Способ обработки внутриклеточных стеклянных микроэлектродов
СПОСОБ ОБРЛвоТКИ ВНЙГРИКЛЕТОЧНЫХ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОЭЛЕКТРОДОВ , включающий заточку их колющей части на абразиве с алмазной пылью и очистку канала микроэлектродов от пыли, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления диаметра канала микроэлектродов, последние затачивают на кварцевом монокристалле с зернистостью 0,3-0,5 мкм, при этом в процессе обработки на микроэлектроды подают прямоугольные электрические импульсы с периодом в 2-3 с и заточку на кварцевом монокристалле ведут до электрического сопротивления микроэлектродов 2-6 мОм, а щлифовку на абразиве с алмазной пылью с зернистостью до 0,05 мкм до электрического сопротивления микроэлектродов в 1,0 (О 1,2 мОм, причем всю обработку ведут в фи (Л зиологическом растворе.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
g(5t) А 61 В 5/05
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А BTOPCHGMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3458110/28-13 (22) 23.06.82 (46) 30.03.84. Бюл. № 12 (72) В. В. Дергачев, А. Г. Камкин и И. С. Киселева (71) 2-й Московский ордена Ленина государственный медицинский институт им. Н. И. Пирогова (53) 615.475 (088.8) (56) 1. 1ес(егег W. 1., Spindler А. Т., Eisner D. А., Thick Slurry Bevelling. А Mew
Technique for Bevelling Extremely Fine Microelectrodes and Micropipettes. — «Pflugeres Arch», 1979, 381, № 3, р. 287 — 288.
2. Brovon К. Т., Flaming D G., Technique for Precision Bevelling of Re1a tively
Large Micropipettes. — «T. Neurosci Meth», 1979, 1, № 1, р. 25 — 34.
„„SU„„1082392 А
1 (54) {57) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ВНУТРИКЛЕТОЧНЫХ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОЭЛЕКТРОДОВ, включающий заточку их колющей части на абразиве с алмазной пылью и очистку канала микроэлектродов от пыли, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления диаметра канала микроэлектродов, последние затачивают на кварцевом монокристалле с зернистостью 0,3 — 0,5 мкм, при этом в процессе обработки на микроэлектроды подают пря моугольные электрические импульсы с периодом в 2 — 3 с и заточку на кварцевом монокристалле ведут до электрического сопротивления микроэлектродов 2 — 6 мОм, а шлифовку на абразиве с алмазной пылью с зернистостью до 0,05 мкм до электрического сопротивления микроэлектродов в 1,0—
1,2 мОм, причем всю обработку ведут в физиологическом растворе.
1082392
30
ВНИИПИ Заказ б03(3
Филиал ППП «Патент», r.
Тираж б88 Подписное
Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к медицинской технике, а именно к способам обработки внутриклеточных стеклянных микроэлектродов.
Известен способ обработки внутриклеточных стеклянных микроэлектродов, заключающийся в заточке их колющей части с помощью абразива с зернистостью 0,05 мкм, представляющего собой осевшую глину, смешанную с 20% порошка окиси алюминия, находящуюся в 3 М растворе КС! (1).
Данный способ не позволяет строго задавать углы скоса колющей части, в связи с чем значительно ухудшается прокалывающая способность микроэлектродов. Их электрическое сопротивление лежит в широком диапазоне, что вносит значительную погрешность в получаемые при использовании данных микроэлектродов «а практике измерения. Кроме того, затачивающая поверхность применяемого абразива засоряет отверстие сквозного продольного канала, расположенное в плоскости колющей части микроэлектрода, что делает его непригодным к работе. Известнь и способ обработки микроэлектродов в целом является длительным.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обра- 25 ботки внутриклеточных стеклянных микроэлектродов, включающий заточку их колющей части на абразиве с алмазной пылью и очистку канала микроэлектродов от пыли.
При этом очистку канала производят подачей в него постоянного давления (2).
Указачный способ не позволяет получить обшлифованную (гладкую) поверхность колющей части, в связи с чем ухудшается прокалывающая способность микроэлектродов. Их электрическое сопротивление лежит в широком диапазоне, что вносит значительную погрешность в получаемые при использовании данных микроэлектродов на практике измерения. Кроме того, значительную сложность представляет подача в сквозной продольный канал микроэлектродов постоянного давления. Для этого нужна дополнительная аппаратура, а также устройства стыковки этой аппаратуры с микроэлектродами. Этот способ приводит к частому облому колющей части. вызванному подачеи постоянного давления и сложностью в подборе его оптимальных значений.
Цель изобретения — повышение точно сти изготовления диаметра канала микроэлектродов.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу обработки внутриклеточных стеклянных микроэлектродов, включаюшему заточку их колющей части на абразиве с алмазной пылью и очистку канала микроэлектродов от пыли, последние затачивают на кварцевом монокристалле с зернистостью 0,3 — 0,5 мкм, при этом в процессе обработки на микроэлетроды подают прямоугольные электрические импульсы с периодом в 2 — 3 с и заточку на кварцевом монокристалле ведут до электрического сопротивления микроэлектродов 2 — 6 мОм, а шлифовку на абразиве с алмазной пылью с зернистостью до 0,05 мкм до электрического сопротивления микроэлектродов в 1,0—
1,2 мОм, причем всю обработку вел ; в физиологическом растворе.
Способ осуществляют следующим образом.
Заточка микроэлектродов на кварце вом монокристалле с зернистостью 0,3—
0,5 мкм в физиологическим растворе обеспечивает получение необходимой формы ко лющей части микроэлектродов, при этом поверхность плоскости скашиваемой части имеет более сглаженную зернистос-,ь, чем при заточке на абразиве с алмазной пылью с зернистостью 0 — 0,25 мкм, которая режет затачиваемую поверхность. Применение кварцевого монокристалла вместо алмазной пыли с зернистостью 0--0,25 мкм дешевле
Подача электрических импульсов с периодом 2 — 3 с осушествляет «пробой» микроэлектродов, т. е. устранение засорения отверстия сквозного продольного канала, расположенного в плоскости затачиваемой колющей части микроэлектродов. Это позволяет с высокой степенью точности в межимпульсном интервале измерять электрическое сопротивление микроэлектродов и вести заточку до получения последних с электрическим сопротивлением, лежащим в диапазоне 2 — 6 мОм и шлифовку до получения микроэлектродов с электрическим сопротивлением, лежащим в диапазоне 1—
1,2 мОм. Шлифовка микроэлектродов на абразиве с зернистостью до 0,05 мкм в физиологическом растворе обеспечивает получение отшлифованной поверхности плоскости скашиваемой части, что улучшает их прокалываюгцую способность и сужает диапазон значений электрического сопротивления.
Подача на микроэлетктроды электрических импульсов амплитудой 50 — 100 В и длительностью 0,2 — 0,5 с во всех случаях осуществляет «пробой» микроэлектродов, устраняя засорение в процессе обработки отверстия сквозного продольного канала.
Проведение всех этапов обработки микроэлектродов в физиологическом растворе позволяет проводить измерение электрического сопротивления микроэлектродов на каждом этапе обработки.
