Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.
Похожие патенты:
Способ окисления пластин кремния // 1099782
Способ электролитического анодирования // 658626
Способ окисления кремния // 427426
Способ окисления кремния с p-n-переходом // 376029
Способ создания защитной пленки // 316372
Способ нанесения пленок // 2102814
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Способ получения борсодержащих пленок // 2129321
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения защитных пленок // 2176421
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)
Способ химической обработки пластин кремния // 2228563
Способ создания диэлектрического слоя // 2274926
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи
