Способ выращивания кристаллов селенида цинка
(19) 5II (11) 1111†(51) В 11 02 союз совктских социллистичкских юксы влик гоюдмствкннок ш ткнтнок вкдомство cccr iтосимпат ссср
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3598673/26 (22) 27.05.63 (46) 30.12.93 Ееа йв 47-43 (72) Коновалов ОМ; Кобзарь-Злее о ВА; Носачев (S4) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ
СЕЛЕНИДА ЦИНКА
1157889
Изобретение относится к способам выращивания кристаллов из расплава кристаллизуемого соединения и может найти применение в. химической промышленности. при получении кристаллов тугоплавких и разлагающихся соединений.
Иэделия иэ полдпроводниковых материалов типа А В, обладая высокими оптическими, механическими, люминесцентными и другими характеристиками, находят,-.применение, например, в технике средств отображения информации АСУ, в. электронной, ядерной и лазерной технике.
Кристаллы селенида цинка обладают низким коэффициентом оптического погло-. щения в ИК-диапазоне и применяются в качестве оптических элементов (окна, линзы) мощных ИК-лазеров.
Целью изобретения является улучшение оптических свойств кристаллов селенида цинка.
На чертеже представлено изменение коэффициента поглощения ф) кристаллов селенида цинка в зависимости от давления инертного газа в ростовой камере.
Как видно из чертежа, при прочих равных условиях . выращивания коэффициент поглощения выращенных кристаллов, измеренных на лине волны 10,6 мкм, при 2 ат равен 2,6 10 см при 5 ат 2,2 10 з см 1, при 10 ат 1,9 10 см и вновь возрастает при 20 ат до 2,4 10з см1 и при 25 ат до
2,6 10зсм
Пример. Предварительными опытами
В заВисимости от конфигурации ВиткОВ нагревателя и потребляемой мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразноФормула изобретения
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при этом параметрами, осуществляют последующее выращивание кристаллов, Предварительно оплавленную исходную массу селенида цинка кристаллизуют при пропускании тигля со скоростью
1,0 см/ч через температурный градиент на10 гревателя при ширине зоны расплава 2 см и манометрическом давлении инертного газа в компрессионной печи 10 3 ат.
Изготовленные из кристалла оптические
15 элементы диаметром 6,0 см и высотой 10 см имеют коэффициент поглощения на дзлине волны 10,6 мкм в пределах 2-1,9 10 см .
Приведенные технологические параметры являются оптимальными и обеспечи20 вают получение совершенных кристаллов.
Использование предлагаемого способа выращивания кристаллов селенида цинка обеспечивает по сравнению с известными уменьшение размера пор в кристалле более
25 чем на порядок и снижает величину показателя поглощения более чем в 2 раза. (56) Авторское свидетельство СССР
М 681626, кл. С. 30 В 11/02, 1977.
30 Кулаков M.Ï., Савченко И.Б„Фадеев
А.В. Некоторые свойства кристаллов селенида цинка, получаемых из расплава, 6-я
Международная конф. по росту кристаллов.
Москва; Расш. тез„т. 3 Рост из расплава и
35 высокотемпературных растворов, Метод. материалы, М„1980, с. 185-196
Авторское свидетельство СССР
N 713014, кл. С 30 В 11/02, 1978;
40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения on45 тических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давления инертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас5р тущим кристаллом.
1157889
Р2
Ю Zg 4am
Составитель В. Новиков
Техред М.Моргентал
Редактор В. Кузнецова
Корректор С.Шекмар
Заказ 3465
Тираж Подписное
HPО "Поиск" Роспатента
113035, Москва. Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101
