Обучающаяся матрица

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<1 >,999106

Союз Советских .Социапистических

Респубттик (6l ) Дополнительное и авт. свнд-ву (22) Заявлено 02. 07. 81 (21) 3310286/18-24 (51)М. Кл. с присоедннениеит заявки МG 11 С 11/14

1 уй р л ю Ф и и и и я

СССР (23)Приоритет

Опубликовано 23. 02 ° 83. Бюллетень М 7 (53) УЙ К 681. .327.66 (088.8) 60 делан иэееретеиий и атирытий

Дата опубликования описания 25 . 02 . 83

P2) Авторы изобретения

В.А. Домин, Б.Л. Мазо и В.К. Раев (7I ) Заявитель

Институт электронных управляющих машин (Q4) ОБУЧАЮЩАЯСЯ ИАТРИЦА

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах распознавания образов, управления и регулирования.

Известна обучающаяся матрица, содержащая тонкие магнитные пленки, шины возбуждения и токопроводящие катушки, расположенные у торцов тонких магнитных пленок Pl ).

Недостатком указанного устройства является сильное взаимовлияние соседних:тонкопленочных магнитных элементов в матрице, что приводит к нестабильности характеристик адаптации, ухудшению их линейности, неконтролируемому изменению возможного числа шагов адаптации матрицы.

Наиболее близкой к изобретению является обучающаяся матрица, кото-, рая содержит тонкие магнитные пленки 2о с осями легкого намагничивания .вдоль их длины, шины возбуждения, размещенные вдоль осей легкого намагничивания тонких магнитных пленок, и основ-. ные токопроводящие катушки, обхваты вающие тонкие магнитные пленки и шины возбуждения и расположенные перпендикулярно к осям легкого намагничивания $ 2).

Однако в известной матрице в процессе считывания информации вследствие неизбежного наличия емкостных связей между шинами возбуждения и токопроводящими катушками в последних возникают сигналы, .которые являются паразитными по отношению к полезным сигналам, наведенным в токопроводящих катушках магнитными полями тонких магнитных пленок. В результате. такие устройства имеют большую величину отношения шум/сигнал и высокую .погрешность.

Целью изобретения является повышение надежности и уменьшение по-. грешности обучающейся матрицы.

Указанная цель достигается тем, что обучающаяся матрица содержит компенсационные токопроводящие катушки, 99910

1 !

55 расположенные между тонкими магнитными пленками и включенные последовательно-встречно с соответствующими основными токопроводящими катушками.

На фиг. 1 изображена конструкция s обучающейся матрицы; на фиг. 2 - возможный вариант соединения введенных в обучающуюся матрицу компенсационных токопроводящих катушек с основными токопроводящими катушками, охватывающими тонкие магнитные пленки и шины возбуждения.

Предлагаемая обучающаяся матрица содержит тонкие магнитные пленки 1, шины 2 возбуждения, размещенные вдоль 15 осей легкого намагничивания тонких магнитных пленок, основные токопроводящие> катушки 3, охватывающие тонкие магнитные пленки и расположенные перпендикулярно к осям легкого намаг- щ ничивания, компенсационные токопроводящие катушки 4, расположенные перпендикулярно шинам возбуждения и от» деленные от них полностью немагнит-. ным экраном 5, выводы 6 катушек 4 подсоединены к выводам 7 основных токопроводящих катушек 3, охватывающих тонкие магнитные пленки и шины возбуждения.

Устройство работает следующим образом.

При записи информации в шины 2 возбуждения, относящиеся к тем тонким магнитным пленкам, в которые производится запись, подается переменный электрический ток, создающий переменное магнитное поле по оси трудного намагничивания тонких магнитных пленок 1, Одновременно в основные токопроводящие катушки 3, охватывающие тонкие магнитные пленки, в которых производится запись, подаются импульсы тока, создающие импульсы постоянного магнитного поля вдоль оси легкого намагничивания. В результате под действием переменного и импульсного магнитных полей происходит управляемое сползание доменных границ в тонких магнитных пленках и общее изменение в них суммарной намагниченности, которая отождествляется со значением записанной информации. Сползание доменных границ в ту или иную сторону в тонких магнитных пленках 1

{вправо или влево) определяется полярностью импульсов поля, и существует возможность направленного изменения в сторону увеличения или умень6 4 шения общей суммарной намагниченности тонкой магнитной пленки. Если та или иная тонкая пленка находится под действием только переменного или только постоянного магнитного полей, то сползания доменной границы не происходит и, следовательно, хранимая в такой тонкой магнитной пленке информация остается без изменения.

Считывание информации производится путем возбуждения тонких магнитных пленок переменным магнитным полем по оси трудного намагничивания и снятием индуцированных сигналов с выводов 8 катушек 3, которые не подсоединены к выводам 6 катушек 4. При этом выводы 9 катушек 4, неподсоединенные к выводам 7 катушек 3, являются общими. Токопроводящие катушки 3 и 4 должны иметь одинаковые конструктивные и электрические характеристики, для того, чтобы паразитные сигналы, наводимые в них при считывании, были идентичны. В этом случае при соединении выводов катушек 3 и 4, показанном на фиг.1, в процессе считывания происходит компенсация паразитных сигналов и с выходов катушек 3 снимаются только полезные сигналы, наводимые полями тонких магнитных пленок. Практически абсолютной компенсации может не наблюдаться, но отношение сигнал/

/шум становится существенно выше, чем в известных конструкциях матриц без компенсационных катушек.

Возможен и другой вариант соединения выводов токопроводящих катушек

3 с выводами катушек 4 (фиг. 2). В этом случае объединяются выводы 7 катушек 3 с выводами 9 катушек 4, а сигналы с выводов 8 катушек .3 и выводов 6 катушек 4 должны быть направлены на противоположные плечи дифференциальных усилителей l0.

Предлагаемая матрица имеет следующие преимущества по сравнению с известной. Так как паразитный сигнал вычитается из основного, то на выходные схемы подается напряжение, где помеха в значительной мере ослаблена. Степень подавления помехи, как отмечалось выше, зависит от идентичности геометрических и электрических параметров основных и компенсационных катушек. По эксперименталь ным данным уменьшение паразитного сиг. нала происходит не менее, чем на порядок. Таким образом, улучшается. 9991 фильтрация выходного сигнала, упрощаются выходные цепи, и принципиально может быть повышено быстродействие. Кроме того, снижаются требования к содержанию второй гармоники в 5 цепях возбуждения, так как составляющая паразитяого сигнала, обусловленная этой гармоникой, также компенсируется. Это обстоятельство позволяет заметно упростить схемы возбуж

30 дения. 8се .это дает возможность снизить погрешность работы устройства и повысить его надежность.

06 б проводящие катушки, обхватывающие тонкие магнитные пленки и шины возбуждения и расположенные перпендикулярно к осям легкого намагничиваний тонких магнитных пленок, о т л ич а ю щ а я с ÿ тем, что, с целью повышения надежности и уменьшения погрешности обучающейся матрицы, она содержит компенсационные токо-. проводящие катушки, расположенные между тонкими магнитными пленками и включенные последовательно-встречно с соответствующими основными токопроводящими катушками.

Формула изобретения

Обучающаяся матрица, содержащая тонкие магнитные пленки с осями легкого намагничивания вдоль их длины, Мины возбуждения, размещенные вдоль осей легкого намагничивания тонких магнитчых пленок, и основные токоИсточники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Боярченков И.А. и др. Аналоговые запоминающие и адаптивные эле20 менты. И., "Энергия", 1973.

2. Авторское свидетельство СССР и 662970, кл. G 11 С 11/14, 1979 (прототип).

999106

Составитель 6. Розенталь

Техред К.Иыцьо Корректор И.Шулла

Редактор Л. Филиппова

Тираж 592 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, И-35, Рауиская наб., д. 4/5

Заказ 1166/75, Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4