-,Т-,1-образной формы, содержит в регистрах хранения информацйи и канале продвижения ЦМД ферромагнитные аппликации 2-образной формы, расположенные симметрично и повернутые на 180 одна относительно другой и магнитосвязанные между собой и с Ферромагнитными аппликациями

1-образной формы, причем концы выше указанных ферромагнитных аппликаций

I-образной формы, расположенных в канале продвижения ЦМД, магнитосвязаны с двумя ферромагнитными аппликациями Т-образной формы, расположенными зеркально одна относительно другой и магнитосвязанными с третьей ферромагнитной аппликацией Т-образной формы.

На фиг. 1 представлена конструкция накопителя дпя запоминающего уст: ройства; на Фиг, 2 и 3 показаны по-. зиции, занимаемые ЦМД в канале продвижения и в регистрах хранения инФормации.

Накопитель для запоминающего уст- ройства содержит магнитоодноосную пленку 1 (фиг. t), на которой расположены канал 2 продвижения ЦМД и: регистры 3 хранения информации из ферромагнитных аппликаций 4 T-образной формы, -образной формы 5,2-образной формы б и 7 и С-образной формы 8.

Накопитель работает следующим образом, А. Режим хранения либо поиска информации (продвижение ЦМД по каналу и регистрам}.

ЦМД„ находящиеся в регистрах 3 хранения, циркулируют по регистрам, 9107 - 4 а ЦМД, находяциеся в канале 2 продвижения, продвигаются только по каналу (фиг. 2Q- ц). В том и другом случае независимое продвижение ЦМД осуществляется с помощью 2-. образных аппликаций, расположенных в регистрах, хранения и в канале продвижения ЦМД, находящихся на смежных, магнитосвязанных 2-образных аппликациях (фиг. 2с1,8). При следуюцем повороте управляющего поля на 90 ЦМД приходят только на массивные ковшеобраз-. ные части 2-образных аппликаций (фиг.. 21). Такой переход доменов происходит вследствие неравнозначности магнитных полей аппликаций наводимых полем управления Н 1, магнитное поле массивной аппликации, притягивающее домены, намного больше магнитного поля аппликации с нормальными размерами.

Б. Вывод информации из регистров

На Фиг. 3g- д показаны этапы продвижения доменой О, О< и О в регистр рах 3 и в канале 2 продвижения ЦМД.

При вращении вектора поля управления по часовой стрелке информационные домены в регистрах 3, как отмечено в разделе А, также движутся по . часовой стрелке. Как только информационный домен О, на 2-образной аппликации приходит в позицию, отмеченную на фиг. 30, то вращение вектора управляющего поля меняется на противоположное.За один оборот поля

Н1 у против часовой стрелки домен О переходит в канал продвижения на

Т-образную аппликацию.4, двигаясь по .ковшеобразной части 2-образной аппликации, затем по I. — oáðàçíoé аппликации 5, как показано на фиг. 3Д=Д.

Как только домен 0.2 поступает в

t позицию, отмеченную на фиг. 3Д то вращение вектора управляющего поля снова меняется на противоположное и домен D движется по каналу к дат1 чику считйвания ЦМД (фиг. 3 -0).

В. Ввод информации в регистры хранения информации.

Этап продвижения домена 0.1 по каналу продвижения ЦМД и по регистру хранения информации следующие (фиг.3с1-0.). Как только домен О поступает в позицию, отмеченную на фиг. 3g, вращение вектора управляющего поля Н, меняется на противоположное. В результате одного поворота

5 9991 вектора Н д против масовой стрелки домен D переходит в регистр 3 (фиг. Зц). После этого вращение Н меняется на противоположное, т.е. .вектор управляющего поля вращается по 5 часовой стрелке и домен 0 циркули" рует в Qr onpe хранения информации (фиг. Зд-о-).

Г. Одновременный вывод и ввод информации.

Этапы продвижения доменов 0., 0 и 0 по каналу продвижения и по ре"

/ гистру хранения информации следующие (фиг. За-д).

При положении вектора управляющего поля Н, показанном на фиг. ЗСЬ домены D, D и 0 находятся в позициях, после которых вращение вектора Н по часовой стрелке меняетсяна противоположное. В результате од- 20

Rbro поворота вектора Н1 1 против часовой стрелки информационный домен

0 переходит в канал продвижения, а

1 домен 0 освобождает позицию в ре4 гистре для домена 0,. который из ка-. >> нала продвижения поступает в регистр

3 (фиг. За-д). После попадания ЦИД ,в позиции, отмеченные на фиг. Зд, вращение вектора поля Н > меняется ,на противопогожное, в результате че- ЗО го домены D -и D„ циркулируют по регистру хранения, а -. домен 0 .; вы1. веденный из регистра, двигается по,. каналу.2 продвижения ЦМД.

Таким образом, в предлагаемом на- 3s копителе осуществляется: независймое., циркулирование ЦИД по регистрам хранения информации и по каналу продви жения в режиме хранения или поиска информации, вывод, ввод и одновремен- 40 ный вывод и ввод информации,.Предлагаемый накопитель выполняется в одном уровне металлизации, исключающем управляющие токопроводящиешины. В результате этьго в запоминаю-is щем устройстве большой емкости с ЦИД микронных и .субмикронных размеров не

07 6 требуется черезвычайно сложной и трудоемкой технологической операции сов-. мещения- двух слоев, Это повышает надежность работы устройства, повышает выход годных приборов и снижает-cto" . .имость последних. Кроме того, изготовление накопителей в одноуровневом исполнении ведет к сокращению технологических операций.и к снижению стоимости.

Формула изобретения

Накопитель для запоминающего устройств@, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены регистры хранения информации и канал продвижения цилиндрических магнитных доменов из феррбмагнитных аппликаций

C-,Т-,1-образной формы, о,т л ич а ю шийся тей, что, с целью. упрощения и повышения надежности накопителя, он содержит в регистрах хранения информации и. канале продвижения цилиндрических магнитных доме": нов ферромагнитные аппликации 2-образной формы, расположенные симметрично и повернутые на 180о одна относительно другой и магнитосвязанные между собой и с ферромагнитными аппликациями ) -образной формы, причем концы вышеуказанных ферромагнйтных аппликаций ) -образной формы, расположенных в канале продвижения цилиндрических магнитных доменов, магнитосвязаны с двумя ферромагнитными аппликациями Т-образной формы, расположенными зеркально одна относительно другой и магнитосвязанными с третьей, ферромагнитной аппликацией Т-образной формы.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. 1EEE Trans. Magn., Ч.MAG-11, 1975» р 1 136, :2. 1ЕЕЕ Trans.. Magn., V.MAG-15, М 6, 1979 р. 1692 (прототип).

999107

Ф

Ф

Ф

4 г ) egg /

Фиг. 3

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

ВНИИПИ Заказ 1166/75 Тираж 592 Подписное