Патент ссср 273176

Авторы патента:

C30B29/20 - оксиды алюминия

C30B11/02 - без использования растворителей (C30B 11/06 имеет преимущество)

О П И С А Н И Е 273176

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от BBT. свидетельства №

Кл. 12g,:17/00

Заявлено 03.1!.1969 (№ 1302576/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 15.VI.1970. Бюллетень № 20

Дата опубликования описания 17.IX.1970

Комитет по делам изобретений и открытиИ при Совете Министров

СССР

МПК В 01j 17/00

УДК 548.55(088.8) Авторы изобретения

Х. С. Багдасаров, Н. И. Седаков, М. В. Неклюдова-Классен, В. Г. Говорков, Е. А. Федоров и Н. П. Ильин

Институт кристаллографии Академии наук СССР и Специальное конструкторское бюро института кристаллографии Академии наук СССР

Заявители

СПОСОБ УПРОЧНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА

Предмет изобретения,1

Изобретение относится к спосооам получения армированных монокристаллов корунда, которые могут быть использованы, например, для изготовления жаростойких и жаропрочных силовых элементов.

Известен способ упрочнения монокристаллов корунда .путем введения примесей, изменения дислокационной структуры.

Основным недостатком известного способа является недостаточно высокая прочность монокристаллов корунда.

Для устранения этого предложено в процессе кристаллизации в монокристалл вращивать высокопрочную и более тугоплавкую арматуру со скоростью кристаллизации 4вЂ”

16 мм/час при температуре расплава 2050вЂ”

2150 С с последующим охлаждением до комнатной температуры в течение 3 вЂ” 5 час.

П р им ер. В кристаллизационный сосуд (например, «лодочку», изготовленную из молибдена) помещают затравочный кристалл, за которым располагают арматуру, температура плавления которой выше точки .плавления

AI2O;;. Свободное пространство в объеме лодочки заполняют шихтой и производят направленную кристаллизацию в вакууме 10 лтм рт. ст. или среде инертного газа с избыточным давлением 0,1 атм при нагреве расплава до температуры 2050 вЂ” 2150 С. При размерах лодочки, например, 60)(150>(10 мм, скорость роста армированного вольфрамовой сетксй кристалла корунда составляет 4вЂ”

16 мм/ча.с.

При испытании на изгиб при температуре

10 1500 вЂ” 1700 С предел текучести армированных вольфрамовой сеткой кристаллов корунда в полтора-два раза выше предела текучести неармированных кристаллов.

Способ упроччения монокристаллов корунда, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности монокрисгаллов корунда, в про20 пессе кристаллизации в монокристалл вращивают высокопрочную и более тугоплавкую арматуру со скоростью кристаллизации 4вЂ”

16 мм/чпс при температуре расплава 2050вЂ”

2150 С с последующим охлаждением до ком25 ватной температуры в течение 3 вЂ” 5 час,

Похожие патенты:

Патент 184103 // 184103

Аппарат для получения корунда и т.п. искусственных камней // 28905

Способ выращивания монокристаллов // 262860

Способ выращивания кристаллов окиси магния // 197525

Способ выращивания спектрометрических монокристаллов йодистого натрия, активированного таллием // 176565

Способ получения кристаллов синтетическойслюды // 175480

Способ получения щелочногалоидных^' кристаллов // 168262

Способ выращивания монокристаллов слюды // 165670

Способ получения полупроводниковых материалов // 150495

Патент 149395 // 149395

Способ получения монокристаллов антрацена // 121438

Электроустановка для выращивания монокристаллов // 113495

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений // 2105831

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Способ получения высококачественных монокристаллических заготовок // 2127774

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Способ получения никелида титана и сплавов на его основе // 2132415

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2132416

Способ получения монокристаллов (его варианты) // 2133787

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2134314

Способ получения монокристаллов соединения liins2 // 2189405

Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения

Способ выращивания кристаллов // 2199614

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Устройство для выращивания кристаллов // 2199615

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости