Высоковольтный ввод конденсаторного типа

 

ШСОКОВОЛЬТНЫЙ ВЮД КОНДЕНСАТОРНОГО ТИПА, содержащий заземлен {ый электрод, центральный токоведущий проводник и размещенные между ними обкладки с равньлми уступами, разделенные слоями изоляции одинаковой толщины, отличающийся тем, что, с целью увеличения электрической прочности,,он снабжен дополнительными обкладками, расположенными в слоях изоляции, примыкающих к центральному токоведущему проводнику и к заземленному электроду,и выводами , . соединяющими дополнительные обкладки с одной из примдкакхдих обкладок. о «г О5 со о :

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„Я0„„1069013 A

3L!D Н 01 0 1 14!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ABTOPGHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ф,У

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР пО делАм изоБРетений и ОтнРьтий (2!1 ) 3366779/18-21 (22) 11.12.81 (46) 23.01.84. Вюл. 9 3 (72) В. В. Рудаков и Е. Д. Ашихмина (71 ) Харьковский ордена Ленина политехнический институт им. B.È. Ленина (53) 621.319.4(088.8) (56) 1. Патент CtrlA M 3462545, кл. 174-143, 19.08.69.

2. Никулин Н. B. и др. Высоковольтные вводы и их ремонт. М., "Высшая школа", 1980, с. 31 (прототип )., 54 ) (57 ) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ВВОД КОНДЕНCATOPH0I О ТИПА, содержащий заземленный электрод, центральный токоведущий проводник и размещенные между ни ми обкладки с равными уступами, разделенные слоями изоляции одинаковой толщины, отличающийся тем, что, с целью увеличения электрической прочности, он снабжен дополни тель ными обкладками, расположенными в слоях изоляции, примыкающих к центральному токоведущему проводнику и к з аземленному электроду,и выводами, соединяющим дополнительные обкладки с однои из примякающ х обкладок.

Иэ обре те и ие относитс я к (.Нт(. Г)к с

Воль тной технике к . 1о;кет(быть при(т(ЕНЕНО В КО Пот;. ут((1тт я,(Про)т ОП(-:;.зсОкОВ тных и 3ОляторОБ бс ль(.!н.-: баритов с бума)((но-масляно-::.:.3 о (:-:.— ей, слу)((а(((и)(для вывода про о(-с -, ВЫСОКОГО HB(I(Я!((BНИЯ ИЗ т(ОРПт//С(тГ электроус:==.HîBoê а та.-ске в вь)(.():

Воль тных конде нса тора:,. (боль, —::ТОЛ(т(ИНО: Д - *3 1Е Ктр(IКаИЗВэстЕ я BO=: i(OHГ(Е .!r, I-O /br)1

Па; ИМЕ. СЩ((й ЧЕРЕ(тУ(()ЦЕЕС!. - (C/IO 1 электрика равной тгол(пины и урав

НнтЕЛЬНЫС МЕ дЛЛИЧЕ/ КИЕ Обнла.:i1(",:;

КaтОрЫЕ Ь(т(Е:О раэ рЫВЬ: В 1(Е((— рт=-.

И ПОСЛЕДОВатЕЛЬНО У КОРС т(Е (:.31 0(i. П Е Н

Р â€”,ib) HO О ОКОВЕДУЦ(ЕГ. ЦР()ВОД(-;И((а, 3 r3 3 / ËT((3 HHQ(fii/ Э птт((-.Пап)/ т)л я -т(тт.

,.- С т т - i (C

1(я!.т/1 .;: 1((.от в нот/13()=iо/c (тас (ае по -(р::..е

Градиента (:=:. больа(ой то. 11(ине пт(;-,.— —трИК а В ДЕН ттээ В ВО):а B p Ã(ò=.H ПЬ 1(О;;, НаПравJIЕНИИ вЂ”, ГДС )Ет " 1 -1 . .1 т

Зб кладок, и нера в ьоме о:- зе .: c, ..:(t= ление потенциала между 3 .Мим: /,:азНИ т ЕЛЬ НЫМИ О б К /ПаД;((т Мн:= 3 -3 c( (3 М К О С т Н ЫК С В Я 3 Е .т;/ (/ а В -П (1 Е Л - -(b

КЛаДОК На ЦэнтРалт=НЫй . (КО--(ЕДУ(i(H=

ПровОДНИК . ВСЕ Э то СНИ"Ед Ет -. -ii3 (: " "т - т(ЕСКУЮ ПРОЧНОСТЬ ВБО а.

Наиболее б INBKH 1 ((1:;..".Об!1(F» е тЕК(.(ИЧЕСКОй СУ(/(О -- (",1 1/ВЛЯЕ-1 (- Я

r Ы СО К О В Ол b т H bi(i В ВО Q К О Hr (!3 Н С а т О О Ь (1)ОД, ПЕ Н ГРа.пв. ((;.тй — ОК С .,:- ГУ

ПИК И pF,ЗМЕ(1(Е ННЫ.. /1 /(-т(, --(Н 11 ((,г

:- И С Рав НЫМИ;- С ГУ:13Мт: ., : -1 ..т (.ЛОЯМИ ИЗ ОЛЯЦИИ :.,,((": ()

Ляато я НЕ тпав НОМЕ((П((г/Е;1-1«(. (т, .тэ»„-.

I;Ot=- HL; .(а/!а На „-/Раь(Н - I33J"- -"

ИЗ вЂ” 3 а Н е, т.(т)т а -т (-, В(4 т(Ет(Я ЕМКОСти П./ЛУЧ а(эт С:.—,, -(Р,.З =:- .

ПОСЛЕДНИ)(CRiO;=, y,„т(-(--;. И 1 ОП И т кой про -.(нос "и ввода ((Е11Ь:-1 3 О б р;- г (Н И,; — ;: В . электрической проч(-(CO!(OÂORb Г НЫ !B ОД 1(О ") 3 !ib," . О

Па (, СОДЕРжа<а(((И !) 3 НЗ Е(/((r=:! .. Ы -. 3! цен гра/;b .1-1,! IC)(«)=-; .ут(П раВНЫМИ ./ 1 Г : . /тт -...1, ° .= П.- B3". (j(Р .: Пт: т.:

ИЗОЛЯЦ (И 31) т т"- БЕ".

ДЗПСтЛНИ „ .(Ь(-(т(т,ii О(-т)(лад а т("., 1 ЕННЫМИ В С!. О)H" (!(3 С ь

1(ЦЕНтРал1 1(О(ттт/ (O(-i-.я(3 —, 1.1--.—, :

В(.)ДаМИ . Сг)Е тти -". п(, (П -, /(И ° . i J"

O б)1{ЛадКИ, C (:Нгтй кладОк.

Ча фИГ, л. Е ., .— Г(тт((:. :1::,В ЗОД КОНДЕНСатr ти «/ раэ рЕЭ .=, На (()-=(г,. " —, -;,.; r) - г;..- т- - с:. - с- ((/3-Я x "- аB(т т ГЕП1-— т -1 п т- .- 0 Г . т О К О 3 ЕД У(((Е Г О - ° с ° П К ПС Ti(3 (3 ° т)В.В НЫМИ

Лрст " !(Ci..;- 1: E. яЬ iicJn .,/КЛа

1С(C. ((ПИ ::!3/i . /3: " Об 1(- ПЗДКИ, .;-:;.-i() rI(-ж;-,, (; ((ЕРВ.=". -! ОС-ЛЕДНИК

-а=: 3:(J!аг:;к —. .::л —.-: .(р :: . К(! Соеднне—

C: ) )(" -I3 ДВ т. )" ; TiC BQ; ..:,— —::::(Ц т/

1-;, —. T-i"- < Тт)И (; - Ктт ,.;(.. irJ гр,:.» .:: —.. /RBHQA сбклаг(кг)й

;« °:" Е . С "РИЧЕСУ . СО(Д:HCH(IC -(1/,-.11(-;,.—.,-(.-,— /. —. —: (.-, К "т((/ B 3 ( : зд

\ т т —, )

Г 11 — L. ) ( ( ( г

1069013 где ФХ ХХ ЮХ 1Х 8J У5 105 (Фиа 2

i — номер слоя изоляции, начиная от центрального токоведущего проводника;

R  — соответственно наружный

)+ и внутренний радиусы ближайших об кладок с раз ными з наче ниями поте нциалон в i-ом слое; г „, г„— соответственно наружныи

1+1 и внутренний радиусы уравнительных обкладок в i îì слое; р — диэлектрическая постоянная; относительная диэлектрическая проницаемость 15 изоляции;

0 — ширина дополнительной

1 обкладки в i-ом слое;

Ч; — угол дуги, охватываемый дополнительной обкладкой по направлению намотки, ра д, С вЂ” максимальное значение

Фс х емкости между соседними ураннительными обкладка- 25 ми известного ввода; аР ; — длина уступа наружной уравнительной обкладки по отношению к дополнительной обкладке в i-ом слое; ширина вывода.

На фиг. 2 представлены кривые распределения градиентов н области краевых зон уравнительных обкладок известного (кривая 1) и предлагаемого устройства (кривая 2) в зависимости от радиуса.для бумажно-масляного ввода на 110 кВ. При этом при расчете берутся следующие значения параметров: толщина диэлектрика между 40 уравнительными обкладками 2,61 мм, внутренний диаметр ввода 45 мм, наружный диаметр 112,86 мм, длина наружной обкладки последнего слоя

500 м, длины уступов д 31 1 226 6 мммм, 582 45

48 мм. Число дополнительных обкладок в 1-м слое у центрального токоведущего электрода в расчетной конструкции равно двум (одна у Верхней и одна у нижней уравнительных сбкладок), во

2-4-м и 8-10-м — одному, в 1-м двум, н 12-м - трем, в 13-м - четырем.

Длина уступа дополнительных обкладок принимается равной 20 мм но всех слоях. Толщина диэлектрика между дополнительной и уравнительной обкладками, электрически соединенными между собой„ составляет в 1-м слое

0,16 мм, во 2-м — 0,185 мм, н 3-м0 09 мм, в 4 м — 0 04 мм, в 8 м

0,06 мм, н 9-м — 0,0185 мм, в 10-м—

G,023 мм, в 11-13-м - по 0,185 мм.

При таком конструктивном исполнении градиент на краю уравнительных обкладок предложенного ввода одинаков из-за равенства емкостей слоев, а у известного градиент на краях обкладок в первых и последних слоях выше на 4-25%, Таким образом, предлагаемое устройство обеспечивает снижение рабочего градиента íà - 25%, а следовательно, приводит к увеличению электрической прочности ввода до 25%.

Предлагаемое устройство по сравнению,с известным обеспечивает увеЛичение электрической прочности ввода, так как благодаря введению дополнительных обкладок, электрически соединенных с ближайшими уравнительными обкладками, происходит ранномерное распределение потенциала между обкладками. При этом градиент на краях уравнительных вбкладок в слоях изоляции с допол-:;ë:;òåëüíûìè обкладками уменьшается, а н средней части увеличивается. Так как =- чектрическую прочность ввода определяет градиент на краю ураннительных обкладок, а не в слабо неоднородном поле в центральной части, где обычно изоляция электрически недогружена, то электрическая прочность ввода возрастает. Эта увеличение составляет до 25В по сравнению с известным устройством, что позволяет увеличить рабочее напряженис ввода до 25%.

БНИИПИ 3 аказ 11482/48

Тираж 687 Подписное

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4