Способ получения монокристаллов сцинтилляционных материалов

 

СОЮЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5I)5 С 30 В 11/02 29/12

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 1756815/26 (22) 07.03.72 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (72) Н.Ю. Гуревич, P.Х. Мустафина и А.Н.

Панова (54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ

МАТЕРИАЛОВ на основе йодидов щелоч.: ных металлов с активирующей добавкой,направленной кристаллизацией расплава с

Изобретение относится к технологии . получения монокристаллов сцинтилляцион-ных. материалов направленной кристалли.зацией расплава.

Известен способ выращивания монокристаллов на основе йодидов щелочных металлов с активирующей добавкЬй направленной кристаллизацией расплава предварительно дегидратированного сырья в вакууме. Кристаллы, выращенные этим способом, запасают светосумму при облучении ионизирующим излучением, что приводит к значительному ухудшению их счетных характеристик.

Отличие предлагаемого способа состоит в том, что в исходный материал после дегидратации вводят добавку йодата одноименного щелочного металла в количестве до 0,5 мол. . Ы 415916 А1 предварительной дегидратацией исходного материала в вакууме, о тл и ч а ю щи и с я тем, что, с целью повышения радиационной прочности счетных характеристик полученных монокристаллов, в исходный материал после дегидратации вводят добавку йодата одноименного щелочного металла.

2. Способ по и. 1, о тл и ч а ю щи и с я тем, что добавку йодата вводят в количестве до 0,5 мол. 7.

Осуществление выращивания при таких условиях дает возможность повысить радиационную прочность счетных характери, стик монокристаллов, что позволяет использовать их при работе в сильных переменных полях ядерной радиации. 4

Пример. Предварительно дегидрати- д рованную соль Mal при постоянном вакуу- ц. мировании нагревают до расплавления.

Затем в расплав добавляют 0,1 мол. $ ТП и

0,4 мол. $ Иа!Оз и производят выращивание в вакуумированной герметичной ампуле при ее опускании в печи со скоростью -2 ммум/ч. Получены монокристеллы д 40 мм.

Счетные характеристики счетчиков, изго- а товленных их этих кристаллов, после облучения в течение 1 ч гамма-радиацией мощностью 50 рад/ч не изменяются.

Способ получения монокристаллов сцинтилляционных материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6
Наверх