Оперативное запоминающее устройство

 

1. ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее накопитель , одни из входов которого соединены с выходами дешифратора адреса, другие входы - с выходами формирователей разрядных токов, а выходы - с одни.ми из входов усилителей считывания, фор.мирователь адресного тока, выход которого соединен с входом дешифратора адреса, а вход - с первым выходо.м фор.мирователя опорного напряжения , вход которого подключен к шине питания формирователей разрядных токов, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства путем расширения диапазона рабочих температур и диапазона изменения напряжения питания, в него введен регулятор наг1рял ения порога срабатывания , первый управляюплий вход которого соединен с шиной питания формирователей разрядных токов, второй управляюцд .ий в.ход - с вторым выходом формирователя опорного напряжения, а выход - с другими входами усилителей считывания. 2. Устройство по п. I, отличающееся тем, чго регулятор напряжения порога срабатывания содержит транзистор, эмиттер которого соединен с одни.м из выводов первого резистора, другой вывод которого является первым управляющим входом регулятора, база транзистора соединена с одним из выводов терморегулируюшего элемента, друS гой вывод которого является вторым управ (Л ляющим входом регулятора, и с одним из выводов второго резистора, другой вывод которого подключен к шине нулевого потенциала , коллектор транзистора является выходо .м регулятора и соединен с одними из выводов третьего и четвертого резисторов, другой вывод третьего резистора является входом питания регулятора, а другой вывод четвертого резистора подключен к первому управляюн ему входу регулятора. 00 со о

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК зов C 1! С 1100

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Иьгг „

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21 ) 3577786/! 8-24 (22) 15.04.83 (46) 07.07.84. Бюл.. ué 25 (72) Г1. A Игнатьев, В. А. Калмыкова, Н. Н. Кочкин, Ю. Х. Криворуцкий, В. И. Левшин и А. Я. Тюрин (53) 681.327 (088.8) (56) !. Техническое описание и инструкция по эксплуатации ЗУ типа ММ Il ЦВМРДР

II. Материал фирмы. ГПНТБ, пер. 54559/76.

2. Игнатьев П. А., Тюрин А. Я. Опыт разработки ОЗУ на ферритовых сердечниках.—

В кн.: Развитие теории и техники средств хранения информации. Тезисы докладов под ред. Е. А. Брика. Москва-Рига, 1980, с. 28 — 30 (прототип). (54) (57) 1. ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСТВО, содержащее накопитель, одни из входов которого соединены с выходами дешифратора адреса, другие входы — с выходами формирователей разрядных токов, а выходы — с одними из входов усилителей считывания, формирователь адресного тока, выход которого соединен с входом дешифратора адреса, а вход — с первым выходом формирователя опорного напряжения, вход которого подключен к шине питания формирователей разрядных токов, отличающееся тем, что, с целью повышения

ÄÄSUÄÄ 1101890 А надежности устройства путем расширения диапазона рабочих температур и диапазона изменения напряжения питания, в него введен регулятор напряжения порога срабатывания, первый управляющий вход hoторого соединен с шиной питания формирователей разрядных токов, второй управляющий вход -- с вторым выходом формирователя опорного напряжения, а выход — с другими входами усилителей считывания.

2. Устройство по и. 1, отличающееся тем, чго регулятор напряжения порога срабатывания содержпт транзистор, эмиттер которого соединен с одним из выводов первого резистора, другой вывод которого является первым управляющим входом регулятора, база транзистора соединена с одним из выводов терморегулирующего элемента, другой вывод которого является вторым управляющим входом регулятора, и с одним из выводов второго резистора, другой вывод которого подключен к шине нулевого потенциала, коллектор транзистора является выходом регулятора и соединен с одними из выводов третьего и четвертого резисторов, другой вывод третьего резистора является входом питания регулятора, а другой вывод четвертого резистора подключен к первому управляющему входу регулятора.

1(0!890

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на магнитных элементах с высокими требованиями к техническим характеристикам в широком диапазоне изменений условий окружаю!цей среды.

Известно оперативное запоминающее устройство, содержащее формирователь адресного тока, выход которого соединен с входом дешифратора адреса, а вход — с выходом ис- 10 точника опорного напряжения, вход источника опорного напряжения соединен с датчиком температуры (1).

Недостаток этого устройства — невысокая надежность.

Наиболее близким к предлагаемому является оперативное запоминающее устройство, содержащее IIBKo«HTcль, входы первой группы которого соединены с выходами дешифратора адреса, входы второй грунпы-с выходами формирователей разрядных токов, а выходы — с входами усилителей считыванияя, терморегулируемый форм ирователь адресного тока, выход которого соединен с входом дешифратора адреса, а вход --- с первым выходом формирователя опорного напряжения, вход которого подключен к шине 25 электропитания формирователей разрядных токов 12).

Недостатком указанного устройства является неустойчивая работа (искажение информации при записи и считывании) при изменении напряжений питания и тсмперату- ЗО ры окружаю!цей среды в широких пределах, что снижает надежность устройства.

Цель изобретения — повышение надежности устройства путем расширения диапазона рабочих температур и диапазона изменения напряжения питания.

Поставленная цель достигается тем, что в оперативное запоминающее устройство, содержащее накопитель, одни из входов которого соединены с выходами дешифратора адреса, другие входы — с выходами формнро- 4ь вателей разрядных т(жов, а выходы — с одними из входов усилителей считывания, формирователь адресного тока, выход которого соединен с входом дешифратора адреса, а вход — с первым выходом формирователя опорного напряжения, «ход которого подключен к шине питания формирователей разрядных токов, введен ре!улятор напряжения порога срабатывания, первый управляющий вход которого соединен с шиной питания формирователей разрядных токов, вторОЙ

)>IIP3BJI5IIOI)LHH BXO>3, --- C BT0PbI>Xl E5k>I XO30» (t)OPмирователя опорного напряжения, а Выход— с другими входами усилителей считывания.

Регулятор напряжения порога срабатывания содержит транзистор, эмиттер которого соединен с одним из выводов первого рсзистора, друго!! ВыВОд KOTopΫo яВляется первым управляющим входом регулятора, база транзистора соединена с одним из выводов терморегулирую цего элемента, другой Bывод которого является вторым управляющим входом ppl улятора, и с одним пз выводов второго резистора, другой вывод которого подключен к шине нулевого потенциала. коллектор транзистора является выходом регулятора и соединен с одн Ixtl(из Выводов третьего и четвертого резисторов, дру! ой вывод третьего резистора является входо» питания регулятора, а другой вывод четвертого резистора I.oäêcilo÷pi) к первому управляющему входу регулятора.

На фиг. 1 представле«а структурная сх(.— ма оперативного запоминающего устройства; на фиг. 2 - принципиальная электрическая схема регулятора напряже>(ия порога срабатыванияя.

Оперативное Bàïî»инающес устр )истВО содержит (фиг. 1) накопитель 1, Одни из входов которого сое..ипены с выходами дешифратора 2 адреса, другие входы — — с выХОдам и форм яров ате «й 3 ра:ipH l Hhlx ToK08, с! Bk>lxoдь! -- с BxoÄ!Lt»!H ) cll,ièTÐ.J(й 4 c÷itтыBa пня, форл1и рс>вате(и>;) 3 «р c HO I 0 Ока, 3h!ХОД KOTOPOI COC LHliCI! С «ХО .Lo» LE . !IÈôPBÒOра 2 адреса, а вход с пер«hix! Выходо» (рормирователя 6 о!н>рного !!(!lipÿ кения, вход коToр01 0 подк, 1ючен к !1! и не > I! i!T!! н и я фс) >рхlирователей 3 разрядны: токов, p(iулятор 8 напряжения порога сp3()3гывания, пер«ый

) ПРЗВ.1 Я!ОН(И и ВХОД КОТОРОI О CÎ(> !И НЕ Ji С IIJHной >> и и т 3 и и я B! Op 0 « и р 3 в. я !0! и и Й в х Од с ВтОPым ВыхОдО>>! фОPми >ОБ !T(. . IЯ 6 (>I!ОРно— го напряжсния, а его в>!ход — с др»гими (ilopoI oBbixIH) Bx0J3)1и > Ji,1:!т(.;!сй 4 счи «1Вания.

Регулятор 8 содержит (,0J!! . 2) транзистор 9. Вх! H"тс р Оторого coc«J*.!«е с одним из БыВОДОВ Резне I01> i >Ь,,I!)x! Ои ВЫВОД ho!

ОРОГО HI3 151СТСН П(..РНЫМ ) IIP;!13Л>!!ОГНИ» дом регулятора (» база транзис гора 9 соединена с одним из выводов терморег); ирующего эле»ента i 1> другой Bh!i)oп которого является вторым управляющим вход!>» регулятора 8, и с одним пз выводов резистора

TP)>rOH ВЫВОД КО! OOO.-О ПОДКЛК)ЧС Н K 1ЦИне нулев(нo поте.:(ци3.13, коллектор транз!!стора 9 является выходом pc«ó.,I>.горя 8 и ;.ордипен с одними из выводов рсзисторов 13 и

14, другой вывод резисторы 13 является входом питания ре;улятop3 8, а друг(>й Вы«о; резистора 14 подключен к ilcpB()xl) управляк>!цему входу регулятора 8.

В качестве терморегулирук)щего элемента используется, например, !. епо ihd кремНИЕВЫХ И»ПУ IbCIiL>IX ДИО >0!3.

Устройство работаег следующим Образом.

У CTokt>I II BOCTh p3 00Th! X CTpoil(T!33, IOI3!15iX ЗМС НС Нпя H3IIP>I?KE. НH5I ПИТЗНИЯ П т" »iippaтуры окружаю!цей снедь> определяется величинами адресного и разрядных токов и величиной напряжения 1101)oi а сраба-! Ывания X>C kl 1HTP!PÉ 4 C IHTBIB II«5!. Ве vH>l kiнь.. ра«kpÿäl ûõ токов ollpcд,>ля ются схемой

1101890 з формирователя 3 разрядных токов и зависят от напряжения питания на шине 7. Адресный ток вырабатывается формирователем 5 адресного тока, входным сигналом которого является напряжение с первого выхода формироватсля 6 опорного напряжения. которое зависит от напряжения на шине 7.

Таким образом, величина адресного тока зависит от напряжения питания на шине 7.

Величина адресного тока зависит также от температуры окружающей среды за счет

1О изменения параметров терморегулирующерегулятора 8, т. е. напряжения на шине 7 питания. Тогда транзистор 9 находится в линейном режиме работы и на выходе регулятора 8 устанавливается некоторое напряжение, которое зависит от номиналов резисторов регулятора 8 и напряжений на его входах. Изменение напряжения питания на шине 7, т. е. на первом управляющем входе регулятора 8, приводит к изменению эмиттерного и коллекторного токов транзистора 9 и, следовательно, к изменению выходного напряжения регуля — îðà 8. Крутизна зависимости напряжения порога от напряжения на шине 7 определяется номиналами резисторов

10, 13 и 14. Изменение температуры окружающей среды приводит к изменению падения напряжения на терморегулирующем эле- 35

I менте 11, изменению падения напряжения на резисторе 12, т. е. напряжения на базе транзистора 9, и, следовательно, к изменению выходного напряжения регулятора 8. Крутизна температурной зависимости напряжения 40 порога срабатывания определяется соотношением между номиналами входящих резисторов 10, 12 — -! 4 и зависит от количества диодов терморегулирующего элемента 11.

Г1ри номинальном напряжении питания на шине 7 и нормальной температуре окружа- 45 ющей среды величины адресного тока, вырабатываемого формирователем 5 адресно го тока и подаваемого на одни входы накопителя с помощью дешифратора 2 адреса, и разрядных токов, вырабатываемых формирователями 3 и подаваемых на другие входы го элемента, входящего в состав формирователя адресного тока.

Напряжение порога срабатывания усилителей 4 считывания вырабатывается регулятором 8. Напряжение, снимаемое с выхода 15 формирователя 6 опорного напряжения и подавшееся на второй управляющий вход регулятора 8, поддерживает при постоянной температуре постоянное напряжение на базе транзистора 9, которое по величине меньше напряжения на первом управляющем входе

lI it<() tI ItTp1 ÿ . ус Га 1!Овлевы ОГ1ти ма, 1 ьн ь! ми для перемагн!гчивания сердечников накопителя 1, а напряжение на выходе регулятора

8, поступающее на вторые (пороговые) входы усилителей 4 считывания, на первые входы которых поступают считанные cttïlà Iht с выхода накопителя 1, установлено таким, чтобы ооеспечить надежное срабатывание усилителей при считывании кода «1» и, с другой стороны, чтобы не допустить его срабатывания от помехи при считывании кода

«О», что является условием правильной раооты усилителей 4 считывания.

При изменении, допустим при уменьшении, напряжения на шине 7 происходит уменьшение величины разрядных токов и, чтобы HP нарушилось условие оптимальности переключения сердечников накопителя 1, также происходит уменынение величины адресного тока, вырабатываемого формировате 1e» 5 адресного тока. под действием напряжения на шине 7, поступающего на управляю1!1ий вход формирователя 6 опорного напр я женця. Г1 р и этом происходит уменьшение величины сигналов при считывании кода «1», а также помех при считывании кода «О» и, для выполнения условий правильного считывания, уменьшение напряжения порога сраоатывания усилителей, вырабатываемого регулятором 8 110.1 действием напряжения на шине 7, поступающего на первый управляющий вход регулятора 8.

1IpIt увеличснии напряжения питания происходит обратное.

При изменении, допустим при уменьшении, температуры окружающей среды для обеспечения условий оптимальности переключения сердечников накопителя I происходит увеличение тока, вырабатываемого формирователем 5 адресного тока под действием терморегулирующего элемента, входящего в его состав. Г1ри этом увеличиваются величины сигналов и помех и, для выполнения условий правильной работы усилителей

4 с !!1!.ь!1зания, происходит увеличение напряжеHия порога срабатывания усилителей, вырабатываемого регулятором 8 под действием терморегулирующего элемента 11.

При увеличении температуры окружающей среды происходит обратное.

Основным техническим пренмуществом предлагаемого устройства является расширенный диапазон рабочих температур и диапазон допустимых изменений напряжений питания по сравнению с известным устройством.

Редактор В. Петрагн

Заказ 4685/36 (.c)cTBIèTñëü В. Рудаков

Гекред И. Ворсе Корректор.!. Пилипенко

Тираж 575 Подписнос

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий! !3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патенз», г. Ужгород, ул. Г!роектная, 4

Оперативное запоминающее устройство Оперативное запоминающее устройство Оперативное запоминающее устройство Оперативное запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для обработки информации в вычислительных системах
Наверх